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天津金屬磁控濺射儀器

來源: 發布時間:2022年12月24日

磁控濺射靶材的分類:根據材料的成分不同,靶材可分為金屬靶材、合金靶材、無機非金屬靶材等。其中無機非金屬靶材又可分為氧化物、硅化物、氮化物和氟化物等不同種類靶材。根據幾何形狀的不同,靶材可分為長方體形靶材、圓柱體靶材和不規則形狀靶材;此外,靶材還可以分為實心和空心兩種類型靶材。目前靶材較常用的分類方法是根據靶材應用領域進行劃分,主要包括半導體領域應用靶材、記錄介質應用靶材、顯示薄膜應用靶材、光學靶材、超導靶材等。其中半導體領域用靶材、記錄介質用靶材和顯示靶材是市場需求規模較大的三類靶材。磁控直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極。天津金屬磁控濺射儀器

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影響磁控濺射鍍膜結果的因素:1、濺射功率的影響,在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數的選擇對于涂層生長速率和涂層質量都有很大的影響.其中濺射功率的設定對這兩方面都有極大的影響。2、氣壓的影響,磁控濺射是在低氣壓下進行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率,使氣體形成等離子體。在保證濺射功率固定的情況下,分析氣壓對于磁控濺射的影響。磁控濺射鍍膜的產品優點:1、幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積;2、可以根據基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置;3、可以沉積合金和化合物的薄膜,同時保持與原始材料相似的組成.磁控濺射鍍膜的產品特點1、磁控濺射所利用的環狀磁場迫使二次電子跳欄式地沿著環狀磁場轉圈.相應地,環狀磁場控制的區域是等離子體密度較高的部位。天津金屬磁控濺射儀器磁控濺射的優點:沉積速率高。

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磁控濺射靶材鍍膜過程中,影響靶材鍍膜沉積速率的因素:濺射電流:磁控靶的濺射電流與濺射靶材表面的離子電流成正比,因此也是影響濺射速率的重要因素。磁控濺射有一個普遍規律,即在較佳氣壓下沉積速度較快。因此,在不影響薄膜質量和滿足客戶要求的前提下,從濺射良率考慮氣體壓力的較佳值是合適的。改變濺射電流有兩種方法:改變工作電壓或改變工作氣體壓力。濺射功率:濺射功率對沉積速率的影響類似于濺射電壓。一般來說,提高磁控靶材的濺射功率可以提高成膜率。然而,這并不是一個普遍的規則。在磁控靶材的濺射電壓低,濺射電流大的情況下,雖然平均濺射功率不低,但離子不能被濺射,也不能沉積。前提是要求施加在磁控靶材上的濺射電壓足夠高,使工作氣體離子在陰極和陽極之間的電場中的能量足夠大于靶材的"濺射能量閾值"。

磁控濺射鍍膜注意事項:1、輻射:有些鍍膜要用到射頻電源,如功率大,需做好屏蔽處理。另外,歐洲標準在單室鍍膜機門框四周嵌裝金屬線屏蔽輻射;2、金屬污染:鍍膜材料有些對人體有害的,特別要注意真空室清理過程中出現的粉塵污染;3、噪音污染:如特別是一些大的鍍膜設備,機械真空泵噪音很大,可以把泵隔離在墻外;4、光污染:離子鍍膜過程中,氣體電離發出強光,不宜透過觀察窗久看。適用范圍:1、建材及民用工業中。2、在鋁合金制品裝飾中的應用。3、高級產品零/部件表面的裝飾鍍中的應用。4、在不銹鋼刀片涂層技術中的應用。5、在玻璃深加工產業中的應用。磁控濺射靶的非平衡磁場不只有通過改變內外磁體的大小和強度的永磁體獲得,也有由兩組電磁線圈產生。

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磁控濺射的工藝研究:1、系統參數:工藝會受到很多參數的影響。其中,一些是可以在工藝運行期間改變和控制的;而另外一些則雖然是固定的,但是一般在工藝運行前可以在一定范圍內進行控制。兩個重要的固定參數是:靶結構和磁場。2、靶結構:每個單獨的靶都具有其自身的內部結構和顆粒方向。由于內部結構的不同,兩個看起來完全相同的靶材可能會出現迥然不同的濺射速率。在鍍膜操作中,如果采用了新的或不同的靶,應當特別注意這一點。如果所有的靶材塊在加工期間具有相似的結構,調節電源,根據需要提高或降低功率可以對它進行補償。在一套靶中,由于顆粒結構不同,也會產生不同的濺射速率。這也需要在鍍膜期間加以注意。不過,這種情況只有通過更換靶材才能得到解決,這時候為了得到優良的膜層,必須重新調整功率或傳動速度。因為速度對于產品是至關重要的,所以標準而且適當的調整方法是提高功率。有些鍍膜要用到射頻電源,如功率大,需做好屏蔽處理。天津金屬磁控濺射儀器

安裝鍍膜基片或工件的樣品臺以及真空室接地,作為陽極。天津金屬磁控濺射儀器

真空磁控濺射技術:真空磁控濺射技術是指一種利用陰極表面配合的磁場形成電子陷阱,使在E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移。設置一個與靶面電場正交的磁場,濺射時產生的快電子在正交的電磁場中作近似擺線運動,增加了電子行程,提高了氣體的離化率,同時高能量粒子與氣體碰撞后失去能量,基體溫度較低,在不耐溫材料上可以完成鍍膜。這種技術是玻璃膜技術中的較較好技術,是由航天工業、兵器工業、和核工業三個方面相結合的較好技術的民用化,民用主要是通過這種技術達到節能、環保等作用。天津金屬磁控濺射儀器

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