晶閘管模塊電流規(guī)格的選取

1、根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及負(fù)載額定電流進(jìn)行選取

（1）電阻負(fù)載的較大電流應(yīng)是負(fù)載額定電流的2倍。

（2）感性負(fù)載的較大電流應(yīng)為額定負(fù)載電流的3倍。

（3）負(fù)載電流變化較大時(shí)，電流倍數(shù)適當(dāng)增大。

（4）在運(yùn)行過(guò)程中，負(fù)載的實(shí)際工作電流不應(yīng)超過(guò)模塊的較大電流。

2、散熱器風(fēng)機(jī)的選用

模塊正常工作時(shí)必須配備散熱器和風(fēng)機(jī)，推薦采用廠(chǎng)家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)。如果用戶(hù)是自己提供的，則使用以下原則來(lái)選擇：

（1）模塊正常工作時(shí)，必須能保證冷卻底板溫度不超過(guò)75℃；

（2）當(dāng)模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻；

（3） 有水冷條件的，應(yīng)優(yōu)先水冷散熱 。

3、使用要求

（1）工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃；

（2）模塊周?chē)枰稍铩⑼L(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無(wú)塵、無(wú)腐蝕性液體或氣體。

（3）模塊電極上的銅線(xiàn)嚴(yán)禁不用端子直接壓接，以免接觸不良引起附加發(fā)熱。

（4）應(yīng)經(jīng)常測(cè)量固體繼電器導(dǎo)熱襯底側(cè)或固態(tài)繼電器附近散熱器的表面溫度，測(cè)點(diǎn)溫度應(yīng)小于80℃。 正高電氣以更積極的態(tài)度，更新、更好的產(chǎn)品，更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，迎接挑戰(zhàn)。濰坊晶閘管模塊哪家好

    VDRM）的計(jì)算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計(jì)算：由于該線(xiàn)路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒(méi)有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶(hù)采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線(xiàn)路對(duì)器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線(xiàn)路對(duì)器件耐壓要求比前一種線(xiàn)路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng)：l電力半導(dǎo)體模塊屬于溫度敏感性器件，使用時(shí)必須安裝于散熱器上。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后，在模塊底板上均勻涂上（采用滾柱來(lái)回滾動(dòng)涂抹）導(dǎo)熱硅脂，導(dǎo)熱硅脂剛好能夠覆蓋整個(gè)底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊，檢查模塊底板整個(gè)區(qū)域是否完全沾潤(rùn)。l手冊(cè)中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器、強(qiáng)通風(fēng)冷(風(fēng)速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負(fù)載下得出的。若使用條件發(fā)生變化(如感性負(fù)載)額定電流就會(huì)下降。l散熱器與模塊接觸面應(yīng)平整，散熱器的平面度≤（1）,確保良好的熱傳導(dǎo)，電極與銅排連接時(shí)。上海電磁吸盤(pán)三相交流調(diào)壓模塊公司生產(chǎn)工藝得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，優(yōu)良的品質(zhì)使我們的產(chǎn)品暢銷(xiāo)全國(guó)各地。

    軟恢復(fù)快速整流管(FRD)，旋轉(zhuǎn)整流管(ZX)，大功率組合整流元件，普通晶閘管(KP)，快速晶閘管(KK)，雙向晶閘管(KS)，逆導(dǎo)晶閘管(KN)，可關(guān)斷晶閘管(GTO)，電力晶體管(GTR)發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵(lì)磁整流組件，各種功率單元。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源，充電電源，電機(jī)調(diào)速，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件，實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)軋機(jī)原器件的國(guó)產(chǎn)化；6K、6G、8K、8G電力機(jī)車(chē)原器件也全部由我公司國(guó)產(chǎn)化，使用壽命超過(guò)了進(jìn)口元件。在自動(dòng)控制方面，我公司成功開(kāi)發(fā)出各種工控板，應(yīng)用在各種不同的場(chǎng)合，真正形成了控制方式靈活，保護(hù)齊全，可靠性高的優(yōu)勢(shì)。與模塊結(jié)合開(kāi)發(fā)了智能模塊。廣泛應(yīng)用于不同行業(yè)各種領(lǐng)。在散熱器方面公司成功開(kāi)發(fā)了，通過(guò)努力已進(jìn)入了國(guó)內(nèi)的輸變電行業(yè)、機(jī)車(chē)行業(yè)所需的高端市場(chǎng)。

    漏電流：指加一半標(biāo)稱(chēng)直流電壓時(shí)測(cè)得的流過(guò)壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低，過(guò)電壓能力強(qiáng)；平時(shí)漏電流小，放電后不會(huì)有續(xù)流，元件的標(biāo)稱(chēng)電壓等級(jí)多，便于用戶(hù)選擇；伏安特性是對(duì)稱(chēng)的，可用于交、直流或正負(fù)浪涌；因此用途較廣。2、過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類(lèi)高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制，否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí)，熱量來(lái)不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，最終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相，負(fù)載過(guò)載或短路，相鄰設(shè)備故障影響等。晶閘管過(guò)電流保護(hù)方法最常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動(dòng)作太慢，在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞；所以不能用來(lái)保護(hù)晶閘管。正高電氣我們完善的售后服務(wù)，讓客戶(hù)買(mǎi)的放心，用的安心。

    紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無(wú)窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號(hào)，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開(kāi)G極，只要GTO維持通態(tài)，就說(shuō)明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào)，如果表Ⅰ的指針向左擺到無(wú)窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí)，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1；再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷，記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù)；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是。不需要具體計(jì)算IAT、IG之值，只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值。晶體閘流管注意事項(xiàng)編輯（1）在檢查大功率GTO器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′。正高電氣始終堅(jiān)持以人為本，恪守質(zhì)量為金，同建雄績(jī)偉業(yè)。北京工業(yè)窯爐集成智能調(diào)壓模塊

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    電力電子開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術(shù)：電力電子開(kāi)關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實(shí)現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個(gè)可控的電子驅(qū)動(dòng)器件，如晶閘管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、繼電器等。其中，現(xiàn)有的晶閘管僅能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此，針對(duì)上述問(wèn)題，有必要提出進(jìn)一步的解決方案。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元；所述晶閘管單元包括：壓塊、門(mén)極壓接式組件、導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板，所述壓塊設(shè)置于所述門(mén)極壓接式組件上，并通過(guò)所述門(mén)極壓接式組件對(duì)所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板施加壓合作用力，所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板依次設(shè)置于所述銅底板上；所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊、第二門(mén)極壓接式組件、第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片，所述第二壓塊設(shè)置于所述第二門(mén)極壓接式組件上。濰坊晶閘管模塊哪家好

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