真空鍍膜的方法:離子鍍:總體來(lái)說(shuō)比較常用的有:直流放電二極型、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍(ARE)、空心陰極放電離子鍍(HCD)、射頻放電離子鍍(RFIP)、增強(qiáng)的ARE型、低壓等離子型離子鍍(LP-PD)、電場(chǎng)蒸發(fā)、感應(yīng)加熱離子鍍、多弧離子鍍、電弧放電型高真空離子鍍、離化團(tuán)束鍍等。由于離子鍍膜層具有非常優(yōu)良的性能,所以越來(lái)越受到人們的重視,特別是離子鍍TiN、TiC在工具、模具的超硬鍍膜、裝飾鍍膜等領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越普遍,并將占據(jù)越來(lái)越重要的地位。在鐘表行業(yè),因?yàn)殁仧o(wú)毒無(wú)污染,與人體皮膚接觸,不會(huì)引起過(guò)敏等不良反應(yīng),在表帶上沉積一層鈦膜還能起到表面裝飾的作用,可以做成金黃、黑色、灰色、紅棕色、橙色等很多種顏色,增加美觀效果。觀察窗的玻璃較好用鉛玻璃,觀察時(shí)應(yīng)戴上鉛玻璃眼鏡,以防X射線侵害人體。惠州真空鍍膜加工
真空鍍膜:濺射鍍膜:濺射出來(lái)的粒子在飛向基體過(guò)程中易和真空室中的氣體分子發(fā)生碰撞,導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)方向隨機(jī)化,使得沉積的膜易于均勻。發(fā)展起來(lái)的規(guī)模性磁控濺射鍍膜,沉積速率較高,工藝重復(fù)性好,便于自動(dòng)化,已適當(dāng)于大型建筑裝飾鍍膜及工業(yè)材料的功能性鍍膜,如TGN-JR型用多弧或磁控濺射在卷材的泡沫塑料及纖維織物表面鍍鎳Ni及銀Ag的生產(chǎn)制備。濺射鍍膜可分為直流濺射、射頻濺射和磁控濺射,其對(duì)應(yīng)的輝光放電電壓源和控制場(chǎng)分別為高壓直流電、射頻(RF)交流電和磁控(M)場(chǎng)。惠州真空鍍膜加工真空蒸鍍是真空鍍膜技術(shù)的一種。
真空鍍膜:反應(yīng)性離子鍍:如果采用電子束蒸發(fā)源蒸發(fā),在坩堝上方加20V~100V的正偏壓。在真空室中導(dǎo)入反應(yīng)性氣體,如氮?dú)狻⒀鯕狻⒁胰病⒓淄榈确磻?yīng)性氣體代替氬氣,或在此基礎(chǔ)上混入氬氣。電子束中的高能電子可以達(dá)到幾千至幾萬(wàn)電子伏特的能量,不僅可以使鍍料熔化蒸發(fā),而且能在熔化的鍍料表面激勵(lì)出二次電子。二次電子在上方正偏壓作用下加速,與鍍料蒸發(fā)中性粒子發(fā)生碰撞而電離成離子,在工件表面發(fā)生離化反應(yīng),從而獲得氧化物(如TeO2、SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等)。其特點(diǎn)是沉積率高,工藝溫度低。
利用PECVD生長(zhǎng)的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn):1.均勻性和重復(fù)性好,可大面積成膜,適合批量生長(zhǎng)2.可在低溫下成膜,對(duì)基底要求比較低3.臺(tái)階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制,生長(zhǎng)方法階段 5.應(yīng)用范圍廣,設(shè)備簡(jiǎn)單,易于產(chǎn)業(yè)化。評(píng)價(jià)氧化硅薄膜的質(zhì)量,簡(jiǎn)單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜,腐蝕速率越慢,薄膜質(zhì)量越致密,反之,腐蝕速率越快,薄膜質(zhì)量越差。另外,沉積速率的快慢也會(huì)影響到薄膜的質(zhì)量,沉積速率過(guò)快,會(huì)導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過(guò)快,說(shuō)明薄膜質(zhì)量比較差。真空鍍膜機(jī)電磁閥是由電磁線圈和磁芯組成,是包含一個(gè)或幾個(gè)孔的閥體。
PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子,就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激發(fā)的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng),以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜,可以在器件當(dāng)中作為鈍化絕緣層,來(lái)提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的氣體為硅烷和笑氣,氮化硅薄膜主要用到的氣體為氨氣和硅烷。采用PECVD鍍膜對(duì)器件有一定的要求,因?yàn)楣に嚋囟缺容^高,所以器件需要耐高溫,高溫烘烤下不能變形。真空鍍膜是以真空技術(shù)為基礎(chǔ),利用物理或化學(xué)方法,為科學(xué)研究和實(shí)際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝。惠州真空鍍膜加工
蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。惠州真空鍍膜加工
真空蒸發(fā)鍍膜是在真空室中,加熱蒸發(fā)容器待形成薄膜的原材料,使其原子或者分子從表面氣化逸出,形成蒸汽流,入射到襯底或者基片表面,凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。真空蒸發(fā)鍍膜法,設(shè)備比較簡(jiǎn)單、容易操作、制成的薄膜純度高、質(zhì)量好、膜厚容易控制,成膜速率快,效果高。在一定溫度下,在真空當(dāng)中,蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固體或液體平衡過(guò)程中所表現(xiàn)出的壓力, 稱(chēng)為該物質(zhì)的飽和蒸氣壓。此時(shí)蒸發(fā)物表面液相、氣相處于動(dòng)態(tài)平衡,即到達(dá)液相表面的分子全部粘接而不離開(kāi),并與從液相都?xì)庀嗟姆肿訑?shù)相等。物質(zhì)的飽和蒸氣壓隨溫度的上升而增大,在一定溫度下,各種物質(zhì)的飽和蒸氣壓不相同,且具有恒定的數(shù)值。相反,一定的飽和蒸氣壓必定對(duì)應(yīng)一定的物質(zhì)的溫度。惠州真空鍍膜加工