熱式氣體流量控制器在雙靶磁控濺射儀的應用：雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設備。它可用于在高真空背景下，充入高純氬氣，采用磁控濺射方式制備各種金屬膜、介質膜、半導體膜。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。本公司生產的DC系列的數字型熱式氣體流量控制器在該設備中使用，產品采用全數字架構，新型的傳感制作工藝，通訊方式兼容：0-5V、4-20mA、RS485通訊模式，一鍵切換通訊信號，操作簡單方便。磁控濺射目前是一種應用十分普遍的薄膜沉積技術。安徽真空磁控濺射優點

磁控濺射的優點：1、沉積速度快、基材溫升低、對膜層的損傷小；2、對于大部分材料，只要能制成靶材，就可以實現濺射；3、濺射所獲得的薄膜與基片結合較好；4、濺射所獲得的薄膜純度高、致密度好、成膜均勻性好；5、濺射工藝可重復性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜；6、能夠控制鍍層的厚度，同時可通過改變參數條件控制組成薄膜的顆粒大小；7、不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上；8、易于實現工業化。安徽真空磁控濺射優點空磁控濺射技術是指一種利用陰極表面配合的磁場形成電子陷阱，使E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移。

磁控濺射的工藝研究：濺射變量：電壓和功率：在氣體可以電離的壓強范圍內如果改變施加的電壓，電路中等離子體的阻抗會隨之改變，引起氣體中的電流發生變化。改變氣體中的電流可以產生更多或更少的離子，這些離子碰撞靶體就可以控制濺射速率。一般來說，提高電壓可以提高離化率。這樣電流會增加，所以會引起阻抗的下降。提高電壓時，阻抗的降低會大幅度地提高電流，即大幅度提高了功率。如果氣體壓強不變，濺射源下的基片的移動速度也是恒定的，那么沉積到基片上的材料的量則決定于施加在電路上的功率。在VONARDENNE鍍膜產品中所采用的范圍內，功率的提高與濺射速率的提高是一種線性的關系。

磁控濺射靶材鍍膜過程中，影響靶材鍍膜沉積速率的因素：濺射電壓：濺射電壓對成膜速率的影響有這樣一個規律：電壓越高，濺射速率越快，而且這種影響在濺射沉積所需的能量范圍內是緩和的、漸進的。在影響濺射系數的因素中，在濺射靶材和濺射氣體之后，放電電壓確實很重要。一般來說，在正常的磁控濺射過程中，放電電壓越高，濺射系數越大，這意味著入射離子具有更高的能量。因此，固體靶材的原子更容易被濺射出并沉積在基板上形成薄膜。在氣體可以電離的壓強范圍內如果改變施加的電壓，電路中等離子體的阻抗會隨之改變。

真空磁控濺射技術的特點：磁控濺射是由二極濺射基礎上發展而來，在靶材表面建立與電場正交磁場，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問題，成為鍍膜工業主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術相比具有如下特點：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質與氣體分子的化合物薄膜；通過精確地控制濺射鍍膜過程，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過離子濺射靶材料物質由固態直接轉變為等離子態，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設計；濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點，很適合于大批量，高效率工業生產。物相沉積技術工藝過程簡單，對環境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結合力強。安徽真空磁控濺射優點

磁控濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術。安徽真空磁控濺射優點

真空磁控濺射的分類：平面磁控濺射：平衡平面濺射是較常用的平面靶磁控濺射，磁力線有閉合回路且與陰極平行，即在陰極表面構成一個正交的電磁場環形區域。等離子體被束縛在靶表面距離靶面大約60cm的區域，通常在基片上加負偏壓來改善膜與基體的結合能力；非平衡平面磁控濺射為了將等離子區域擴展，利用磁體擺放方式的調整，可以方便的獲得不同的非平衡磁控源。圓柱磁控濺射沉積技術：利用圓柱形磁控陰極實現濺射的技術磁控源是關鍵部分，陰極在中心位置的叫磁控源；陽極在中心位置的叫反磁控源。安徽真空磁控濺射優點

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