電子束蒸發蒸鍍如鎢(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，跟常規金屬蒸鍍，蒸鍍方式需有所蓋上。根據之前的鍍膜經驗，需要在坩堝的結構上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導熱過快，材料難以達到其蒸發的溫度。經過實驗的驗證，蒸發高熔點的材料可以采用材料薄片來蒸鍍，如將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，材料只能通過坩堝邊沿來導熱，減緩散熱速率，有利于達到蒸發的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。真空鍍膜機的優點:其封口性能好，尤其包裝粉末狀產品時，不會污染封口部分，保證了包裝的密封性能。汕尾真空鍍膜廠

磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場的作用下，在飛向襯底過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向襯底，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場的作用下沉積在襯底上。由于該電子的能量很低，傳遞給襯底的能量很小，致使襯底溫升較低。汕尾真空鍍膜廠真空鍍膜技術有真空離子鍍膜。

真空鍍膜：物理的氣相沉積技術是指在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術，物理的氣相沉積是主要的表面處理技術之一。PVD(物理的氣相沉積)鍍膜技術主要分為三類：真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物理的氣相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜和分子束外延等。相應的真空鍍膜設備包括真空蒸發鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機。

真空鍍膜的方法：分子束外延：分子束外延(MBE)是一中很特殊的真空鍍膜工藝,是在10-8Pa的超高真空條件下,將薄膜的諸組分元素的分子束流,在嚴格的監控之下,直接噴射到襯底表面。MBE的突出優點在于能生長極薄的單晶膜層,并且能精確地控制膜厚和組分與摻雜適于制作微波,光電和多層結構器件,從而為制作集成光學和超大規模集成電路提供了有力手段。利用反應分子束外延法制備TiO2薄膜時,不需要考慮中間的化學反應,又不受質量傳輸的影響,并且利用開閉擋板(快門)來實現對生長和中斷的瞬時控制,因此膜的組分和摻雜濃度可隨著源的變化而迅速調整。MBE的襯底溫度Z低,因此有減少自摻雜的優點。真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發并凝結于鍍件表面而形成薄膜的一種方法。

真空鍍膜的方法很多，計有：真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結而成薄膜。陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內，保持壓強約1。33～13。3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。化學氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物，獲得沉積薄膜的過程。離子鍍：實質上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結合，兼有兩者的工藝特點。觀察窗的玻璃較好用鉛玻璃，觀察時應戴上鉛玻璃眼鏡，以防X射線侵害人體。汕尾真空鍍膜廠

真空鍍膜鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞以及高壓電場后，高速沖向工件。汕尾真空鍍膜廠

真空鍍膜：近些年來出現的新方法：除蒸發法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優缺點，取長補短，發展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術結合了蒸發鍍的高效和濺射鍍的高性能特點，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優點。高效率等離子體濺射(HighTargetUtilizationPlasmaSputtering(HiTUS))實際上是由利用射頻功率產生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個濺射鍍膜系統。這種離子體源裝置在真空室的側面。該等離子體束在電磁場的作用下被引導到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實現高效可控的等離子體濺射。等離子體發生裝置與真空室的分離設計是實現濺射工藝參數寬范圍可控的關鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應用能確定工藝參數較優化。與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環不同，HiTUS系統由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對靶的材料實現各個方面積均勻。汕尾真空鍍膜廠

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