真空鍍膜的方法很多，計有：真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結而成薄膜。陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內，保持壓強約1。33～13。3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。化學氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物，獲得沉積薄膜的過程。離子鍍：實質上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結合，兼有兩者的工藝特點。真空鍍膜機真空壓鑄是一項可供鈦鑄件生產廠選用，真空鍍膜機能提高鑄件質量，降低成本的技術。淮安UV真空鍍膜

蒸發法鍍膜是將固體材料置于真空室內，在真空條件下，將固體材料加熱蒸發，蒸發出來的原子或分子能自由地彌布到容器的器壁上。當把一些加工好的基板材料放在其中時，蒸發出來的原子或分子就會吸附在基板上逐漸形成一層薄膜。根據蒸發源不同，真空蒸發鍍膜法又可 以分為四種：電阻蒸發源蒸鍍法；電子束蒸發源蒸鍍法；高頻感應蒸發源蒸鍍法；激光束蒸發源蒸鍍法。本實驗采用電阻蒸發源蒸鍍法制備金屬薄膜材料。蒸發鍍膜，要求從蒸發源出來的蒸汽分子或原子，到達被鍍膜基片的距離要小于鍍膜室內殘余氣體分子的平均自由程，這樣才能保證蒸發物的蒸汽分子能無碰撞地到達基片表面。保證薄膜純凈和牢固，蒸發物也不至于氧化。淮安UV真空鍍膜各種真空鍍膜技術都需要一個特定的真空環境。

真空鍍膜：多弧離子鍍：多弧離子鍍又稱作為電弧離子鍍，由于在陰極上有多個弧斑持續呈現，所以稱作為“多弧”。多弧離子鍍的主要特點說明：陰極電弧蒸發離化源可從固體陰極直接產生等離子體，而不產生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多個蒸發離化源。鍍料的離化率高，一般達60%～90%，卓著提高與基體的結合力改善膜層的性能。沉積速率高，改善鍍膜的效率。設備結構簡單，弧電源工作在低電壓大電流工況，工作較為安全。廣東省科學院半導體研究所。

真空鍍膜的方法：離子鍍：離子鍍Z早是由D。M。Mattox在1963年提出的。在真空條件下,利用氣體放電使氣體或蒸發物質離化,在氣體離子或蒸發物質離子轟擊作用的同時,把蒸發物質或其反應物蒸鍍在基片上。離子鍍是將輝光放電、等離子技術與真空蒸發鍍膜技術相結合的一門新型鍍膜技術。它兼具真空蒸鍍和濺射鍍膜的優點,由于荷能粒子對基體表面的轟擊,可以使膜層附著力強,繞射性好,沉積速率高,對環境無污染等好處。離子鍍的種類多種多樣,根據鍍料的氣化方式(電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、多弧加熱、高頻感應加熱等)、氣化分子或原子的離化和激發方式(輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型等),以及不同的蒸發源與不同的電離方式、激發方式可以有很多種不同的組合方式。真空鍍膜機壓鑄技術用于生產鋁、鎂、鋅、銅基合金鑄件，在機械制造行業應用已有多年的歷史。

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面。淮安UV真空鍍膜

多弧離子真空鍍膜機鍍膜膜層不易脫落。淮安UV真空鍍膜

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；被鍍基體作為陰極，利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應氣體)離化。這種方法的特點是：基板溫升大、繞射性好、附著性好，膜結構及形貌差，若用電子束加熱必須用差壓板；可用于鍍耐腐蝕潤滑機械制品。多陰極型。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠熱電子、陰極發射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，有時需要對基板加熱；可用于鍍精密機械制品、電子器件裝飾品。淮安UV真空鍍膜

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