廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,各有特性與優(yōu)勢,適用于不同領(lǐng)域。
LCD 正性光刻膠 YK - 200:具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力的特點,重量 100g。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝,能確保 LCD 生產(chǎn)過程中圖形的精確轉(zhuǎn)移和良好的涂布效果。
半導體正性光刻膠 YK - 300:具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g。主要用于半導體制造工藝,滿足半導體器件對光刻膠在化學穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。
耐腐蝕負性光刻膠 JT - NF100:重量 1L,具有耐腐蝕的特性,適用于在有腐蝕風險的光刻工藝中,比如一些特殊環(huán)境下的半導體加工或電路板制造。
光刻膠半導體領(lǐng)域的應用。蘇州光刻膠品牌
光刻膠的主要應用領(lǐng)域
光刻膠是微電子制造的主要材料,廣泛應用于以下領(lǐng)域:
半導體制造
? 功能:在晶圓表面形成微細電路圖案,作為蝕刻或離子注入的掩膜。
? 分類:
? 正性光刻膠:曝光區(qū)域溶解于顯影液,形成與掩膜版一致的圖案(主流,分辨率高)。
? 負性光刻膠:未曝光區(qū)域溶解,形成反向圖案(用于早期工藝,耐蝕刻性強)。
? 技術(shù)演進:隨制程精度提升,需匹配不同曝光波長(紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV),例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示(LCD/OLED)
? 彩色濾光片(CF):在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元,光刻膠用于圖案化黑矩陣(BM)、彩色層(R/G/B)和保護層。
? 電極圖案:制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極,需高透光率和精細邊緣控制。
印刷電路板(PCB)
? 線路蝕刻:在覆銅板上涂膠,曝光顯影后保留線路區(qū)域,蝕刻去除未保護的銅箔,形成導電線路。
? 阻焊與字符層:阻焊膠覆蓋非線路區(qū)域,防止短路;字符膠用于印刷電路板標識。
LED與功率器件
? 芯片制造:在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結(jié)構(gòu),需耐高功率環(huán)境的耐高溫光刻膠。
? Micro-LED:微米級芯片轉(zhuǎn)移和陣列化,依賴超高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)。
上海厚膜光刻膠品牌半導體材料方案選吉田,歐盟 REACH 合規(guī),24 小時技術(shù)支持!
正性光刻膠
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半導體分立器件制造:對于二極管、三極管等半導體分立器件,正性光刻膠可實現(xiàn)精細的圖形化加工,滿足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時,正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對比度,能精確刻畫器件的結(jié)構(gòu),提高器件性能。
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微機電系統(tǒng)(MEMS)制造:MEMS 器件如加速度計、陀螺儀等,結(jié)構(gòu)復雜且尺寸微小。正性光刻膠用于 MEMS 制造過程中的光刻步驟,可在硅片等材料上制作出高精度的微結(jié)構(gòu),確保 MEMS 器件的功能實現(xiàn)。
技術(shù)優(yōu)勢:23年研發(fā)沉淀與細分領(lǐng)域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發(fā)中實現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系,實現(xiàn)了3μm的分辨率,適用于MEMS傳感器、光學器件等領(lǐng)域。
技術(shù)壁壘:公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗,掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術(shù),部分原材料純度達PPT級。
細分領(lǐng)域技術(shù)先進
? 納米壓印光刻膠:在納米級圖案化領(lǐng)域(如量子點顯示、生物芯片)實現(xiàn)技術(shù)突破,分辨率達3μm,填補國內(nèi)空缺。
? LCD光刻膠:針對顯示面板行業(yè)需求,開發(fā)出高感光度、高對比度的光刻膠,適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù)。
研發(fā)投入與合作
公司2018年獲高新技術(shù)性企業(yè)認證,與新材料領(lǐng)域同伴們合作開發(fā)半導體光刻膠,計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發(fā)。
東莞光刻膠廠家哪家好?
吉田半導體助力區(qū)域經(jīng)濟,構(gòu)建半導體材料生態(tài)圈,發(fā)揮企業(yè)作用,吉田半導體聯(lián)合上下游資源,推動東莞松山湖半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新。
作為松山湖產(chǎn)業(yè)集群重要成員,吉田半導體聯(lián)合光刻機制造商、光電子企業(yè)共建材料生態(tài)圈。公司通過技術(shù)輸出與資源共享,幫助本地企業(yè)提升工藝水平,促進產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。例如,與華中科技大學合作研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠,極限分辨率 120nm,工藝寬容度優(yōu)于日本信越同類產(chǎn)品,已實現(xiàn)量產(chǎn)并出口東南亞,為區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展注入新動能。LCD 光刻膠供應商哪家好?吉田半導體高分辨率 + 低 VOC 配方!廣州LCD光刻膠國產(chǎn)廠商
正性光刻膠生產(chǎn)廠家。蘇州光刻膠品牌
納米電子器件制造
? 半導體芯片:在22nm以下制程中,EUV光刻膠(分辨率≤10nm)用于制備晶體管柵極、納米導線等關(guān)鍵結(jié)構(gòu),實現(xiàn)芯片集成度提升(如3nm制程的FinFET/GAA晶體管)。
? 二維材料器件:在石墨烯、二硫化鉬等二維材料表面,通過電子束光刻膠定義納米電極陣列,構(gòu)建單原子層晶體管或傳感器。
納米光子學與超材料
? 光子晶體與波導:利用光刻膠制備亞波長周期結(jié)構(gòu)(如光子晶體光纖、納米級波導彎頭),調(diào)控光的傳播路徑,用于集成光路或量子光學器件。
? 超材料設計:在金屬/介質(zhì)基底上刻蝕納米級“魚網(wǎng)狀”“蝴蝶結(jié)”等圖案(如太赫茲超材料),實現(xiàn)對電磁波的超常調(diào)控(吸收、偏振轉(zhuǎn)換)。
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