主要優勢:細分領域技術突破與產業鏈協同
技術積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發經驗,實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系,分辨率達3μm,適用于MEMS傳感器、光學器件等領域,填補了國內空白。
技術壁壘:掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術,部分原材料純度達PPT級,金屬離子含量低于0.1ppb,良率超99%。
產品多元化與技術化布局
產品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等,形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如:
? LCD光刻膠:適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術,與京東方、TCL華星合作開發高分辨率產品,良率提升至98%。
? 半導體錫膏:供應華為、OPPO等企業,年采購量超200噸,用于5G手機主板封裝。
技術化延伸:計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發,目標進入中芯國際、長江存儲供應鏈。
質量控制與生產能力
通過ISO9001:2008質量體系認證,生產環境執行8S管理,原材料采用美、德、日進口高質量材料。擁有全自動化生產線,年產能達2000噸(光刻膠及配套材料),支持大規模訂單交付。
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全品類覆蓋
吉田半導體產品線涵蓋正性 / 負性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等,覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領域需求,技術布局全面性于多數國內廠商。
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關鍵技術突破
納米壓印技術:JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達 250℃,支持納米級精度圖案復制,適用于第三代半導體(GaN/SiC)及 Mini LED 等新興領域,技術指標接近國際先進水平。
水性環保配方:JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統有機溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 標準,環保性能優于同類產品。
厚膜工藝能力:JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控(達數十微米),滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
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制版光刻膠應用場景:印刷電路板(FPC)、觸摸屏(TP)的掩膜版制作,以及光學元件(如衍射光柵)的微納加工。特點:高分辨率與耐化學性,確保模板的長期使用壽命。
水性光刻膠(JT-1200)應用場景:環保要求高的電子元件(如醫療設備、汽車電子)的制造,以及柔性電路的生產。特點:以水為溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 環保標準。
水油兩用光刻膠(JT-2001/SR-3308)適用于混合工藝場景(如部分環節需水性顯影,部分需溶劑顯影),提升生產靈活性。
產品優勢:多元化布局與專業化延伸
全品類覆蓋
吉田產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等,形成“光刻膠+配套材料”的完整產品線。例如:
? 芯片光刻膠:覆蓋i線、g線光刻膠,適用于6英寸、8英寸晶圓制造。
? 納米壓印光刻膠:用于MEMS、光學器件等領域,替代傳統光刻工藝。
專業化延伸
公司布局半導體用KrF光刻膠,計劃2025年啟動研發,目標進入中芯國際、長江存儲等晶圓廠供應鏈。
質量與生產優勢:嚴格品控與自動化生產
ISO認證與全流程管控
公司通過ISO9001:2008質量體系認證,生產環境執行8S管理,原材料采用美、德、日進口高質量材料,確保產品批次穩定性。
質量指標:光刻膠金屬離子含量低于0.1ppb,良率超99%。
自動化生產能力
擁有行業前列的全自動化生產線,年產能達2000噸(光刻膠及配套材料),支持大規模訂單交付。
吉田半導體全系列產品覆蓋,滿足多元化需求。
吉田半導體水性感光膠 JT-1200:水油兼容,鋼片加工精度 ±5μm
JT-1200 水性感光膠解決鋼片加工難題,提升汽車電子部件制造精度。
針對汽車電子鋼片加工需求,吉田半導體研發的 JT-1200 水性感光膠實現水油兼容性達 100%,加工精度 ±5μm。其高粘接強度與耐強酸強堿特性,確保復雜結構的長期可靠性。其涂布性能優良,易做精細網點,適用于安全氣囊傳感器、車載攝像頭模組等精密部件。產品通過 IATF 16949 汽車行業認證,生產過程嚴格控制金屬離子含量,確保電子產品可靠性。
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工藝流程
? 目的:去除基板表面油污、顆粒,增強感光膠附著力。
? 方法:
? 化學清洗(硫酸/雙氧水、去離子水);
? 表面處理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化處理)。
涂布(Coating)
? 方式:
? 旋涂:半導體/顯示領域,厚度控制精確(納米至微米級),轉速500-5000rpm;
? 噴涂/輥涂:PCB/MEMS領域,適合大面積或厚膠(微米至百微米級,如負性膠可達100μm)。
? 關鍵參數:膠液黏度、涂布速度、基板溫度(影響厚度均勻性)。
前烘(Soft Bake)
? 目的:揮發溶劑,固化膠膜,增強附著力和穩定性。
? 條件:
? 溫度:60-120℃(正性膠通常更低,如90℃;負性膠可至100℃以上);
? 時間:5-30分鐘(根據膠厚調整,厚膠需更長時間)。
曝光(Exposure)
? 光源:
? 紫外光(UV):G線(436nm)、I線(365nm)用于傳統光刻(分辨率≥1μm);
? 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半導體先進制程(分辨率至20nm);
? 極紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性膠適用)。
? 曝光方式:
? 接觸式/接近式:掩膜版與膠膜直接接觸(PCB、MEMS,低成本但精度低);
? 投影式:通過物鏡聚焦(半導體,分辨率高,如ArF光刻機精度達22nm)。
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