真空鍍膜:物理的氣相沉積技術工藝過程簡單,對環境改善,無污染,耗材少,成膜均勻致密,與基體的結合力強。該技術普遍應用于航空航天、電子、光學、機械、建筑、輕工、冶金、材料等領域,可制備具有耐磨、耐腐蝕、...
在MEMS制程中,刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法,在光刻的基礎上有選擇地進行圖形的轉移。刻蝕技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕;以FATRI...
真空鍍膜:離子鍍:離子鍍基本原理是在真空條件下,采用某種等離子體電離技術,使鍍料原子部分電離成離子,同時產生許多高能量的中性原子,在被鍍基體上加負偏壓。這樣在深度負偏壓的作用下,離子沉積于基體表面形成...
非平衡磁控濺射離子轟擊在鍍膜前可以起到清洗工件的氧化層和其他雜質,活化工件表面的作用,同時在工件表面上形成偽擴散層,有助于提高膜層與工件表面之間的結合力。在鍍膜過程中,載能的帶電粒子轟擊作用可達到膜層...
干法刻蝕又分為三種:物理性刻蝕、化學性刻蝕、物理化學性刻蝕。其中物理性刻蝕又稱為濺射刻蝕。很明顯,該濺射刻蝕靠能量的轟擊打出原子的過程和濺射非常相像。(想象一下,如果有一面很舊的土墻,用足球用力踢過去...
日本能把持光刻膠這么多年背后的深層次邏輯是什么?究其原因,主要是技術和市場兩大壁壘過高導致的。首先,光刻膠作為半導體產業的基礎材料,扮演著極其重要的角色,甚至可以和光刻機相媲美,但市場規模卻很小。20...
光刻膠行業具有極高的行業壁壘,因此在全球范圍其行業都呈現寡頭壟斷的局面。光刻膠行業長年被日本和美國專業公司壟斷。目前前五大廠商就占據了全球光刻膠市場87%的份額,行業集中度高。并且高分辨率的KrF和A...
隨著光刻膠技術的進步,只需要一次涂膠,兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能。浸沒光刻和雙重光刻技術在不改變193nm波長ArF光刻光源的前提下,將加工分辨率推向10nm的數量級。與此同時,這兩項...
真空鍍膜的方法:濺射鍍膜:濺射鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子轟擊靶表面,使靶材的原子或分子從表面發射出來,進而在基片上沉積的技術。在濺射鍍鈦的實驗中,電子、離子或中性粒子均可作為轟擊靶的荷能粒子,而...
半導體器件生產工藝流程主要有4個部分,即晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試。晶圓制造是指在硅晶圓上制作電路與電子元件如電晶體、電容體、邏輯閘等,整個流程工藝復雜,主要有晶圓清洗,熱氧化,光刻(涂...
清洗是半導體制程的重要環節,也是影響半導體器件良率的較重要的因素之一。清洗是晶圓加工制造過程中的重要一環,為了較大限度降低雜質對芯片良率的影響,在實際生產過程中不只需要確保高效的單次清洗,還需要在幾乎...
磁控濺射的工藝研究:1、氣體環境:真空系統和工藝氣體系統共同控制著氣體環境。首先,真空泵將室體抽到一個高真空。然后,由工藝氣體系統充入工藝氣體,將氣體壓強降低到大約2X10-3torr。為了確保得到適...
刻蝕,英文為Etch,它是半導體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟,是與光刻相聯系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進...
利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優點:1.均勻性和重復性好,可大面積成膜,適合批量生長2.可在低溫下成膜,對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制,生長方法階段 5.應用...
光刻(Photolithography)是一種圖形轉移的方法,在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念,其實它是有多步工序所組成的。1.清洗:清洗襯底表面的有機物。2.旋涂:將光刻膠旋涂在...
晶圓的制作工藝流程:硅提純:將沙石原料放入一個溫度約為2000℃,并且有碳源存在的電弧熔爐中,在高溫下,碳和沙石中的二氧化硅進行化學反應(碳與氧結合,剩下硅),得到純度約為98%的純硅,又稱作冶金級硅...
光刻膠要有極好的穩定性和一致性,如果質量稍微出點問題,損失將會是巨大的。去年2月,某半導體代工企業因為光刻膠的原因導致晶圓污染,報廢十萬片晶圓,直接導致5.5億美元的賬面損失。除了以上原因外,另一個重...
MEMS采用類似集成電路(IC)的生產工藝和加工過程,用硅微加工工藝在一硅片上可同時制造成百上千個微型機電裝置或完整的MEMS。使MEMS有極高的自動化程度,批量生產可大幅度降低生產成本;而且地球表層...
MEMS加工技術:傳統機械加工方法指利用大機器制造小機器,再利用小機器制造微機器。可以用于加工一些在特殊場合應用的微機械裝置,例如微型機械手、微型工作臺等。特種微細加工技術是通過加工能量的直接作用,實...
工藝所用化學物質取決于要刻蝕的薄膜類型。介電刻蝕應用中通常使用含氟的化學物質。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學物質。在工藝中可能會對一個薄膜層或多個薄膜層執行特定的刻蝕步驟。當需要處理多層薄膜時,以及刻...
射頻MEMS技術傳統上分為固定的和可動的兩類。固定的MEMS器件包括本體微機械加工傳輸線、濾波器和耦合器,可動的MEMS器件包括開關、調諧器和可變電容。按技術層面又分為由微機械開關、可變電容器和電感諧...
用硅片制造晶片主要是制造晶圓上嵌入電子元件(如電晶體、電容、邏輯閘等)的電路,這是所需技術較復雜、投資較大的工藝。作為一個例子,單片機的加工工序多達幾百道,而且需要的加工設備也比較先進,成本較高。盡管...
電子束蒸發可以蒸發高熔點材料,比一般電阻加熱蒸發熱效率高、 束流密度大、蒸發速度快,制成的薄膜純度高、質量好,通過晶振控制,厚度可以較準確地控制,可以廣泛應用于制備高純薄膜和各種光學材料薄膜。電子束蒸...
濕法刻蝕是化學清洗方法中的一種,是化學清洗在半導體制造行業中的應用,是用化學方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。其基本目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到腐蝕...
等離子體刻蝕機要求相同的元素:化學刻蝕劑和能量源。物理上,等離子體刻蝕劑由反應室、真空系統、氣體供應、終點檢測和電源組成。晶圓被送入反應室,并由真空系統把內部壓力降低。在真空建立起來后,將反應室內充入...