可控硅模塊特點：

1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。

2 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM和IRRM。

3 對通態電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態所必 需的極小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則IH越小。

5 對電壓上升率的：dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發的一個關鍵參數。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 我們愿與您共同努力，共擔風雨，合作共贏。日照大功率可控硅模塊報價

可控硅模塊規格的選擇方法：考慮到可控硅產品一般為非正弦電流，存在導通角問題，負載電流存在一些波動和不穩定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規格時必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計算：I＞K×I負載×U∕U實際

K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；

I負載：負載流過的強大電流； U實際：負載上的小電壓；

U強大 模塊能輸出的強大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 新疆反并聯可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評及厚愛。

可控硅元件控制大電感負載時會有干擾電網和自干擾的現象，其原因是當可控硅元件控制一個連接電感性負載的電路斷開或閉合時，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產生一個高電壓，這個電壓通過電源的內阻加在開關觸點的兩端，然后感應電壓一次次放電直到感應電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負載的開關點是一個很強的噪聲源。

可控硅模塊的分類：

1、以關斷、導通及控制方式來分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

2、以引腳和極性來分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

3、以封裝形式來分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

4、以電流容量來分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

5、以關斷速度來分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

6、過零觸發，一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅參數介紹

7、非過零觸發，無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發。

可控硅模塊屬于電氣元器件，目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開關器件，它是從普通可控硅模塊的基礎上發展而來的，使用更加方便、安全可靠。下面正高來帶您了解下雙向可控硅模塊的特點與性能。

雙向可控硅模塊是由一對反并聯連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅模塊有兩個主電極T1和T2和一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通，所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅模塊門極加正、負觸發脈沖都能使管子觸發導通，因此有四種觸發方式。雙向可控硅應用為正常使用雙向可控硅模塊，需定量掌握其主要參數，對雙向可控硅模塊進行適當選用并采取相應措施以達到各參數的要求。 淄博正高電氣有限公司始終以適應和促進發展為宗旨。日照大功率可控硅模塊報價

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可控硅鑒別三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以判斷出來。

  陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。

  控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

  若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。 日照大功率可控硅模塊報價

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