真空鍍膜：離子鍍：離子鍍基本原理是在真空條件下，采用某種等離子體電離技術，使鍍料原子部分電離成離子，同時產生許多高能量的中性原子，在被鍍基體上加負偏壓。這樣在深度負偏壓的作用下，離子沉積于基體表面形成薄膜。離子鍍借助于惰性氣體輝光放電，使鍍料（如金屬鈦）氣化蒸發離子化，離子經電場加速，以較高能量轟擊工件表面，此時如通入二氧化碳、氮氣等反應氣體，便可在工件表面獲得TiC、TiN覆蓋層，硬度高達2000HV。離子鍍技術較早在1963年由D。M。Mattox提出。1972年，Bunshah&Juntz推出活性反應蒸發離子鍍(AREIP)，該方法可以沉積TiN、TiC等超硬膜。1972年Moley&Smith發展完善了空心熱陰極離子鍍，1973年又發展出射頻離子鍍(RFIP)。20世紀80年代又發展出磁控濺射離子鍍(MSIP)和多弧離子鍍(MAIP)。離子鍍是物理的氣相沉積方法中應用較普遍的一種鍍膜工藝。真空鍍膜機鍍鋁層導電性能好，能消除靜電效應。潮州新型真空鍍膜

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理的氣相沉積（PVD）技術和化學氣相沉積（CVD）技術。物理的氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質反應膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質的熱蒸發，或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現象，實現物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程。物理的氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。潮州新型真空鍍膜真空鍍膜技術是利用物理、化學手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜。

真空鍍膜：技術原理：PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理的氣相沉積，分為：真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。我們通常所說的PVD鍍膜，指的就是真空離子鍍膜和真空濺射鍍；通常說的NCVM鍍膜，就是指真空蒸發鍍膜。真空蒸鍍基本原理：在真空條件下，使金屬、金屬合金等蒸發，然后沉積在基體表面上，蒸發的方法常用電阻加熱，電子束轟擊鍍料，使蒸發成氣相，然后沉積在基體表面，歷史上，真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術。

真空鍍膜：等離子體鍍膜：每個弧斑存在極短時間，爆發性地蒸發離化陰極改正點處的鍍料，蒸發離化后的金屬離子，在陰極表面也會產生新的弧斑，許多弧斑不斷產生和消失，所以又稱多弧蒸發。較早設計的等離子體加速器型多弧蒸發離化源，是在陰極背后配置磁場，使蒸發后的離子獲得霍爾(Hall)加速對應效應，有利于離子增大能量轟擊量體，采用這種電弧蒸發離化源鍍膜，離化率較高，所以又稱為電弧等離子體鍍膜。由于等離子體鍍膜常產生多弧斑，所以也稱多弧蒸發離化過程。真空鍍膜機模具滲碳是為了提高模具的整體強韌性，即模具的工作表面具有高的強度和耐磨性。

真空鍍膜：真空蒸發鍍膜法：真空蒸發法的原理是：在真空條件下，用蒸發源加熱蒸發材料，使之蒸發或升華進入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結晶形成固態薄膜；由于環境是真空，因此，無論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發要比常壓下容易得多。真空蒸發鍍膜是發展較早的鍍膜技術，其特點是：設備相對簡單，沉積速率快，膜層純度高，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過程可以實現連續化，應用相當普遍。按蒸發源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發、電子束蒸發、電弧蒸發和激光蒸發等。真空鍍膜中等離子體增強化學氣相沉積可在較低溫度下形成固體膜。潮州新型真空鍍膜

真空鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子轟擊靶表面,使靶材的原子或分子從表面發射出來。潮州新型真空鍍膜

真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。熱蒸發主要是三個過程：1.蒸發材料從固態轉化為氣態的過程。2.氣化原子或分子在蒸發源與基底之間的運輸 3.蒸發原子或分子在襯底表面上淀積過程，即是蒸汽凝聚、成核、核生長、形成連續薄膜的過程。潮州新型真空鍍膜

廣東省科學院半導體研究所是一家服務型類企業，積極探索行業發展，努力實現產品創新。廣東省半導體所是一家政府機構企業，一直“以人為本，服務于社會”的經營理念;“誠守信譽，持續發展”的質量方針。公司擁有專業的技術團隊，具有微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等多項業務。廣東省半導體所以創造高品質產品及服務的理念，打造高指標的服務，引導行業的發展。