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杭州UV納米光刻膠廠家
來源：
發布時間：2025年05月22日
定義與特性
負性光刻膠是一種在曝光后，未曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比，其主要特點是耐蝕刻性強、工藝簡單、成本低，但分辨率較低（通常≥1μm），主要應用于對精度要求相對較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場景。
化學組成與工作原理
主要成分
基體樹脂：
? 早期以聚異戊二烯橡膠（天然或合成）為主，目前常用環化橡膠（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯，提供膠膜的機械強度和耐蝕刻性。
光敏劑：
? 主要為雙疊氮化合物（如雙疊氮芪）或重氮醌類衍生物，占比約5%-10%，吸收紫外光后引發交聯反應。
交聯劑：
? 如六亞甲基四胺（烏洛托品），在曝光后與樹脂發生交聯，形成不溶性網狀結構。
溶劑：
? 多為有機溶劑（如二甲苯、環己酮），溶解樹脂和光敏劑，涂布后揮發形成均勻膠膜。
工作原理
曝光前：光敏劑和交聯劑均勻分散在樹脂中，膠膜可溶于顯影液（有機溶劑）。
曝光時：
? 光敏劑吸收紫外光（G線436nm為主）后產生活性自由基，引發交聯劑與樹脂分子間的共價鍵交聯，使曝光區域形成不溶于顯影液的三維網狀結構。
顯影后：
? 未曝光區域的樹脂因未交聯，被顯影液溶解去除，曝光區域保留，形成負性圖案（與掩膜版相反）。
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市場與客戶優勢：全球化布局與頭部客戶合作
全球客戶網絡
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區域市場深耕
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產業鏈配套優勢：原材料與設備協同
主要原材料自主化
公司自主生產光刻膠樹脂、光引發劑，降低對進口依賴，成本較國際競品低20%。
設備與工藝協同
與國內涂膠顯影設備廠商合作，開發適配國產設備的光刻膠配方，提升工藝兼容性。
產業鏈配套：原材料與設備協同發展。杭州UV納米光刻膠廠家
吉田半導體 SU-3 負性光刻膠：國產技術賦能 5G 芯片封裝
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標簽：
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