12、伸縮桿；13、圓環(huán)塊；14、連接桿；15、回流管；16、增壓泵；17、一號排液管；18、一號電磁閥；19、抽氣泵；20、排氣管；21、集氣箱；22、二號排液管；23、二號電磁閥；24、傾斜板；25、活動板；26、蓄水箱；27、進水管；28、抽水管；29、三號電磁閥；30、控制面板。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。請參閱圖1-5，本發(fā)明提供一種技術(shù)方案：一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置，包括裝置主體1，裝置主體1內(nèi)部中間位置固定安裝有分隔板2，分隔板2左端表面靠近中間位置固定安裝有承載板3，承載板3上端表面放置有電解池4，電解池4內(nèi)部中間位置設(shè)置有隔膜5，裝置主體1上端表面靠近右側(cè)安裝有進液漏斗6，進液漏斗6上設(shè)置有過濾網(wǎng)7，裝置主體1內(nèi)部靠近頂端設(shè)置有進液管8，進液管8左端連接有伸縮管9，伸縮管9下端安裝有噴頭10，裝置主體1上端表面靠近左側(cè)固定安裝有液壓缸11，液壓缸11下端安裝有伸縮桿12。專業(yè)蝕刻液，為您的精密加工提供有力支持。廣州銅蝕刻液蝕刻液聯(lián)系方式

    所述裝置主體前端表面靠近左上邊角位置設(shè)置有活動板，所述分隔板右端放置有蓄水箱，所述蓄水箱上端靠近右側(cè)連接有進水管，所述回流管下端連接有抽水管，所述抽水管內(nèi)部上端設(shè)置有三號電磁閥，所述裝置主體前端表面靠近右側(cè)安裝有控制面板。作為本發(fā)明的進一步方案，所述分隔板與承載板相互垂直設(shè)置，所述電解池內(nèi)部底端的傾斜角度設(shè)計為5°。作為本發(fā)明的進一步方案，所述進液管的形狀設(shè)計為l型，且進液管貫穿分隔板設(shè)置在進液漏斗與伸縮管之間。作為本發(fā)明的進一步方案，所述圓環(huán)塊通過伸縮桿活動安裝在噴頭上方，且噴頭通過伸縮管活動安裝在電解池上方。作為本發(fā)明的進一步方案，所述回流管與進水管的形狀均設(shè)計為l型，所述傾斜板的傾斜角度設(shè)計為10°。作為本發(fā)明的進一步方案，所述活動板前端設(shè)置有握把，活動板與裝置主體之間設(shè)置有鉸鏈，且活動板通過鉸鏈活動安裝在裝置主體前端。作為本發(fā)明的進一步方案，所述控制面板的輸出端分別與增壓泵、一號電磁閥、二號電磁閥和三號電磁閥的輸入端呈電性連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：該回收處理裝置通過在增壓泵下端設(shè)置有回流管，能夠在蝕刻液電解后，啟動增壓泵并打開一號電磁閥。廣東江化微的蝕刻液蝕刻液推薦貨源平板顯示用的蝕刻液有哪些；

    本發(fā)明涉及蝕刻液組合物及選擇添加于該蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法。背景技術(shù)：參照圖1，可以確認3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand閃存可以通過在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)來制造。在不損傷氧化物膜的同時將氮化物膜完全去除是這樣的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技術(shù)之一。一般而言，氮化物膜去除工序中所使用的蝕刻液組合物利用具有防蝕能力的添加劑以獲得在不損傷氧化物膜的同時*將氮化物膜完全去除的效果。但是，想要在不損傷氧化物膜的范圍內(nèi)將氮化物膜完全去除時，會使用防蝕能力強的添加劑，由此可能發(fā)生氮化物膜沒有被完全去除的工序不良(參照圖2)。此外，想要將氮化物膜完全去除時，會使用防蝕能力弱的添加劑，由此雖然氮化物膜被完全去除，但是可能發(fā)生對氧化物膜也造成損傷(damage)的工序不良(參照圖3)。以往，為了在包含氧化物膜和氮化物膜的多層膜中*將氮化物膜選擇性完全去除而選擇具有適當水平的防蝕能力的添加劑時，按照添加劑的種類和濃度通過實驗進行確認。沒有這樣的實驗確認就選擇添加劑實際上是不可能的。

    蝕刻液也可含有α-羥基羧酸和/或其鹽。α-羥基羧酸及其鹽具有作為鈦的絡(luò)合劑的效果，可抑制蝕刻液中產(chǎn)生鈦的沉淀。作為所述α-羥基羧酸，例如可舉出酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸等。α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度并無特別限制，從絡(luò)合效果及溶解性的觀點來看，推薦為％至5重量％，更推薦為％至2重量％。另外，蝕刻液也可含有亞硫酸及/或其鹽。亞硫酸及其鹽具有作為還原劑的效果，可提高鈦的蝕刻速度。亞硫酸和/或其鹽的濃度并無特別限制，從還原性及臭氣的觀點來看，推薦為％至％，更推薦為％至％。蝕刻液中除了上述的成分以外，也能以不妨礙本發(fā)明效果的程度添加其他成分。作為其他成分，例如可舉出表面活性劑、成分穩(wěn)定劑及消泡劑等。蝕刻液可通過使所述各成分溶解于水中而容易地制備。作為所述水，推薦為將離子性物質(zhì)及雜質(zhì)除去的水，例如推薦為離子交換水、純水、超純水等。蝕刻液可在使用時將各成分以成為預(yù)定濃度的方式調(diào)配，也可預(yù)先制備濃縮液并在即將使用之前稀釋而使用。使用本發(fā)明的蝕刻液的鈦的蝕刻方法并無特別限制，例如可舉出：對含有銅及鈦的對象物涂布或噴霧蝕刻液的方法；將含有銅及鈦的對象物浸漬在蝕刻液中的方法等。處理溫度并無特別限制。金屬蝕刻液有哪些種類分類？；

    近年來，oled顯示器廣泛應(yīng)用于手機和平板顯示。金屬銀以優(yōu)異的電導(dǎo)率和載流子遷移率被廣泛應(yīng)用于oled顯示器的陽極布線(ito/ag/ito)結(jié)構(gòu)中。為了對此進行蝕刻，目前主要使用基于磷酸、硝酸、醋酸和硝酸鹽的濕蝕刻液(cna)。這樣的體系雖然能有效去除金屬銀，但在實際使用過程中仍會存在少量的銀殘留或銀再吸附沉積問題。4.本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于如何解決現(xiàn)有的銀蝕刻液在使用過程中存在少量的銀殘留、銀再吸附沉積問題。5.本發(fā)明通過以下技術(shù)手段實現(xiàn)解決上述技術(shù)問題的：6.一種銀蝕刻液組合物，其成分由質(zhì)量占比為40-60％磷酸、2-10％硝酸、％有機酸、％硝酸鹽、％含氮元素有機物、其余為水組成。 高效蝕刻液，讓您的生產(chǎn)更順暢，品質(zhì)更出眾。京東方用的蝕刻液蝕刻液配方技術(shù)

龍騰光電用的哪家的蝕刻液？廣州銅蝕刻液蝕刻液聯(lián)系方式

    在上述硅烷系偶聯(lián)劑的含量處于上述含量范圍內(nèi)的情況下，能夠調(diào)節(jié)添加劑本身凝膠化，且獲得合適的sio2防蝕和sin蝕刻性能。(c)水本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述水可以為用于半導(dǎo)體工序的去離子水，推薦使用18mω/㎝以上的上述去離子水。上述水的含量可以為使包含本發(fā)明的必須成分以及除此以外的其他成分的組合物總重量成為100重量％的余量。推薦可以按照本發(fā)明的組合物總重量的2～45重量％來包含。<選擇添加劑的方法、由此選擇的添加劑及利用其的蝕刻方法>此外，本發(fā)明提供選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*對上述氮化物膜選擇性蝕刻的蝕刻液組合物的添加劑的方法、由此選擇的添加劑以及利用該添加劑的蝕刻方法。上述蝕刻液組合物中說明的、對于添加劑選擇等的一切內(nèi)容均可以同樣地應(yīng)用于本發(fā)明的選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的添加劑的方法、由此選擇的添加劑以及利用該添加劑的蝕刻方法。具體而言，提供選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法、由此選擇的硅烷系偶聯(lián)劑以及包含該硅烷系偶聯(lián)劑的蝕刻方法。廣州銅蝕刻液蝕刻液聯(lián)系方式