技術挑戰(zhàn)
光刻膠作為半導體、顯示面板等高級制造的材料,其技術挑戰(zhàn)主要集中在材料性能優(yōu)化、制程精度匹配、復雜環(huán)境適應性以及產業(yè)自主化突破等方面
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? 高分辨率:隨著半導體制程向3nm、2nm推進,需開發(fā)更高精度的EUV光刻膠,解決光斑擴散、線寬控制等問題。
? 靈敏度與穩(wěn)定性:平衡感光速度和圖案抗蝕能力,適應極紫外光(13.5nm)的低能量曝光。
? 國產化替代:目前光刻膠(如EUV、ArF浸沒式)長期被日本、美國企業(yè)壟斷,國內正加速研發(fā)突破。
光刻膠的性能直接影響芯片制造的良率和精度,是支撐微電子產業(yè)的“卡脖子”材料之一。
關鍵應用領域
半導體制造:
? 在晶圓表面涂覆光刻膠,通過掩膜曝光、顯影,刻蝕出晶體管、電路等納米級結構(如EUV光刻膠用于7nm以下制程)。
印刷電路板(PCB):
? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層,制作線路和焊盤。
顯示面板(LCD/OLED):
? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等。
微機電系統(tǒng)(MEMS):
? 加工微結構(如傳感器、執(zhí)行器)。
工作原理(以正性膠為例)
1. 涂膠:在基材(如硅片)表面均勻旋涂光刻膠,烘干形成薄膜。
2. 曝光:通過掩膜版,用特定波長光線照射,曝光區(qū)域的光敏劑分解,使樹脂變得易溶于顯影液。
3. 顯影:用顯影液溶解曝光區(qū)域,留下未曝光的光刻膠圖案,作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層。
4. 后續(xù)工藝:刻蝕基材(保留未被光刻膠保護的區(qū)域),或去除光刻膠(剝離工藝)。
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差異化競爭策略
在高級市場(如ArF浸沒式光刻膠),吉田半導體采取跟隨式創(chuàng)新,通過優(yōu)化現(xiàn)有配方(如提高酸擴散抑制效率)逐步縮小與國際巨頭的差距;在中低端市場(如PCB光刻膠),則憑借性價比優(yōu)勢(價格較進口產品低20%-30%)快速搶占份額,2023年PCB光刻膠市占率突破10%。
前沿技術儲備
公司設立納米材料研發(fā)中心,重點攻關分子玻璃光刻膠和金屬有機框架(MOF)光刻膠,目標在5年內實現(xiàn)EUV光刻膠的實驗室級突破。此外,其納米壓印光刻膠已應用于3D NAND存儲芯片的孔陣列加工,分辨率達10nm,為國產存儲廠商提供了替代方案。
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。
厚板光刻膠:JT-3001 型號,具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。
負性光刻膠
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SU-3 負性光刻膠:分辨率優(yōu)異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應,重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
正性光刻膠
松山湖企業(yè)深耕光刻膠領域二十載,提供全系列半導體材料解決方案。
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LCD 正性光刻膠 YK-200:具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力,重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝,確保 LCD 生產中圖形精確轉移和良好涂布效果。
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半導體正性光刻膠 YK-300:具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g。主要用于半導體制造工藝,滿足半導體器件對光刻膠在化學穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。
廣東吉田半導體材料有限公司憑借技術創(chuàng)新與質量優(yōu)勢,在半導體材料行業(yè)占據(jù)重要地位。公司聚焦光刻膠、電子膠、錫膏等產品,其中納米壓印光刻膠可耐受 250℃高溫及強酸強堿環(huán)境,適用于高精度納米結構制造;LCD 光刻膠以高穩(wěn)定性和精細度成為顯示面板行業(yè)的推薦材料。此外,公司還提供焊片、靶材等配套材料,滿足客戶多元化需求。
在技術層面,吉田半導體通過自主研發(fā)與國際合作結合,持續(xù)優(yōu)化生產工藝,實現(xiàn)全流程自動化控制。其生產基地配備先進設備,并嚴格執(zhí)行國際標準,確保產品性能達到國際水平。同時,公司注重人才培養(yǎng)與引進,匯聚化工、材料學等領域的專業(yè)團隊,為技術創(chuàng)新提供堅實支撐。未來,吉田半導體將繼續(xù)以 “中國前列半導體材料方案提供商” 為愿景,推動行業(yè)技術升級與國產化進程。
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產品優(yōu)勢:多元化布局與專業(yè)化延伸
全品類覆蓋
吉田產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等,形成“光刻膠+配套材料”的完整產品線。例如:
? 芯片光刻膠:覆蓋i線、g線光刻膠,適用于6英寸、8英寸晶圓制造。
? 納米壓印光刻膠:用于MEMS、光學器件等領域,替代傳統(tǒng)光刻工藝。
專業(yè)化延伸
公司布局半導體用KrF光刻膠,計劃2025年啟動研發(fā),目標進入中芯國際、長江存儲等晶圓廠供應鏈。
質量與生產優(yōu)勢:嚴格品控與自動化生產
ISO認證與全流程管控
公司通過ISO9001:2008質量體系認證,生產環(huán)境執(zhí)行8S管理,原材料采用美、德、日進口高質量材料,確保產品批次穩(wěn)定性。
質量指標:光刻膠金屬離子含量低于0.1ppb,良率超99%。
自動化生產能力
擁有行業(yè)前列的全自動化生產線,年產能達2000噸(光刻膠及配套材料),支持大規(guī)模訂單交付。
北京紫外光刻膠工廠