刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟，是與光刻相聯系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。隨著微制造工藝的發展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。湖北新型半導體器件加工工廠

MEMS制造工藝是下至納米尺度，上至毫米尺度微結構加工工藝的通稱。廣義上的MEMS制造工藝，方式十分豐富，幾乎涉及了各種現代加工技術。起源于半導體和微電子工藝，以光刻、外延、薄膜淀積、氧化、擴散、注入、濺射、蒸鍍、刻蝕、劃片和封裝等為基本工藝步驟來制造復雜三維形體的微加工技術。微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統的優化設計、加工、組裝、系統集成與應用技術，涉及領域廣、多學科交叉融合，其較主要的發展方向是微納器件與系統（MEMS和NEMS）。微納器件與系統是在集成電路制作上發展的系列適用技術，研制微型傳感器、微型執行器等器件和系統，具有微型化、批量化、成本低的鮮明特點，對現代的生活、生產產生了巨大的促進作用，并催生了一批新興產業。湖北新型半導體器件加工工廠MEMS采用類似集成電路(IC)的生產工藝和加工過程。

微流控技術是以微管道為網絡連接微泵、微閥、微儲液器、微電極、微檢測元件等具有光、電和流體輸送功能的元器件，較大限度地把采樣、稀釋、加試劑、反應、分離、檢測等分析功能集成在芯片上的微全分析系統。目前，微流控芯片的大小約幾個平方厘米，微管道寬度和深度(高度)為微米和亞微米級。微流控芯片的加工技術起源于半導體及集成電路芯片的微細加工，但它又不同于以硅材料二維和淺深度加工為主的集成電路芯片加工技術。近來，作為微流控芯片基礎的芯片材料和加工技術的研究已受到許多發達國家的重視。

蝕刻是芯片生產過程中重要操作，也是芯片工業中的重頭技術。蝕刻技術把對光的應用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光并配合很大的鏡頭。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上，使之曝光。接下來停止光照并移除遮罩，使用特定的化學溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕膜，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。然后，曝光的硅將被原子轟擊，使得暴露的硅基片局部摻雜，從而改變這些區域的導電狀態，以制造出N井或P井，結合上面制造的基片，芯片的門電路就完成了。表面硅MEMS加工工藝成熟，與IC工藝兼容性好。

單晶硅是從大自然豐富的硅原料中提純制造出多晶硅，再通過區熔或直拉法生產出區熔單晶或直拉單晶硅，進一步形成硅片、拋光片、外延片等。直拉法生長出的單晶硅，用在生產低功率的集成電路元件。而區熔法生長出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。直拉法加工工藝：加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長，長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間后取出，即完成一次生長周期。懸浮區熔法加工工藝：先從上、下兩軸用夾具精確地垂直固定棒狀多晶錠。用電子轟擊、高頻感應或光學聚焦法將一段區域熔化，使液體靠表面張力支持而不墜落。移動樣品或加熱器使熔區移動。這種方法不用坩堝，能避免坩堝污染，因而可以制備很純的單晶，也可采用此法進行區熔。MEMS器件中摩擦表面的摩擦力主要是由于表面之間的分子相互作用力引起的，而不是由于載荷壓力引起。湖北新型半導體器件加工工廠

用硅片制造晶片主要是制造晶圓上嵌入電子元件(如電晶體、電容、邏輯閘等)的電路。湖北新型半導體器件加工工廠

半導體器件通常利用不同的半導體材料、采用不同的工藝和幾何結構，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型表示是各種晶體管（又稱晶體三極管）。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應晶體管兩類。根據用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關用的一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場效應傳感器等。這些器件既能把一些環境因素的信息轉換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號。此外，還有一些特殊器件，如單結晶體管可用于產生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存儲器件等。湖北新型半導體器件加工工廠

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