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企業商機 - 深圳市勃望初芯半導體科技有限公司
  • 海南MEMS微納米加工一體化 發布時間:2025.05.27

    MEMS制作工藝柔性電子的常用材料-PI: 柔性PI膜是一種由聚酰亞胺(PI)構成的薄膜材料,它是通過將均苯四甲酸二酐(PMDA)與二胺基二苯醚(ODA)在強極性溶劑中進行縮聚反應,然后流延...

  • 福建MEMS微納米加工代加工 發布時間:2025.05.26

    柔性電極的生物相容性表面改性技術:柔性電極的長期植入性能依賴于表面生物相容性改性,公司采用多層涂層工藝解決蛋白吸附與炎癥反應問題。以PI基柔性電極為基底,首先通過等離子體處理引入羥基基團,然后接枝硅烷...

  • 福建MEMS微納米加工性價比 發布時間:2025.05.26

    MEA柔性電極的MEMS制造工藝:公司開發的腦機接口用MEA(微電極陣列)柔性電極,采用聚酰亞胺或PDMS作為柔性基底,通過光刻、金屬蒸鍍與電化學沉積工藝,構建高密度“觸凸”式電極陣列。電極點直徑可縮...

  • IVD數字ELISA高靈敏 發布時間:2025.05.26

    單分子POCT芯片的基層醫療適配性,單分子 POCT 芯片的 “樣本進 - 結果出” 全自動化設計,完美適配基層醫療單位的檢測需求。其操作流程無需專業技術人員,*需將樣本加入芯片,啟動設備即可完成檢測...

  • 超薄PDMS與光學玻璃的鍵合工藝優化:超薄PDMS(100μm以上)與光學玻璃的鍵合技術實現了柔性微流控芯片與高透光基板的集成,適用于熒光顯微成像、單細胞觀測等場景。鍵合前,PDMS基板經氧等離子體處...

  • 安徽MEMS微納米加工規格 發布時間:2025.05.25

    硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優化:在硅片、LN(鈮酸鋰)、LT(鉭酸鋰)、藍寶石、石英等基板上加工金屬電極,需兼顧電學性能與生物相容性。公司采用濺射沉積與剝離工藝,首先在基板表面沉積50-200n...

  • 微型數字ELISA產品 發布時間:2025.05.25

    芯棄疾JX-8B數字ELISA高敏檢測產品具有微量的優勢: 微量:芯片上反應,流道區只有幾十微米高度,極大降低試劑、樣本用量;微量試劑檢測:更少只需10ul樣本、試劑只為常規的1/10; ...

  • 山東MEMS微納米加工哪里買 發布時間:2025.05.25

    MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點: 1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長,它們各自比相應的電磁波的傳播速度的波長小十萬倍。在VHF和UHF波段內,電磁波器件的尺寸是與波長相比擬的。...

  • 多功能MEMS微納米加工圖片 發布時間:2025.05.24

    MEMS四種刻蝕工藝的不同需求: 1.體硅刻蝕:一些塊體蝕刻些微機電組件制造過程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材,如壓力傳感器即為一例,即通過蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞,但未蝕穿正面,在正面形...

  • 江西MEMS微納米加工代加工 發布時間:2025.05.24

    國內政策大力推動MEMS產業發展:國家政策大力支持傳感器發展,國內MEMS企業擁有好的發展環境。我國高度重視MEMS和傳感器技術發展,在2017年工信部出臺的《智能傳感器產業三年行動指南(2017-2...

  • 福建MEMS微納米加工技術指導 發布時間:2025.05.24

    MEMS傳感器的主要應用領域有哪些? 消費電子產品在MEMSDrive出現之前,手機攝像頭主要由音圈馬達移動鏡頭組的方式實現防抖(簡稱鏡頭防抖技術),受到很大的局限。而另一個在市場上較好的防...

  • 江蘇MEMS微納米加工規格 發布時間:2025.05.23

    MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點: 1.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導體平面工藝制作的,所以它具有很好的一致性和重復性,易于大量生產,而且當使用某些單晶材料或復合材料時,聲表面波器...

  • 內蒙古MEMS微納米加工規格 發布時間:2025.05.23

    MEMS組合慣性傳感器不是一種新的MEMS傳感器類型,而是指加速度傳感器、陀螺儀、磁傳感器等的組合,利用各種慣性傳感器的特性,立體運動的檢測。組合慣性傳感器的一個被廣為熟悉的應用領域就是慣性導航,...

  • 山西本地MEMS微納米加工 發布時間:2025.05.23

    微針器件與生物傳感集成:公司采用干濕法混合刻蝕工藝制備的微針陣列,兼具納米級前列銳度(曲率半徑<100 nm)與微米級結構強度(抗彎剛度≥1 GPa),可穿透角質層無創提取組織間液或實現透皮給藥。在藥...

  • 江蘇MEMS微納米加工咨詢報價 發布時間:2025.05.23

    MEMS制作工藝-太赫茲傳感器: 超材料(Metamaterial)是一種由周期性亞波長金屬諧振的單元陣列組成的人工復合型電磁材料,通過合理的設計單元結構可實現特殊的電磁特性,主要包括隱身、...

  • 貴州MEMS微納米加工平臺 發布時間:2025.05.23

    MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點: 1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長,它們各自比相應的電磁波的傳播速度的波長小十萬倍。在VHF和UHF波段內,電磁波器件的尺寸是與波長相比擬的。...

  • 寧夏MEMS微納米加工哪里有 發布時間:2025.05.23

    微納結構的臺階儀與SEM測量技術:臺階儀與掃描電子顯微鏡(SEM)是微納加工中關鍵的計量手段,確保結構尺寸與表面形貌符合設計要求。臺階儀采用觸針式或光學式測量,可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍...

  • 湖北MEMS微納米加工設備工程 發布時間:2025.05.23

    MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點: 1.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導體平面工藝制作的,所以它具有很好的一致性和重復性,易于大量生產,而且當使用某些單晶材料或復合材料時,聲表面波器...

  • 發展MEMS微納米加工組成 發布時間:2025.05.23

    MEMS制作工藝壓電器件的常用材料: 氧化鋅是一種眾所周知的寬帶隙半導體材料(室溫下3.4eV,晶體),它有很多應用,如透明導體,壓敏電阻,表面聲波,氣體傳感器,壓電傳感器和UV檢測器。并因...

  • 海南MEMS微納米加工咨詢問價 發布時間:2025.05.23

    微納結構的臺階儀與SEM測量技術:臺階儀與掃描電子顯微鏡(SEM)是微納加工中關鍵的計量手段,確保結構尺寸與表面形貌符合設計要求。臺階儀采用觸針式或光學式測量,可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍...

  • 福建MEMS微納米加工材料 發布時間:2025.05.22

    超薄石英玻璃雙面套刻加工技術解析:在厚度100μm以上的超薄石英玻璃基板上進行雙面套刻加工,是實現高集成度微流控芯片與光學器件的關鍵技術。公司采用激光微加工與紫外光刻結合工藝,首先通過CO?激光切割實...

  • 廣東MEMS微納米加工設備工程 發布時間:2025.05.22

    MEMS制作工藝-太赫茲特性: 1.相干性由于它是由相千電流驅動的電偶極子振蕩產生,或又相千的激光脈沖通過非線性光學頻率差頻產生,因此有很好的相干性。THz的相干測量技術能夠直接測量電場振幅...

  • 河北MEMS微納米加工工程測量 發布時間:2025.05.22

    超薄石英玻璃雙面套刻加工技術解析:在厚度100μm以上的超薄石英玻璃基板上進行雙面套刻加工,是實現高集成度微流控芯片與光學器件的關鍵技術。公司采用激光微加工與紫外光刻結合工藝,首先通過CO?激光切割實...

  • 三維微納結構的跨尺度加工技術:跨尺度加工技術實現了從納米級到毫米級結構的一體化制造,滿足復雜微流控系統對多尺度功能單元的需求。公司結合電子束光刻(EBL,分辨率10nm)、紫外光刻(分辨率1μm)與機...

  • 芯棄疾JX-8B數字ELISA:芯棄疾JX-8B數字ELISA 具有超敏的優勢: 超敏:芯棄疾.數字ELISA,與Simoa同樣的檢測方案,將檢測結果二維化,使用成像方式,可精確量檢測區多...

  • 中國香港MEMS微納米加工批發 發布時間:2025.05.22

    神經電子芯片的MEMS微納加工技術與臨床應用:神經電子芯片作為植入式醫療設備的**組件,對微型化、生物相容性及功能集成度提出了極高要求。公司依托0.35/0.18μm高壓工藝,成功開發多通道神經電刺激...

  • 神經電子芯片的MEMS微納加工技術與臨床應用:神經電子芯片作為植入式醫療設備的**組件,對微型化、生物相容性及功能集成度提出了極高要求。公司依托0.35/0.18μm高壓工藝,成功開發多通道神經電刺激...

  • 湖南MEMS微納米加工原料 發布時間:2025.05.22

    超聲影像芯片的全集成MEMS設計與性能突破:針對超聲PZT換能器及CMUT/PMUT新型傳感器的收發需求,公司開發了**SoC超聲收發芯片,采用0.18mm高壓SOI工藝實現發射與開關復用,大幅節省芯...

  • 新材料或將成為國產MEMS發展的新機會。截止到目前,硅基MEMS發展已經有40多年的發展歷程,如何提高產品性能、降低成本是全球企業都在思考的問題,而基于新材料的MEMS器件則成為擺在眼前的大奶酪,PZ...

  • 貴州MEMS微納米加工代加工 發布時間:2025.05.22

    高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應用創新:高壓SOI(絕緣體上硅)工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術,公司在0.18μm節點實現了發射與開關電路的集成創新。通過SOI襯底的埋氧層(厚度1μ...

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