商機(jī)詳情 -
武漢LED光刻膠國產(chǎn)廠商
來源：
發(fā)布時(shí)間：2025年06月10日
- 技術(shù)：自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品具備高分辨率（如 JT-3001 厚板光刻膠）、高感光度（如 JT-1000 負(fù)性光刻膠）及抗深蝕刻性能，部分指標(biāo)達(dá)到水平。
- 嚴(yán)苛品控：生產(chǎn)過程嚴(yán)格遵循 ISO9001 體系，材料進(jìn)口率 100%，并通過 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理確保制程穩(wěn)定性。
- 定制化服務(wù)：支持客戶需求定制，例如為特殊工藝開發(fā)光刻膠，滿足多樣化場(chǎng)景需求。
關(guān)鍵工藝流程
涂布與前烘：
? 旋涂或噴涂負(fù)性膠，厚度可達(dá)1-100μm（遠(yuǎn)厚于正性膠），前烘溫度60-90℃，去除溶劑并增強(qiáng)附著力。
曝光：
? 光源以**汞燈G線（436nm）**為主，適用于≥1μm線寬，曝光能量較高（約200-500mJ/cm2），需注意掩膜版與膠膜的貼合精度。
顯影：
? 使用有機(jī)溶劑顯影液（如二甲苯、醋酸丁酯），未曝光的未交聯(lián)膠膜溶解，曝光的交聯(lián)膠膜保留。
后處理：
? 后烘（Post-Bake）：加熱（100-150℃）進(jìn)一步固化交聯(lián)結(jié)構(gòu)，提升耐干法蝕刻或濕法腐蝕的能力。
半導(dǎo)體集成電路
? 應(yīng)用場(chǎng)景：
? 晶圓制造：正性膠為主（如ArF/EUV膠），實(shí)現(xiàn)20nm以下線寬，用于晶體管柵極、接觸孔等精細(xì)結(jié)構(gòu)；
? 封裝工藝：負(fù)性膠用于凸點(diǎn)（Bump）制造，厚膠（5-50μm）耐電鍍?nèi)芤焊g。
? 關(guān)鍵要求：高分辨率、低缺陷率、耐極端工藝（如150℃以上高溫、等離子體轟擊）。
印刷電路板（PCB）
? 應(yīng)用場(chǎng)景：
? 線路成像：負(fù)性膠（如環(huán)化橡膠膠）用于雙面板/多層板外層線路，線寬≥50μm，耐堿性蝕刻液（如氯化銅）；
? 阻焊層：厚負(fù)性膠（50-100μm）覆蓋非焊盤區(qū)域，耐260℃焊接溫度和助焊劑腐蝕；
? 撓性PCB（FPC）：正性膠用于精細(xì)線路（線寬≤20μm），需耐彎曲應(yīng)力。
? 優(yōu)勢(shì)：工藝簡(jiǎn)單、成本低，適合大面積基板（如1.2m×1.0m的PCB基板）。
平板顯示
? 應(yīng)用場(chǎng)景：
? 彩色濾光片：正性膠制作黑矩陣（BM）和RGB色阻間隔層，耐UV固化和濕法蝕刻（如HF溶液）；
? OLED像素定義：負(fù)性膠形成像素開口（孔徑5-50μm），耐有機(jī)溶劑（如OLED蒸鍍前的清洗液）；
? 觸控面板：正性膠制作透明電極（如ITO線路），線寬≤10μm，需透光率＞90%。
? 關(guān)鍵參數(shù)：高透光性、低收縮率（避免圖案變形）。
納米級(jí)圖案化的主要工具。武漢LED光刻膠國產(chǎn)廠商
市場(chǎng)拓展
? 短期目標(biāo)：2025年前實(shí)現(xiàn)LCD光刻膠國內(nèi)市占率10%，半導(dǎo)體負(fù)性膠進(jìn)入中芯國際、華虹供應(yīng)鏈，納米壓印膠完成臺(tái)積電驗(yàn)證。
? 長期愿景：成為全球的半導(dǎo)體材料方案提供商，2030年芯片光刻膠營收占比超40%，布局EUV光刻膠和第三代半導(dǎo)體材料。
. 政策與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
? 受益于廣東省“強(qiáng)芯工程”和東莞市10億元半導(dǎo)體材料基金，獲設(shè)備采購補(bǔ)貼（30%）和稅收減免，加速KrF/ArF光刻膠研發(fā)。
? 與松山湖材料實(shí)驗(yàn)室、華為終端建立聯(lián)合研發(fā)中心，共同攻關(guān)光刻膠關(guān)鍵技術(shù)，縮短客戶驗(yàn)證周期（目前平均12-18個(gè)月）。
. 挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)
? 技術(shù)壁壘：ArF/EUV光刻膠仍依賴進(jìn)口，計(jì)劃2026年建成中試線，突破分辨率和靈敏度瓶頸（目標(biāo)曝光劑量<10mJ/cm2）。
? 供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)：部分原材料（如樹脂）進(jìn)口占比超60%，正推進(jìn)“國產(chǎn)替代計(jì)劃”，與鼎龍股份、久日新材建立戰(zhàn)略合作為原材料供應(yīng)。
武漢LED光刻膠國產(chǎn)廠商
標(biāo)簽：
錫膏
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