微納加工氧化工藝是在高溫下，襯底的硅直接與O2發生反應從而生成SiO2，后續O2通過SiO2層擴散到Si/SiO2界面，繼續與Si發生反應增加SiO2薄膜的厚度，生成1個單位厚度的SiO2薄膜，需要消耗0.445單位厚度的Si襯底；相對CVD工藝而言，氧化工藝可以制作更加致密的SiO2薄膜，有利于與其他材料制作更加牢固可靠的結構層，提高MEMS器件的可靠性。同時致密的SiO2薄膜有利于提高與其它材料的濕法刻蝕選擇比，提高刻蝕加工精度，制作更加精密的MEMS器件。同時氧化工藝一般采用傳統的爐管設備來制作，成本低，產量大，一次作業100片以上，SiO2薄膜一致性也可以做到更高+/-3%以內。微納加工技術的進步推動了社會的快速發展。南通微納加工工藝流程

微納加工具有許多優勢，以下是其中的一些：低成本：微納加工技術可以實現高效、自動化的制造過程，從而降低起制造成本。相比傳統的制造技術，微納加工可以減少人工操作和材料浪費，提高生產效率和產品質量，降低其制造成本。此外，微納加工技術還可以實現批量制造，進一步降低成本。環境友好：微納加工技術可以減少對環境的污染和資源的消耗。相比傳統的制造技術，微納加工可以減少廢料的產生和能源的消耗，降低對環境的負面影響。此外，微納加工技術還可以實現材料的高效利用和循環利用，提高資源的利用效率和可持續發展能力。南通微納加工工藝流程高精度的微細結構通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光。

微納加工技術在許多領域都有廣泛的應用，下面將詳細介紹微納加工的應用領域。能源領域：微納加工技術在能源領域有著重要的應用。例如，微納加工可以用于制造微型電池、太陽能電池、燃料電池等能源器件。通過微納加工技術，可以實現能源器件的微型化、高效率和高穩定性。納米電子學：微納加工技術在納米電子學中有著廣泛的應用。例如，微納加工可以用于制造納米電子器件、納米電路、納米傳感器等。通過微納加工技術，可以實現對納米電子器件和納米電路的精確控制和制備。

在微納加工過程中，薄膜的組成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發沉積（熱蒸發、電子束蒸發）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結合的混合方法，CVD和PECVD主要用于生長氮化硅、氧化硅等介質膜。微納加工技術可以制造出更先進的醫療設備，提高醫療設備的精度和效率，同時降低成本和體積。

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術和化學氣相沉積技術。物理的氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質反應膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質的熱蒸發，或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現象，實現物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程。物理的氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。微納加工可以實現對微納系統的高度靈活和可擴展。南通微納加工工藝流程

微納加工可以實現對微納尺度的能量轉換和傳輸。南通微納加工工藝流程

“納米制造”路線圖強調了未來納米表面制造的發展。問卷調查探尋了納米表面制備所面臨的機遇。調查中提出的問題旨在獲取納米表面特征的相關信息：這種納米表面結構可以是形貌化、薄膜化的改良表面區域，也可以是具有相位調制或一定晶粒尺寸的涂層。這類結構構建于眾多固體材料表面，如金屬、陶瓷、玻璃、半導體和聚合物等。總結了調查結果與發現，并闡明了未來納米表面制造的前景。納米表面可產生自材料的消解、沉積、改性或形成過程。這導致制備出的納米表面帶有納米尺度所特有的新的化學、物理和生物特性（比如催化作用、磁性質、電性質、光學性質或抗細菌性）。在納米科學許多已有的和新興的子領域中，表面工程已經實現了從基礎科學向現實應用的轉變，比如材料科學、光學、微電子學、動力工程學、傳感系統和生物工程學等。南通微納加工工藝流程