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商機詳情 -

杭州激光光刻膠

來源: 發布時間:2025年04月29日

吉田半導體水性感光膠 JT-1200:水油兼容,鋼片加工精度 ±5μm

JT-1200 水性感光膠解決鋼片加工難題,提升汽車電子部件制造精度。
針對汽車電子鋼片加工需求,吉田半導體研發的 JT-1200 水性感光膠實現水油兼容性達 100%,加工精度 ±5μm。其高粘接強度與耐強酸強堿特性,確保復雜結構的長期可靠性。其涂布性能優良,易做精細網點,適用于安全氣囊傳感器、車載攝像頭模組等精密部件。產品通過 IATF 16949 汽車行業認證,生產過程嚴格控制金屬離子含量,確保電子產品可靠性。
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厚板光刻膠

  • 電路板制造:在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時,厚板光刻膠可確保線路的精細度和穩定性,比如汽車電子、工業控制等領域的電路板,能承受復雜環境和大電流、高電壓等工況。
  • 功率器件制造:像絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這類功率器件,需要承受高電壓和大電流,厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環節,保障芯片內部電路的精細布局,提高器件的性能和可靠性。


負性光刻膠

  • 半導體制造:在芯片制造過程中,用于制作一些對精度要求高、圖形面積較大的結構,如芯片的金屬互連層、接觸孔等。通過負性光刻膠的曝光和顯影工藝,能實現精確的圖形轉移,確保芯片各部分之間的電氣連接正常。
  • 平板顯示制造:在液晶顯示器(LCD)和有機發光二極管顯示器(OLED)的制造中,用于制作電極、像素等大面積圖案。以 LCD 為例,負性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案,控制液晶分子的排列,從而實現圖像顯示。


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工藝流程

? 目的:去除基板表面油污、顆粒,增強感光膠附著力。

? 方法:

? 化學清洗(硫酸/雙氧水、去離子水);

? 表面處理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化處理)。

 涂布(Coating)

? 方式:

? 旋涂:半導體/顯示領域,厚度控制精確(納米至微米級),轉速500-5000rpm;

? 噴涂/輥涂:PCB/MEMS領域,適合大面積或厚膠(微米至百微米級,如負性膠可達100μm)。

? 關鍵參數:膠液黏度、涂布速度、基板溫度(影響厚度均勻性)。

 前烘(Soft Bake)

? 目的:揮發溶劑,固化膠膜,增強附著力和穩定性。

? 條件:

? 溫度:60-120℃(正性膠通常更低,如90℃;負性膠可至100℃以上);

? 時間:5-30分鐘(根據膠厚調整,厚膠需更長時間)。

 曝光(Exposure)

? 光源:

? 紫外光(UV):G線(436nm)、I線(365nm)用于傳統光刻(分辨率≥1μm);

? 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半導體先進制程(分辨率至20nm);

? 極紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性膠適用)。

? 曝光方式:

? 接觸式/接近式:掩膜版與膠膜直接接觸(PCB、MEMS,低成本但精度低);

? 投影式:通過物鏡聚焦(半導體,分辨率高,如ArF光刻機精度達22nm)。

吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業鏈:

  • 芯片制造:YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲,支持國產 14nm 芯片量產。
  • 顯示面板:YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%,成為京東方、華星光電戰略合作伙伴。
  • 新能源領域:無鹵無鉛焊片通過 UL 認證,批量應用于寧德時代儲能系統,年供貨量超 500 噸。
  • 研發投入:年研發費用占比超 15%,承擔國家 02 專項課題,獲 “國家技術發明二等獎”。
  • 產能規模:光刻膠年產能 5000 噸,納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
  • 質量體系:通過 ISO9001、IATF 16949 等認證,生產過程執行 8S 管理,批次穩定性達 99.5%。
吉田半導體將繼續聚焦光刻膠研發,加速 EUV 光刻膠與木基材料技術突破,目標在 2027 年前實現 7nm 制程材料量產。同時,深化國產供應鏈協同,構建 “材料 - 設備 - 工藝” 一體化生態圈,為中國半導體產業自主化貢獻 “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業標準,吉田半導體以自研自產為引擎,走出了一條中國半導體材料企業的崛起之路。未來,公司將以更具競爭力的產品與技術,助力中國半導體產業邁向更高臺階。
發展戰略與行業地位。

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對比國際巨頭的差異化競爭力
維度 吉田光刻膠 國際巨頭(如JSR、東京應化) 
技術定位 聚焦細分市場(如納米壓印、LCD) 主導高級半導體光刻膠(ArF、EUV) 
成本優勢 原材料自主化率超80%,成本低20% 依賴進口原材料,成本高 
客戶響應 48小時內提供定制化解決方案 認證周期長(2-3年) 
區域市場 東南亞、北美市占率超15% 全球市占率超60% 

風險與挑戰

 前段技術瓶頸:ArF、EUV光刻膠仍依賴進口,研發投入不足國際巨頭的1/10。

 客戶認證周期:半導體光刻膠需2-3年驗證,吉田尚未進入主流晶圓廠供應鏈。

 供應鏈風險:部分樹脂(如ArF用含氟樹脂)依賴日本住友電木。
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吉田半導體全系列產品覆蓋,滿足多元化需求。杭州激光光刻膠

光刻膠的工作原理:

1. 涂覆與曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均勻涂覆光刻膠,通過掩膜(或直接電子束掃描)對特定區域曝光。

2. 化學變化:曝光區域的光刻膠發生光化學反應(正性膠曝光后溶解,負性膠曝光后交聯不溶)。

3. 顯影與刻蝕:溶解未反應的部分,留下圖案化的膠層,作為后續刻蝕或沉積的掩模,將圖案轉移到基底上。

在納米技術中,關鍵挑戰是突破光的衍射極限(λ/2),因此需依賴高能束曝光技術(如電子束光刻、極紫外EUV光刻)和高性能光刻膠(高分辨率、低缺陷)。

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廣東吉田半導體材料有限公司在同行業領域中,一直處在一個不斷銳意進取,不斷制造創新的市場高度,多年以來致力于發展富有創新價值理念的產品標準,在廣東省等地區的電工電氣中始終保持良好的商業口碑,成績讓我們喜悅,但不會讓我們止步,殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志,和諧溫馨的工作環境,富有營養的公司土壤滋養著我們不斷開拓創新,勇于進取的無限潛力,吉田半導體供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來,回首過去,我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜,相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍,我們更要明確自己的不足,做好迎接新挑戰的準備,要不畏困難,激流勇進,以一個更嶄新的精神面貌迎接大家,共同走向輝煌回來!

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