存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。PCB典型的電路設計指導。十堰設計PCB設計加工

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內，布局時應該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細分析，確保不會出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個接收通道和發射通道。3、布局時就要考慮RF主信號走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發射電路遠離低功率RF接收電路，或者讓它們交替工作，而不是同時工作，高功率電路有時還可包括RF緩沖器和壓控制振蕩器(VCO)。6、確保PCB板上高功率區至少有一整塊地，且沒有過孔，銅皮面積越大越好。7、RF輸出要遠離RF輸入，或者采取屏蔽隔離措施，防止輸出信號串到輸入端。8、敏感的模擬信號應該遠離高速數字信號和RF信號。十堰設計PCB設計加工PCB設置中PCI-E板卡設計要求是什么？

整體布局整體布局子流程：接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括：常見接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。（1）常見接口模塊：常用外設接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信號流向將各接口模塊電路靠近其所對應的接口擺放，采用“先防護后濾波”的思路擺放接口保護器件，常用接口模塊參考5典型電路設計指導。（2）電源接口模塊：根據信號流向依次擺放保險絲、穩壓器件和濾波器件，按照附表4-8，留足夠的空間以滿足載流要求。高低電壓區域要留有足夠間距，參考附表4-8。（3）射頻接口模塊：靠近射頻接口擺放，留出安裝屏蔽罩的間距一般為2-3mm，器件離屏蔽罩間距至少0.5mm。具體擺放參考5典型電路設計指導。（5）連接器模塊：驅動芯片靠近連接器放置。

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數字地處理：大多數ADC、DAC往往依據數據手冊和提供的參考設計進行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數字地DGND，然后將二者單點連接，（3）模擬電源和數字電源當電源入口只有統一的數字地和數字電源時，在電源入口處通過將數字地加磁珠或電感，將數字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數字電源通過磁珠或電感拆分成模擬電源。負載端所有的數字電源都通過入口處數字電源生成、模擬電源都通過經過磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數字地、既有模擬電源又有數字電源，板子上所有的數字電源都用入口處的數字電源生成、模擬電源都用入口處的模擬電源生成。ADC和DAC器件的模擬電源一般采用LDO進行供電，因為其電流小、紋波小，而DC/DC會引入較大開關電源噪聲，嚴重影響ADC/DAC器件性能，因此，模擬電路應該采用LDO進行供電。京曉科技與您分享PCB設計中布局布線的注意事項。

調整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號要放在對應的1管腳處；對BGA器件用英文字母和阿拉伯數字構成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標識放在正極旁；對于管腳較多的器件要每隔5個管腳或者收尾管腳都要標出管腳號（6）對于二極管正極標注的擺放需要特別注意：首先在原理圖中確認正極對應的管腳號（接高電壓），然后在PCB中，找到對應的管腳，將正極極性標識放在對應的管腳旁邊7）穩壓二級管是利用pn結反向擊穿狀態制成的二極管。所以正極標注放在接低電壓的管腳處。PCB設計中常用的電源電路有哪些？十堰設計PCB設計加工

不同存儲容量及不同數據寬度的器件有所不同。十堰設計PCB設計加工

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數據率SDRAM”，是在SDRAM的基礎上改進而來，人們習慣稱為DDR，DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數據傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數據，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進行讀寫操作時CKE要保持為高電平，當CKE由高電平變為低電平時，器件進入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時），當CKE由低電平變為高電平時，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號，低電平有效。當CS#為高時器件內部的命令解碼將不工作。同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。十堰設計PCB設計加工

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