晶閘管模塊的散熱方法

晶閘管模塊的功耗主要由導通損耗、開關損耗和柵極損耗組成。在工頻或400Hz以下的更多應用是傳導損耗。為了保證器件的長期可靠運行，散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導體模塊設計中電流、電壓額定值的選擇同等重要，不容忽視！散熱器常用的散熱方法有：自然空冷、強制空冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱的一般原則是，控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過產品數據表中給出的額定連接溫度。

選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素：

1、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積。

2、晶閘管模塊的使用環境。根據使用環境冷卻條件來確定何種冷卻方式，包括自然冷卻、強制風冷和水冷。

3、設備的形狀和體積，為散熱預留空間的大小，根據這種情況來確定散熱器的形狀。 正高電氣迎接挑戰，推陳出新，與廣大客戶攜手并進，共創輝煌！江蘇晶閘管模塊品牌

晶閘管模塊的工作原理

在晶閘管模塊T的工作過程中，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負載相連，構成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路。

從晶閘管模塊的內部分析工作過程：

晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個pn結圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。

當晶閘管模塊承載正向陽極電壓時，為了制造晶閘管模塊導體銅，承受反向電壓的pn結J2必須失去其阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同時是另一個晶體管的基極電流。因此，當有足夠的柵極電流Ig流入時，兩個復合晶體管電路會形成較強的正反饋，從而導致兩個晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。 江蘇晶閘管模塊品牌正高電氣展望未來，信心百倍，追求高遠。

    公司是專業從事電力電子產品研發、制作、銷售于一體的高新技術企業公司主要產品：MTC（A、K、X）、MDC（A、K）、MFC（A、K、X）系列功率半導體模塊；MDS、MDQ、MFQ、MFF系列單相、三相整流橋模塊；BJD（H）系列單相、BJT（H）系列三相固繼電器；晶閘管智能模塊；ZP、ZK系列整流管；KP、KK、KS系列晶閘管；各種功率組件；電力電子器件用散熱器等。公司系列產品服務于電力、冶金、石油、煤炭、環保、航天、有色金屬、家用電器等領域。以產品種類齊全、品質可靠、供貨及時、服務誠信博得國內外客戶的一致好評。我們將始終秉承“以客戶為中心”的理念和“誠信為商、不斷創新、追求”的宗旨，堅持以領先的技術、高品質的產品和服務為客戶創造價值。熱忱歡迎廣大客戶光臨惠顧，精誠合作！共同致力于中國電力電子技術產品的發展和進步。

    晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態。當晶閘管在正向陽極電壓下。從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2。公司生產工藝得到了長足的發展，優良的品質使我們的產品暢銷全國各地。

    由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部，所以元件在關斷過程中，正向電壓下降到零時，內部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產生的感應電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢和電源電壓串聯，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓，稱為關斷過電壓，其數值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容和電感產生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護效果。各型號模塊對應的電阻和電容值根據表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產生能量較大、持續時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。正高電氣我們完善的售后服務，讓客戶買的放心，用的安心。江蘇晶閘管模塊品牌

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    壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結構也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細的進行區分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術十分的標準，焊接式的局部地區可能有焊接的痕跡，但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的，有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價格方面來講，焊接式可控硅模塊的成本遠遠要比壓接式可控硅模塊的成本低。我公司的電力半導體器件有：全系列功率模塊(MTC，MFC，MDC，MDQ，MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)。江蘇晶閘管模塊品牌

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