商機(jī)詳情 -
甘肅LCD光刻膠工廠
來源：
發(fā)布時(shí)間：2025年05月18日
主要優(yōu)勢：細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
技術(shù)積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，分辨率達(dá)3μm，適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。
技術(shù)壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術(shù)，部分原材料純度達(dá)PPT級(jí)，金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。
產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局
產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如：
? LCD光刻膠：適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù)，與京東方、TCL華星合作開發(fā)高分辨率產(chǎn)品，良率提升至98%。
? 半導(dǎo)體錫膏：供應(yīng)華為、OPPO等企業(yè)，年采購量超200噸，用于5G手機(jī)主板封裝。
技術(shù)化延伸：計(jì)劃2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā)，目標(biāo)進(jìn)入中芯國際、長江存儲(chǔ)供應(yīng)鏈。
質(zhì)量控制與生產(chǎn)能力
通過ISO9001:2008質(zhì)量體系認(rèn)證，生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理，原材料采用美、德、日進(jìn)口高質(zhì)量材料。擁有全自動(dòng)化生產(chǎn)線，年產(chǎn)能達(dá)2000噸（光刻膠及配套材料），支持大規(guī)模訂單交付。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，各有特性與優(yōu)勢，適用于不同領(lǐng)域。
LCD 正性光刻膠 YK - 200：具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力的特點(diǎn)，重量 100g。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝，能確保 LCD 生產(chǎn)過程中圖形的精確轉(zhuǎn)移和良好的涂布效果。
半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300：具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g。主要用于半導(dǎo)體制造工藝，滿足半導(dǎo)體器件對(duì)光刻膠在化學(xué)穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。
耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT - NF100：重量 1L，具有耐腐蝕的特性，適用于在有腐蝕風(fēng)險(xiǎn)的光刻工藝中，比如一些特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造。 甘肅紫外光刻膠廣東光刻膠廠家哪家好？
依托自主研發(fā)與國產(chǎn)供應(yīng)鏈，吉田半導(dǎo)體 LCD 光刻膠市占率達(dá) 15%，躋身國內(nèi)前段企業(yè)。吉田半導(dǎo)體 YK-200 LCD 正性光刻膠采用國產(chǎn)樹脂與單體，實(shí)現(xiàn) 100% 國產(chǎn)化替代。其分辨率 0.35μm，附著力 > 3N/cm，性能優(yōu)于 JSR 的 AR-P310 系列。通過與國內(nèi)多家大型企業(yè)的深度合作，產(chǎn)品覆蓋智能手機(jī)、電視等顯示終端，年供貨量超 200 噸。公司建立國產(chǎn)原材料溯源體系，確保每批次產(chǎn)品穩(wěn)定性，推動(dòng) LCD 面板材料國產(chǎn)化進(jìn)程。
吉田半導(dǎo)體厚板光刻膠 JT-3001：國產(chǎn)技術(shù)助力 PCB 行業(yè)升級(jí)
光刻膠是有什么東西？
工藝流程
? 目的：去除基板表面油污、顆粒，增強(qiáng)感光膠附著力。
? 方法：
? 化學(xué)清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）；
? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。
涂布（Coating）
? 方式：
? 旋涂：半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域，厚度控制精確（納米至微米級(jí)），轉(zhuǎn)速500-5000rpm；
? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領(lǐng)域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級(jí)，如負(fù)性膠可達(dá)100μm）。
? 關(guān)鍵參數(shù)：膠液黏度、涂布速度、基板溫度（影響厚度均勻性）。
前烘（Soft Bake）
? 目的：揮發(fā)溶劑，固化膠膜，增強(qiáng)附著力和穩(wěn)定性。
? 條件：
? 溫度：60-120℃（正性膠通常更低，如90℃；負(fù)性膠可至100℃以上）；
? 時(shí)間：5-30分鐘（根據(jù)膠厚調(diào)整，厚膠需更長時(shí)間）。
曝光（Exposure）
? 光源：
? 紫外光（UV）：G線（436nm）、I線（365nm）用于傳統(tǒng)光刻（分辨率≥1μm）；
? 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程（分辨率至20nm）；
? 極紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）。
? 曝光方式：
? 接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB、MEMS，低成本但精度低）；
? 投影式：通過物鏡聚焦（半導(dǎo)體，分辨率高，如ArF光刻機(jī)精度達(dá)22nm）。
告別顯影殘留！化學(xué)增幅型光刻膠助力封裝。甘肅LCD光刻膠工廠
技術(shù)趨勢與挑戰(zhàn)
半導(dǎo)體先進(jìn)制程：
? EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個(gè)），開發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料；
? 極紫外吸收問題：膠膜對(duì)13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm，挑戰(zhàn)化學(xué)增幅體系的靈敏度。
環(huán)保與低成本：
? 水性負(fù)性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠），減少VOC排放；
? 單層膠工藝替代多層膠，簡化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）。
新興領(lǐng)域拓展：
? 柔性電子：開發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）、低模量感光膠，用于可穿戴設(shè)備電路；
? 光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導(dǎo)，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）。
典型產(chǎn)品與廠商
? 半導(dǎo)體正性膠：
? 日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm，用于12nm制程）；
? 美國陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm2，缺陷密度＜5個(gè)/cm2）。
? PCB負(fù)性膠：
? 中國容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻，厚度20-50μm，國產(chǎn)化率超60%；
? 日本東京應(yīng)化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%，適用于高可靠性汽車板。
? MEMS厚膠：
? 美國陶氏的SU-8：實(shí)驗(yàn)室常用，厚度5-200μm，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）；
? 德國Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻，線寬精度±2%，用于工業(yè)級(jí)MEMS制造。
標(biāo)簽：
錫片
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