ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構；而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構，這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則。2、嚴格按照原理圖的順序進行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號采用包地處理，包地要間隔≥200Mil打地過孔4、ADC和DAC電源管腳比較好經過電容再到電源管腳，線寬≥20Mil，對于管腳比較細的器件，出線寬度與管腳寬度一致。5、模擬信號優先采用器件面直接走線，線寬≥10Mil，對50歐姆單端線、100歐姆差分信號要采用隔層參考，在保證阻抗的同時，以降低模擬輸入信號的衰減損耗，6、不同ADC/DAC器件的采樣時鐘彼此之間需要做等長處理。7、當信號線必須要跨分割時，跨接點選擇在跨接磁珠（或者0歐姆電阻）處。在PCB設計中如何繪制結構特殊區域及拼板？黃石了解PCB設計教程

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。黃石了解PCB設計教程屏蔽腔的設計具體步驟流程。

SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統時鐘驅動的，SDRAM所有的輸入信號都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發內部計數器和輸出寄存器；2、CKE為時鐘使能信號，高電平時時鐘有效，低電平時時鐘無效，CKE為低電平時SDRAM處于預充電斷電模式和自刷新模式。此時包括CLK在內的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號，低電平有效，當CS#為高時器件內部所有的命令信號都被屏蔽，同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效，這三個信號與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數據掩碼信號。寫數據時，當DQM為高電平時對應的寫入數據無效，DQML與DQMU分別對應于數據信號的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號，在讀寫命令時行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號，用以確定當前的命令操作對哪一個BANK有效。8、DQ<0..15>為數據總線信號，讀寫操作時的數據信號通過該總線輸出或輸入。

ADC和DAC是數字信號和模擬信號的接口，在通信領域，射頻信號轉換為中頻信號，中頻信號經過ADC轉換成數字信號，經過數字算法處理后，再送入DAC轉換成中頻，再進行了變頻為射頻信號發射出去。（1）ADC和DAC的PCBLAYOUT1、布局原則：優先兼顧ADC、DAC前端模擬電路，嚴格按照原理圖電路順序呈一字型對ADC、DAC前端模擬電路布局。2、ADC、DAC本身通道要分開，不同通道的ADC、DAC也要分開。3、ADC、DAC前端模擬電路放置在模擬區，ADC、DAC數字輸出電路放置在數字區，因此，ADC、DAC器件實際上跨區放置，一般在A/D之間將模擬地和數字地相連或加磁珠處理。4、如果有多路模擬輸入或者多路模擬輸出的情況，在每路之間也要做地分割處理，然后在芯片處做單點接地處理。5、開關電源、時鐘電路、大功率器件遠離ADC、DAC器件和信號。6、時鐘電路對稱放置在ADC、DAC器件中間。7、發送信號通常比接收信號強很多。因此，對發送電路和接收電路必須進行隔離處理，否則微弱的接收信號會被發送電路串過來的強信號所干擾，可通過地平面進行屏蔽隔離，對ADC、DAC器件增加屏蔽罩，或者使發送電路遠離接收電路，截斷之間的耦合途徑。LDO外圍電路布局要求是什么？

DDR與SDRAM信號的不同之處，1、DDR的數據信號與地址\控制信號是參考不同的時鐘信號，數據信號參考DQS選通信號，地址\控制信號參考CK\CK#差分時鐘信號；而SDRAM信號的數據、地址、控制信號是參考同一個時鐘信號。2、數據信號參考的時鐘信號即DQS信號是上升沿和下降沿都有效，即DQS信號的上升沿和下降沿都可以觸發和鎖存數據，而SDRAM的時鐘信號只有在上升沿有效，相對而言DDR的數據速率翻倍。3、DDR的數據信號通常分成幾組，如每8位數據信號加一位選通信號DQS組成一組，同一組的數據信號參考相同組里的選通信號。4、為DDRSDRAM接口同步工作示意圖，數據信號與選通信號分成多組，同組內的數據信號參考同組內的選通信號；地址、控制信號參考CK\CK#差分時鐘信號。PCB設計中FPGA管腳的交換注意事項。黃石了解PCB設計教程

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調整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號要放在對應的1管腳處；對BGA器件用英文字母和阿拉伯數字構成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標識放在正極旁；對于管腳較多的器件要每隔5個管腳或者收尾管腳都要標出管腳號（6）對于二極管正極標注的擺放需要特別注意：首先在原理圖中確認正極對應的管腳號（接高電壓），然后在PCB中，找到對應的管腳，將正極極性標識放在對應的管腳旁邊7）穩壓二級管是利用pn結反向擊穿狀態制成的二極管。所以正極標注放在接低電壓的管腳處。黃石了解PCB設計教程

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