可控硅模塊的操控端口與操控線

可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法，別離對應于5芯、9芯、15芯的操控線。選用電壓信號的商品只用**腳端口，其他為空腳，選用電流信號的9腳為信號輸入，操控線的屏蔽層銅線應焊接到直流電源地線上,聯接時注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業或能夠燒壞模塊。

可控硅模塊操控端口插座和操控線插座上都有編號，請一一對應，不要接反。以上六個端口為模塊根柢端口，其它端口為分外端口，只在具有多功用商品中運用，一般調壓商品其他腳為空腳。 淄博正高電氣有限公司以創百年企業、樹百年品牌為使命，傾力為客戶創造更大利益！濟寧雙向可控硅模塊供應商

可控硅模塊規格的選擇方法：考慮到可控硅產品一般為非正弦電流，存在導通角問題，負載電流存在一些波動和不穩定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規格時必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計算：I＞K×I負載×U∕U實際

K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；

I負載：負載流過的強大電流； U實際：負載上的小電壓；

U強大 模塊能輸出的強大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 濟寧雙向可控硅模塊供應商淄博正高電氣有限公司始終以適應和促進發展為宗旨。

您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？

可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓，只有當正向觸發電壓時，可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發脈沖的較小寬度應使陽極電流達到維持直通狀態所需的較小的陽極電流，即高于電流IL。可控硅導通后的電壓降很小。

接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：

1.將正極電壓降低至數值，或添加反向陽極電壓。

2.增加負載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導通狀態，希望能幫助您

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗明顯增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。

可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快，在微秒級內開通、關斷;無觸點運行，無火花、無噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高電氣有限公司以質量求生存，以信譽求發展！

實際上，可控硅模塊元件的結溫不容易直接測量，因此不能用它作為是否超溫的判據。通過控制模塊底板的溫度（即殼溫Tc）來控制結溫是一種有效的方法。由于PN結的結溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度，知道了殼溫也就知道了結溫，而相當高殼溫Tc是限定的，由產品數據表給出。借助溫控開關可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度（溫度傳感元件應置于模塊底板溫度相當高的位置）。從溫控天關測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路，分別控制風機的開啟或主回路的通斷（停機），就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結溫下正常工作。

  需要指出的是，溫控開關測量到的溫度是模塊底板表面的溫度，易受環境、空氣對流的影響，與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc，還有一定的差別（大約低幾度到十幾度），因此其實際控制溫度應低于規定的Tc值。用戶可以根據實際情況和經驗決定控制的溫度。 淄博正高電氣有限公司創新發展，努力拼搏。濟寧雙向可控硅模塊供應商

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可控硅模塊又叫晶閘管，自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。現在大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極：首層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。濟寧雙向可控硅模塊供應商

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