技術趨勢與挑戰
半導體先進制程:
? EUV光刻膠需降低缺陷率(目前每平方厘米缺陷數<10個),開發低粗糙度(≤5nm)材料;
? 極紫外吸收問題:膠膜對13.5nm光吸收率高,需厚度控制在50-100nm,挑戰化學增幅體系的靈敏度。
環保與低成本:
? 水性負性膠替代溶劑型膠(如PCB阻焊膠),減少VOC排放;
? 單層膠工藝替代多層膠,簡化流程(如MEMS厚膠的一次性涂布)。
新興領域拓展:
? 柔性電子:開發耐彎曲(曲率半徑<5mm)、低模量感光膠,用于可穿戴設備電路;
? 光子芯片:高折射率膠(n>1.8)制作光波導,需低傳輸損耗(<0.1dB/cm)。
典型產品與廠商
? 半導體正性膠:
? 日本信越(Shin-Etsu)的ArF膠(分辨率22nm,用于12nm制程);
? 美國陶氏(Dow)的EUV膠(靈敏度10mJ/cm2,缺陷密度<5個/cm2)。
? PCB負性膠:
? 中國容大感光(LP系列):耐堿性蝕刻,厚度20-50μm,國產化率超60%;
? 日本東京應化(TOK)的THMR-V:全球PCB膠市占率30%,適用于高可靠性汽車板。
? MEMS厚膠:
? 美國陶氏的SU-8:實驗室常用,厚度5-200μm,分辨率1μm(需優化交聯均勻性);
? 德國Microresist的MR膠:耐深硅蝕刻,線寬精度±2%,用于工業級MEMS制造。
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? 化學反應:
? 正性膠:曝光后光敏劑(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在堿性顯影液中溶解;
? 負性膠:曝光后光敏劑引發交聯劑與樹脂形成不溶性網狀結構。
5. 顯影(Development)
? 顯影液:
? 正性膠:堿性水溶液(如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH),溶解曝光區域;
? 負性膠:有機溶劑(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光區域。
? 方法:噴淋顯影(PCB)或沉浸式顯影(半導體),時間30秒-2分鐘,需控制顯影液濃度和溫度。
6. 后烘(Post-Bake)
? 目的:固化膠膜,提升耐蝕刻性和熱穩定性。
? 條件:
? 溫度:100-150℃(半導體用正性膠可能更高,如180℃);
? 時間:15-60分鐘(厚膠或高耐蝕需求時延長)。
7. 蝕刻/離子注入(后續工藝)
? 蝕刻:以膠膜為掩膜,通過濕法(酸堿溶液)或干法(等離子體)刻蝕基板材料(如硅、金屬、玻璃);
? 離子注入:膠膜保護未曝光區域,使雜質離子只能注入曝光區域(半導體摻雜工藝)。
8. 去膠(Strip)
? 方法:
? 濕法去膠:強氧化劑(如硫酸+雙氧水)或有機溶劑(如N-甲基吡咯烷酮NMP);
? 干法去膠:氧等離子體灰化(半導體領域,無殘留)。
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行業地位與競爭格局
1. 國際對比
? 技術定位:聚焦細分市場(如納米壓印、LCD),而國際巨頭(如JSR、東京應化)主導半導體光刻膠(ArF、EUV)。
? 成本優勢:原材料自主化率超80%,成本低20%;國際巨頭依賴進口原材料,成本較高。
? 客戶響應:48小時內提供定制化解決方案,認證周期為國際巨頭的1/5。
2. 國內競爭
國內光刻膠市場仍由日本企業壟斷(全球市占率超60%),但吉田在納米壓印、LCD光刻膠等領域具備替代進口的潛力。與南大光電、晶瑞電材等企業相比,吉田在細分市場的技術積累更深厚,但ArF、EUV光刻膠仍需突破。
風險與挑戰
技術瓶頸:ArF、EUV光刻膠仍依賴進口,研發投入不足國際巨頭的1/10。
客戶認證周期:半導體光刻膠需2-3年驗證,吉田尚未進入主流晶圓廠供應鏈。
供應鏈風險:部分樹脂(如ArF用含氟樹脂)依賴日本住友電木。
行業競爭加劇:國內企業如南大光電、晶瑞電材加速技術突破,可能擠壓吉田的市場份額。
憑借多年研發積累,公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領域的豐富產品線。在焊接材料方面,不僅提供常規錫膏、助焊膏,還針對特殊場景開發了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產品,滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時,感光膠系列產品分為水性與油性兩類,兼具耐潮性與易操作性,廣泛應用于印刷電路板制造。
公司產品遠銷全球,并與多家跨國企業及電子加工企業建立長期合作關系。通過在重點區域設立辦事處,提供快速響應的技術支持與售后服務。依托東莞 “世界工廠” 的產業資源,公司強化供應鏈協同,縮短交付周期,為客戶提供高效解決方案。
未來,廣東吉田半導體材料有限公司將繼續深化技術創新,拓展產品應用領域,以可靠的產品與專業的服務,持續鞏固其在半導體材料行業的重要地位。
政策支持:500億加碼產業鏈。
技術驗證周期長
半導體光刻膠的客戶驗證周期通常為2-3年,需經歷PRS(性能測試)、STR(小試)、MSTR(批量驗證)等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證,預計2025年才能進入穩定供貨階段。
原材料依賴仍存
樹脂和光酸仍依賴進口,如KrF光刻膠樹脂的單體國產化率不足10%。國內企業需在“吸附—重結晶—過濾—干燥”耦合工藝等關鍵技術上持續突破。
未來技術路線
? 金屬氧化物基光刻膠:氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現出更高分辨率和穩定性,清華大學團隊已實現5nm線寬的原型驗證。
? 電子束光刻膠:中科院微電子所開發的聚酰亞胺基電子束光刻膠,分辨率達1nm,適用于量子芯片制造。
? AI驅動材料設計:華為與中科院合作,利用機器學習優化光刻膠配方,研發周期縮短50%。
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制版光刻膠應用場景:印刷電路板(FPC)、觸摸屏(TP)的掩膜版制作,以及光學元件(如衍射光柵)的微納加工。特點:高分辨率與耐化學性,確保模板的長期使用壽命。
水性光刻膠(JT-1200)應用場景:環保要求高的電子元件(如醫療設備、汽車電子)的制造,以及柔性電路的生產。特點:以水為溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 環保標準。
水油兩用光刻膠(JT-2001/SR-3308)適用于混合工藝場景(如部分環節需水性顯影,部分需溶劑顯影),提升生產靈活性。
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