半導體技術很大的應用是集成電路(IC),舉凡計算機、手機、各種電器與信息產品中,一定有 IC 存在,它們被用來發揮各式各樣的控制功能,有如人體中的大腦與神經。如果把計算機打開,除了一些線路外,還會看到...
利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優點:1.均勻性和重復性好,可大面積成膜,適合批量生長2.可在低溫下成膜,對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制,生長方法階段 5.應用...
真空鍍膜:PVD技術工藝步驟:清洗工件:接通直流電源,氬氣進行輝光放電為氬離子,氬離子轟擊工件表面,工件表層粒子和臟物被轟濺拋出;鍍料的氣化:即通入交流電后,使鍍料蒸發氣化。鍍料離子的遷移:由氣化源供...
微納加工氧化工藝是在高溫下,襯底的硅直接與O2發生反應從而生成SiO2,后續O2通過SiO2層擴散到Si/SiO2界面,繼續與Si發生反應增加SiO2薄膜的厚度,生成1個單位厚度的SiO2薄膜,需要消...
隨著功能的復雜,不只結構變得更繁復,技術要求也越來越高。與建筑物不一樣的地方,除了尺寸外,就是建筑物是一棟一棟地蓋,半導體技術則是在同一片芯片或同一批生產過程中,同時制作數百萬個到數億個組件,而且要求...
半導體技術快速發展:盡管有種種挑戰,半導體技術還是不斷地往前進步。分析其主要原因,總括來說有下列幾項。先天上,硅這個元素和相關的化合物性質非常好,包括物理、化學及電方面的特性。利用硅及相關材料組成的所...
半導體技術的演進,除了改善性能如速度、能量的消耗與可靠性外,另一重點就是降低其制作成本。降低成本的方式,除了改良制作方法,包括制作流程與采用的設備外,如果能在硅芯片的單位面積內產出更多的 IC,成本也...
介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕,如二氧化硅。干法刻蝕優點是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性、重復性好,細線條操作安全,易實現自動化,無化學廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。缺點是:成本高,設備復...
微納加工是一種利用微納技術對材料進行加工和制造的方法,其發展趨勢主要包括以下幾個方面:自動化生產:微納加工技術可以實現自動化的生產,例如利用機器人和自動化設備可以實現微納器件的自動化加工和制造。未來的...
使用磁控濺射法沉積硅薄膜,通過優化薄膜沉積的工藝參數(包括本地真空、濺射功率、濺射氣壓等),以期用濺射法終后制備出高質量的器件級硅薄膜提供科學數據。磁控濺射法是一種簡單、低溫、快速的成膜技術,能夠不使...
在1874年,德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關,即它的導電有方向性,在它兩端加一個正向電壓,它是導通的;如果把電壓極性反過來,它就不導電,這就是半導體的整流效應,也是半導體所特有...
在等離子蝕刻工藝中,發生著許多的物理現象。當在腔體中使用電極或微波產生一個強電場的時候,這個電場會加速所有的自由電子并提高他們的內部能量(由于宇宙射線的原因,在任何環境中都會存在一些自由電子)。自由電...
刻蝕,它是半導體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,...
從1879年到1947年是奠基階段,20世紀初的物理學變革(相對論和量子力學)使得人們認識了微觀世界(原子和分子)的性質,隨后這些新的理論被成功地應用到新的領域(包括半導體),固體能帶理論為半導體科技...
真空鍍膜的方法:離子鍍:總體來說比較常用的有:直流放電二極型、多陰極型、活性反應蒸鍍(ARE)、空心陰極放電離子鍍(HCD)、射頻放電離子鍍(RFIP)、增強的ARE型、低壓等離子型離子鍍(LP-PD...
刻蝕較簡單較常用分類是:干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見,它們的區別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程,是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部...
光刻技術在半導體器件加工中起著至關重要的作用。它可以實現圖案轉移、提高分辨率、制造多層結構、控制器件性能、提高生產效率和降低成本。隨著半導體器件的不斷發展,光刻技術也在不斷創新和改進,以滿足更高的制造...
真空鍍膜:各種鍍膜技術都需要有一個蒸發源或靶子,以便把蒸發制膜的材料轉化成氣體。由于源或靶的不斷改進,擴大了制膜材料的選用范圍,無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機物質,都可以蒸鍍各種金屬膜...
光刻在半導體器件加工中的作用是什么? 提高生產效率:光刻技術可以提高半導體器件的生產效率。光刻機具有高度自動化的特點,可以實現大規模、高速的生產。通過使用多臺光刻機并行操作,可以同時進行多個光刻步驟,...
真空鍍膜:等離子體鍍膜:每個弧斑存在極短時間,爆發性地蒸發離化陰極改正點處的鍍料,蒸發離化后的金屬離子,在陰極表面也會產生新的弧斑,許多弧斑不斷產生和消失,所以又稱多弧蒸發。較早設計的等離子體加速器型...
半導體器件加工是指將半導體材料加工成具有特定功能的器件的過程。它是半導體工業中非常重要的一環,涉及到多個步驟和工藝。下面將詳細介紹半導體器件加工的步驟。 晶圓制備:晶圓是半導體器件加工的基礎。晶圓是將...
光聚合型光刻膠采用烯類單體,在光作用下生成自由基,進一步引發單體聚合,較后生成聚合物;光分解型光刻膠,采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑,其經光照后,發生光分解反應,可以制成正性光刻膠;光...
由于納米壓印技術的加工過程不使用可見光或紫外光加工圖案,而是使用機械手段進行圖案轉移,這種方法能達到很高的分辨率。報道的很高分辨率可達2納米。此外,模板可以反復使用,無疑極大降低了加工成本,也有效縮短...
真空鍍膜:離子鍍膜法:離子鍍膜技術是在真空條件下,應用氣體放電實現鍍膜的,即在真空室中使氣體或蒸發物質電離,在氣體離子或被蒸發物質離子的轟擊下、同時將蒸發物或其反應產物蒸鍍在基片上。根據不同膜材的氣化...
刻蝕在半導體器件加工中的作用主要有以下幾個方面:納米結構制備:刻蝕可以制備納米結構,如納米線、納米孔等。納米結構具有特殊的物理和化學性質,可以應用于傳感器、光學器件、能量存儲等領域。 表面處理:刻蝕可...
在半導體領域,“大數據分析”作為新的增長市場而備受期待。這是因為進行大數據分析時,除了微處理器之外,還需要高速且容量大的新型存儲器。在《日經電子》主辦的研討會上,日本大學教授竹內健談到了這一點。例如,...
脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替傳統直流電源進行磁控濺射沉積。脈沖磁控濺射可以有效地抑制電弧產生進而消除由此產生的薄膜缺陷,同時可以提高濺射沉積速率,降低沉積溫度等一系列明顯的優點,是濺射絕...
真空鍍膜:等離子體鍍膜:每個弧斑存在極短時間,爆發性地蒸發離化陰極改正點處的鍍料,蒸發離化后的金屬離子,在陰極表面也會產生新的弧斑,許多弧斑不斷產生和消失,所以又稱多弧蒸發。較早設計的等離子體加速器型...
微納測試與表征技術是微納加工技術的基礎與前提,微納測試包括在微納器件的設計、制造和系統集成過程中,對各種參量進行微米/納米檢測的技術。微米測量主要服務于精密制造和微加工技術,目標是獲得微米級測量精度,...
干刻蝕是一類較新型,但迅速為半導體工業所采用的技術,GaN材料刻蝕工藝。其利用電漿來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環境下,才有可能被激發出來;而干刻蝕采...