晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內晶圓生產線以8英寸和12英寸為主。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時加工1片或多片晶圓。隨著半導體特征尺寸越來越小，加工及測量設備越來越先進，使得晶圓加工出現了新的數據特點。同時，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時，空氣中的顆粒數對晶圓加工后質量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數也出現了新的數據特點。二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。天津半導體器件加工實驗室

基于光刻工藝的微納加工技術主要包含以下過程：掩模（mask）制備、圖形形成及轉移（涂膠、曝光、顯影）、薄膜沉積、刻蝕、外延生長、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質的薄膜（抗蝕膠），曝光系統把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發生光化學作用，形成微細圖形的潛像，再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉變成具有微細圖形的窗口，后續基于抗蝕膠圖案進行鍍膜、刻蝕等可進一步制作所需微納結構或器件。天津半導體器件加工實驗室半導體硅片行業屬于技術密集型行業、資金密集型行業，行業進入壁壘極高。

用硅片制造晶片主要是制造晶圓上嵌入電子元件(如電晶體、電容、邏輯閘等)的電路，這是所需技術較復雜、投資較大的工藝。作為一個例子，單片機的加工工序多達幾百道，而且需要的加工設備也比較先進，成本較高。盡管細節處理程序會隨著產品類型和使用技術的改變而發生變化，但是它的基本處理步驟通常是晶圓片首先進行適當的清洗，然后經過氧化和沉淀處理，較后通過多次的微影、蝕刻和離子植入等步驟，較終完成了晶圓上電路的加工和制造。

刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟，是與光刻相聯系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分?？涛g是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。隨著微制造工藝的發展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法?？涛g是半導體制造工藝以及微納制造工藝中的重要步驟。

刻蝕技術是在半導體工藝，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。刻蝕技術不只是半導體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過程大致如下：先在表面涂敷一層光致抗蝕劑，然后透過掩模對抗蝕劑層進行選擇性曝光，由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同，經過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形，以此為掩模就可對襯底表面進行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質或金屬層，則選擇腐蝕以后，圖形就轉移到介質或金屬層上。干法刻蝕種類很多，包括光揮發、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。天津半導體器件加工實驗室

單晶拋光硅片加工流程：切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規格的部分。天津半導體器件加工實驗室

隨著信息技術、光通信技術的迅猛發展，MEMS發展的又一領域是與光學相結合，即綜合微電子、微機械、光電子技術等基礎技術，開發新型光器件，稱為微光機電系統(MOEMS)。它能把各種MEMS結構件與微光學器件、光波導器件、半導體激光器件、光電檢測器件等完整地集成在一起。形成一種全新的功能系統。MOEMS具有體積小、成本低、可批量生產、可精確驅動和控制等特點。較成功的應用科學研究主要集中在兩個方面:一是基于MOEMS的新型顯示、投影設備，主要研究如何通過反射面的物理運動來進行光的空間調制，典型表示為數字微鏡陣列芯片和光柵光閥:二是通信系統，主要研究通過微鏡的物理運動來控制光路發生預期的改變，較成功的有光開關調制器、光濾波器及復用器等光通信器件。MOEMS是綜合性和學科交叉性很強的高新技術，開展這個領域的科學技術研究，可以帶動大量的新概念的功能器件開發。天津半導體器件加工實驗室

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