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上海高溫光刻膠感光膠
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發布時間：2025年06月21日
國產替代進程加速
日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產能受限后，國內企業加速驗證本土產品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產線2024年12月獲兩家大廠百萬大單，二期300噸生產線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數接近日本UV1610，已通過中芯國際14nm工藝驗證。預計到2025年，國內KrF/ArF光刻膠國產化率將從不足5%提升至10%。
原材料國產化突破
光刻膠樹脂占成本50%-60%，八億時空的光刻膠樹脂產線預計2025年實現百噸級量產，其產品純度達到99.999%，金屬雜質含量低于1ppb。怡達股份作為全球電子級PM溶劑前段（市占率超40%），與南大光電合作開發配套溶劑，打破了日本關東化學的壟斷。這些進展使光刻膠生產成本降低約20%。
供應鏈風險緩解
合肥海關通過“空中專線”保障光刻膠運輸，將進口周期從28天縮短至17天，碳排放減少18%。國內在建12座光刻膠工廠（占全球總數58%），預計2025年產能達3000噸/年，較2023年增長150%。
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廣東吉田半導體材料有限公司的產品體系豐富且功能強大。
在光刻膠領域，芯片光刻膠為芯片制造中的精細光刻環節提供關鍵支持，確保芯片線路的精細刻畫；
納米壓印光刻膠適用于微納加工，助力制造超精細的微納結構；
LCD 光刻膠則滿足液晶顯示面板生產過程中的光刻需求，保障面板成像質量。
在電子焊接方面，半導體錫膏與焊片性能，能實現可靠的電氣連接，廣泛應用于各類電子設備組裝。
靶材產品在材料濺射沉積工藝中發揮關鍵作用，通過精細控制材料沉積，為半導體器件制造提供高質量的薄膜材料。憑借出色品質，遠銷全球，深受眾多世界 500 強企業和電子加工企業青睞 。 PCB廠商必看！這款G-line光刻膠讓生產成本直降30%。
技術優勢：23年研發沉淀與細分領域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發中實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系，實現了3μm的分辨率，適用于MEMS傳感器、光學器件等領域。
技術壁壘：公司擁有23年光刻膠研發經驗，掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術，部分原材料純度達PPT級。
細分領域技術先進
? 納米壓印光刻膠：在納米級圖案化領域（如量子點顯示、生物芯片）實現技術突破，分辨率達3μm，填補國內空缺。
? LCD光刻膠：針對顯示面板行業需求，開發出高感光度、高對比度的光刻膠，適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術。
研發投入與合作
公司2018年獲高新技術性企業認證，與新材料領域同伴們合作開發半導體光刻膠，計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發。
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技術研發：從配方到工藝的經驗壁壘
配方設計的“黑箱效應”
光刻膠配方涉及成百上千種成分的排列組合，需通過數萬次實驗優化。例如，ArF光刻膠需在193nm波長下實現0.1μm分辨率，其光酸產率、熱穩定性等參數需精確匹配光刻機性能。日本企業通過數十年積累形成的配方數據庫，國內企業短期內難以突破。
工藝控制的極限挑戰
光刻膠生產需在百級超凈車間進行，金屬離子含量需控制在1ppb以下。國內企業在“吸附—重結晶—過濾—干燥”耦合工藝上存在技術短板，導致產品批次一致性差。例如，恒坤新材的KrF光刻膠雖通過12英寸產線驗證，但量產良率較日本同類型產品低約15%。
EUV光刻膠的“代際鴻溝”
EUV光刻膠需在13.5nm波長下工作，傳統有機光刻膠因吸收效率低、熱穩定性差面臨淘汰。國內企業如久日新材雖開發出EUV光致產酸劑，但金屬氧化物基光刻膠（如氧化鋅）的納米顆粒分散技術尚未突破，導致分辨率只達10nm，而國際水平已實現5nm。
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