吉田半導體納米壓印光刻膠 JT-2000:國產技術突破耐高溫極限
自主研發 JT-2000 納米壓印光刻膠耐受 250℃高溫,為國產納米器件制造提供關鍵材料。吉田半導體 JT-2000 納米壓印光刻膠采用國產交聯樹脂,在 250℃高溫下仍保持圖形保真度 > 95%。產品采用國產原材料與全自動化工藝,其高粘接強度與耐強酸強堿特性,適用于光學元件、傳感器等精密器件。產品已通過國內科研機構驗證,應用于國產 EUV 光刻機前道工藝,幫助客戶實現納米結構加工自主化。
聚焦封裝需求,吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一站式服務。廈門阻焊油墨光刻膠廠家
吉田半導體 JT-3001 厚板光刻膠:歐盟 RoHS 認證,PCB 電路板制造
憑借抗深蝕刻性能與環保特性,吉田 JT-3001 厚板光刻膠成為 PCB 行業材料。
吉田半導體推出的 JT-3001 厚板光刻膠,分辨率達 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,適用于高密度電路板制造。產品通過歐盟 RoHS 認證,采用無鹵無鉛配方,符合環保要求。其優異的感光度與留膜率,確保復雜線路圖形的成型,已應用于華為 5G 基站主板量產。公司提供從材料選型到工藝優化的全流程支持,助力客戶提升生產效率與良率。
北京進口光刻膠品牌政策支持:500億加碼產業鏈。
廣東吉田半導體材料有限公司憑借技術創新與質量優勢,在半導體材料行業占據重要地位。公司聚焦光刻膠、電子膠、錫膏等產品,其中納米壓印光刻膠可耐受 250℃高溫及強酸強堿環境,適用于高精度納米結構制造;LCD 光刻膠以高穩定性和精細度成為顯示面板行業的推薦材料。此外,公司還提供焊片、靶材等配套材料,滿足客戶多元化需求。
在技術層面,吉田半導體通過自主研發與國際合作結合,持續優化生產工藝,實現全流程自動化控制。其生產基地配備先進設備,并嚴格執行國際標準,確保產品性能達到國際水平。同時,公司注重人才培養與引進,匯聚化工、材料學等領域的專業團隊,為技術創新提供堅實支撐。未來,吉田半導體將繼續以 “中國前列半導體材料方案提供商” 為愿景,推動行業技術升級與國產化進程。
吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業鏈:
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芯片制造:YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲,支持國產 14nm 芯片量產。
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顯示面板:YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%,成為京東方、華星光電戰略合作伙伴。
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新能源領域:無鹵無鉛焊片通過 UL 認證,批量應用于寧德時代儲能系統,年供貨量超 500 噸。
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研發投入:年研發費用占比超 15%,承擔國家 02 專項課題,獲 “國家技術發明二等獎”。
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產能規模:光刻膠年產能 5000 噸,納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
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質量體系:通過 ISO9001、IATF 16949 等認證,生產過程執行 8S 管理,批次穩定性達 99.5%。
吉田半導體將繼續聚焦光刻膠研發,加速 EUV 光刻膠與木基材料技術突破,目標在 2027 年前實現 7nm 制程材料量產。同時,深化國產供應鏈協同,構建 “材料 - 設備 - 工藝” 一體化生態圈,為中國半導體產業自主化貢獻 “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業標準,吉田半導體以自研自產為引擎,走出了一條中國半導體材料企業的崛起之路。未來,公司將以更具競爭力的產品與技術,助力中國半導體產業邁向更高臺階。
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原料準備
? 主要成分:樹脂(成膜劑,如酚醛樹脂、聚酰亞胺等)、感光劑(光引發劑或光敏化合物,如重氮萘醌、光刻膠單體)、溶劑(溶解成分,如丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA))、添加劑(調節粘度、感光度、穩定性等,如表面活性劑、穩定劑)。
? 原料提純:對樹脂、感光劑等進行高純度精制(純度通常要求99.9%以上),避免雜質影響光刻精度。
配料與混合
? 按配方比例精確稱量各組分,在潔凈環境,如萬中通過攪拌機均勻混合,形成膠狀溶液。
? 控制溫度(通常20-30℃)和攪拌速度,避免氣泡產生或成分分解。
過濾與純化
? 使用納米級濾膜(孔徑0.05-0.2μm)過濾,去除顆粒雜質(如金屬離子、灰塵),確保膠液潔凈度,避免光刻時產生缺陷。
性能檢測
? 物理指標:粘度、固含量、表面張力、分子量分布等,影響涂布均勻性。
? 化學指標:感光度、分辨率、對比度、耐蝕刻性,通過曝光實驗和顯影測試驗證。
? 可靠性:存儲穩定性(常溫/低溫保存下的性能變化)、耐溫性(烘烤過程中的抗降解能力)。
包裝與儲存
? 在惰性氣體(如氮氣)環境下分裝至避光容器(如棕色玻璃瓶或鋁罐),防止感光劑氧化或光分解。
? 儲存條件:低溫(5-10℃)、避光、干燥,部分產品需零下環境(如EUV光刻膠)。
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負性光刻膠生產廠家。廈門阻焊油墨光刻膠廠家
光刻膠的主要應用領域
光刻膠是微電子制造的主要材料,廣泛應用于以下領域:
半導體制造
? 功能:在晶圓表面形成微細電路圖案,作為蝕刻或離子注入的掩膜。
? 分類:
? 正性光刻膠:曝光區域溶解于顯影液,形成與掩膜版一致的圖案(主流,分辨率高)。
? 負性光刻膠:未曝光區域溶解,形成反向圖案(用于早期工藝,耐蝕刻性強)。
? 技術演進:隨制程精度提升,需匹配不同曝光波長(紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV),例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示(LCD/OLED)
? 彩色濾光片(CF):在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元,光刻膠用于圖案化黑矩陣(BM)、彩色層(R/G/B)和保護層。
? 電極圖案:制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極,需高透光率和精細邊緣控制。
印刷電路板(PCB)
? 線路蝕刻:在覆銅板上涂膠,曝光顯影后保留線路區域,蝕刻去除未保護的銅箔,形成導電線路。
? 阻焊與字符層:阻焊膠覆蓋非線路區域,防止短路;字符膠用于印刷電路板標識。
LED與功率器件
? 芯片制造:在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構,需耐高功率環境的耐高溫光刻膠。
? Micro-LED:微米級芯片轉移和陣列化,依賴超高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)。
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