電子束蒸發可以蒸發高熔點材料,比一般電阻加熱蒸發熱效率高、 束流密度大、蒸發速度快,制成的薄膜純度高、質量好,通過晶振控制,厚度可以較準確地控制,可以廣泛應用于制備高純薄膜和各種光學材料薄膜。電子束蒸發的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面,臺階覆蓋性比較差,如果需要追求臺階覆蓋性和薄膜粘附力,建議使用磁控濺射。在蒸發溫度以上進行蒸發試,蒸發源溫度的微小變化即可引起蒸發速率發生很大變化。因此,在鍍膜過程中,想要控制蒸發速率,必須精確控制蒸發源的溫度,加熱時應盡量避免產生過大的溫度梯度。蒸發速率正比于材料的飽和蒸氣壓,溫度變化10%左右,飽和蒸氣壓就要變化一個數量級左右。真空鍍膜機的優點:對印刷、復合等后加工具有良好的適應性。黑龍江等離子體增強氣相沉積真空鍍膜價錢
PECVD(等離子體增強化學氣相沉積法)工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激發的狀態容易發生反應,以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜,可以在器件當中作為鈍化絕緣層,來提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的氣體為硅烷和笑氣,氮化硅薄膜主要用到的氣體為氨氣和硅烷。采用PECVD鍍膜對器件有一定的要求,因為工藝溫度比較高,所以器件需要耐高溫,高溫烘烤下不能變形。黑龍江等離子體增強氣相沉積真空鍍膜價錢真空鍍膜有濺射鍍膜形式。
真空鍍膜技術初現于20世紀30年代,四五十年代開始出現工業應用,工業化大規模生產開始于20世紀80年代,在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中取得普遍的應用。真空鍍膜是指在真空環境下,將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料),屬于物理的氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜,故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中,以塑料較為常見,其次,為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料,塑料具有來源充足、性能易于調控、加工方便等優勢,因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結構材料,大量應用于汽車、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業領域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷,如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜,即可賦予塑料程亮的金屬外觀,合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能,拓寬了塑料的裝飾性和應用范圍。
PECVD系統的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣,這些鋼瓶被放置在有許多安全保護裝置的氣柜中,通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時,反應氣體的多少會影響淀積的速率及其均勻性等,因此需要嚴格控制氣體流量,通常采用質量流量計來實現精確控制。PECVD反應過程中,反應氣體從進氣口進入爐腔,逐漸擴散至襯底表面,在射頻源激發的電場作用下,反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。分解物發生化學反應,生成形成膜的初始成分和副反應物,這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面,生成固態膜的晶核,晶核逐漸生長成島狀物,島狀物繼續生長成連續的薄膜。在薄膜生長過程中,各種副產物從膜的表面逐漸脫離,在真空泵的作用下從出口排出。通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面,稱為蒸發鍍膜。
真空鍍膜:電阻加熱蒸發法:電阻加熱蒸發法就是采用鎢、鉬等高熔點金屬,做成適當形狀的蒸發源,其上裝入待蒸發材料,讓電流通過,對蒸發材料進行直接加熱蒸發,或者把待蒸發材料放入坩鍋中進行間接加熱蒸發。利用電阻加熱器加熱蒸發的鍍膜設備構造簡單、造價便宜、使用可靠,可用于熔點不太高的材料的蒸發鍍膜,尤其適用于對膜層質量要求不太高的大批量的生產中。目前在鍍鋁制品的生產中仍然大量使用著電阻加熱蒸發的工藝。電阻加熱方式的缺點是:加熱所能達到的較高溫度有限,加熱器的壽命也較短。近年來,為了提高加熱器的壽命,國內外已采用壽命較長的氮化硼合成的導電陶瓷材料作為加熱器。真空鍍膜技術是一種新穎的材料合成與加工的新技術,是表面工程技術領域的重要組成部分。黑龍江等離子體增強氣相沉積真空鍍膜價錢
真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面。黑龍江等離子體增強氣相沉積真空鍍膜價錢
磁控濺射的優勢在于可根據靶材的性質來選擇使用不同的靶電源進行濺射,靶電源分為射頻靶(RF)、直流靶(DC)、直流脈沖靶(DC Pluse)。其中射頻靶主要用于導電性較差的氧化物、陶瓷等介質膜的濺射,也可以進行常規金屬材料濺射。直流靶只能用于導電性較好的金屬材料,而直流脈沖靶介于二者之間,可濺射硅、鍺等半導體材料。磁控濺射方向性要優于電子束蒸發,但薄膜質量,表面粗糙度等方面不如電子束蒸發。但磁控濺射可用于多種材料,使用范圍廣,電子束蒸發則只能用于金屬材料蒸鍍,且高熔點金屬,如W,Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物,陶瓷材料的鍍膜,電子束則用于對薄膜質量較高的金屬材料。黑龍江等離子體增強氣相沉積真空鍍膜價錢
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