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商機詳情 -

山西納米壓印光刻膠供應(yīng)商

來源: 發(fā)布時間:2025年05月27日

定義與特性

正性光刻膠是一種在曝光后,曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案一致的圖形。與負性光刻膠(未曝光區(qū)域溶解)相比,其優(yōu)勢是分辨率高、圖案邊緣清晰,是半導體制造(尤其是制程)的主流選擇。

化學組成與工作原理

 主要成分

? 樹脂(成膜劑):

? 傳統(tǒng)正性膠:采用**酚醛樹脂(Novolak)與重氮萘醌(DNQ,光敏劑)**的復合體系(PAC體系),占比約80%-90%。

? 化學增幅型(用于DUV/EUV):含環(huán)化烯烴樹脂或含氟聚合物,搭配光酸發(fā)生器(PAG),通過酸催化反應(yīng)提高感光度和分辨率。

? 溶劑:溶解樹脂和感光劑,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。

? 添加劑:表面活性劑(改善涂布均勻性)、穩(wěn)定劑(防止暗反應(yīng))、堿溶解度調(diào)節(jié)劑等。

 工作原理

? 曝光前:光敏劑(如DNQ)與樹脂結(jié)合,形成不溶于堿性顯影液的復合物。

? 曝光時:

? 傳統(tǒng)PAC體系:DNQ在紫外光(G線436nm、I線365nm)照射下發(fā)生光分解,生成羧酸,使曝光區(qū)域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強。

? 化學增幅型:PAG在DUV/EUV光下產(chǎn)生活性酸,催化樹脂發(fā)生脫保護反應(yīng),大幅提高顯影速率(靈敏度提升10倍以上)。

? 顯影后:曝光區(qū)域溶解去除,未曝光區(qū)域保留,形成正性圖案。
光刻膠技術(shù)突破加速,對芯片制造行業(yè)有哪些影響?山西納米壓印光刻膠供應(yīng)商

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 晶圓制造(前道工藝)

? 功能:在硅片表面形成高精度電路圖形,是光刻工藝的主要材料。

? 細分場景:

? 邏輯/存儲芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠(分辨率0.25-1μm)、14nm以下先進制程的ArF浸沒式光刻膠(分辨率≤45nm),以及極紫外(EUV)光刻膠(目標7nm以下,研發(fā)中)。

? 功率半導體(如IGBT):使用厚膜光刻膠(膜厚5-50μm),滿足深溝槽刻蝕需求。

? MEMS傳感器:通過高深寬比光刻膠(如SU-8)實現(xiàn)微米級結(jié)構(gòu)(如加速度計、陀螺儀的懸臂梁)。

 芯片封裝(后道工藝)

? 先進封裝技術(shù):

? Flip Chip(倒裝芯片):用光刻膠形成凸點(Bump)下的 Redistribution Layer(RDL),線寬精度要求≤10μm。

? 2.5D/3D封裝:在硅通孔(TSV)工藝中,光刻膠用于定義通孔開口(直徑5-50μm)。

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廣東吉田半導體材料有限公司成立于 2023 年,總部位于東莞松山湖經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū),注冊資本 2000 萬元。作為高新企業(yè)和廣東省專精特新企業(yè),公司專注于半導體材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、LCD 光刻膠、納米壓印光刻膠、半導體錫膏、焊片及靶材等領(lǐng)域。其光刻膠產(chǎn)品以高分辨率、耐蝕刻性和環(huán)保特性著稱,廣泛應(yīng)用于芯片制造、顯示面板及精密電子元件生產(chǎn)。

公司依托 23 年行業(yè)經(jīng)驗積累,構(gòu)建了完整的技術(shù)研發(fā)體系,擁有全自動化生產(chǎn)設(shè)備及多項技術(shù)。原材料均選用美國、德國、日本進口的材料,并通過 ISO9001:2008 質(zhì)量管理體系認證,生產(chǎn)流程嚴格執(zhí)行 8S 現(xiàn)場管理標準,確保產(chǎn)品穩(wěn)定性與一致性。目前,吉田半導體已與多家世界 500 強企業(yè)及電子加工企業(yè)建立長期合作,產(chǎn)品遠銷全球市場,致力于成為半導體材料領(lǐng)域的企業(yè)。

吉田半導體突破光刻膠共性難題,提升行業(yè)生產(chǎn)效率,通過優(yōu)化材料配方與工藝,吉田半導體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題,助力客戶降本增效。
針對傳統(tǒng)光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴重等問題,吉田半導體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產(chǎn)品高 8%,密集圖形側(cè)壁垂直度達標率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯(lián)技術(shù),在顯影過程中減少有機溶劑對有機半導體的損傷,使芯片良率提升至 99.8%。這些技術(shù)突破有效降低客戶生產(chǎn)成本,推動行業(yè)生產(chǎn)效率提升。負性光刻膠生產(chǎn)廠家。

山西納米壓印光刻膠供應(yīng)商,光刻膠

作為深耕半導體材料領(lǐng)域二十余年的綜合性企業(yè),廣東吉田半導體材料有限公司始終將環(huán)保理念融入產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)全流程。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群,依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢,持續(xù)推出符合國際環(huán)保標準的半導體材料解決方案。

公司在錫膏、焊片等產(chǎn)品中采用無鹵無鉛配方,嚴格遵循 RoHS 指令要求,避免使用有害物質(zhì)。以錫膏為例,其零鹵素配方通過第三方機構(gòu)認證,不僅減少了電子產(chǎn)品廢棄后的環(huán)境負擔,還提升了焊接可靠性,適用于新能源汽車、精密電子設(shè)備等領(lǐng)域。同時,納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產(chǎn)過程中,公司通過優(yōu)化原料配比,減少揮發(fā)性有機物(VOCs)排放,確保產(chǎn)品符合歐盟 REACH 法規(guī)。

感光膠的工藝和應(yīng)用。大連油性光刻膠多少錢

產(chǎn)業(yè)鏈配套:原材料與設(shè)備協(xié)同發(fā)展。山西納米壓印光刻膠供應(yīng)商

主要應(yīng)用場景

 印刷電路板(PCB):

? 通孔/線路加工:負性膠厚度可達20-50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化鐵、堿性氯化銅),適合制作大尺寸線路(線寬/線距≥50μm),如雙面板、多層板的外層電路。

? 阻焊層:作為絕緣保護層,覆蓋非焊盤區(qū)域,需厚膠(50-100μm)和高耐焊接溫度(260℃以上),負性膠因工藝簡單、成本低而廣泛應(yīng)用。

 微機電系統(tǒng)(MEMS):

? 深硅蝕刻(DRIE):負性膠作為蝕刻掩膜,厚度可達100μm以上,耐SF?等強腐蝕性氣體,用于制作加速度計、陀螺儀的高深寬比結(jié)構(gòu)(深寬比>20:1)。

? 模具制造:在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具,利用負性膠的厚膠成型能力。

 平板顯示(LCD):

? 彩色濾光片(CF)基板預處理:在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層,耐濕法蝕刻(如HF溶液),確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布。

 功率半導體與分立器件:

? IGBT、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻:負性膠用于制作較寬的隔離溝槽(寬度>10μm),耐高濃度酸堿蝕刻,降低工藝成本。
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標簽: 錫膏
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