在MOS場效應管的制作工藝中，多晶硅是作為電極材料（柵極）用的，用多晶硅構成電阻的結構。它的薄層電阻值一般為30~200歐姆/方。當用多晶硅作為大阻值電阻時，可另外再加上一次光刻，用離子注入較小劑量來得到，其阻值可達10千歐/方。MOS管電阻。由于多晶硅下面有厚的氧化層與電路隔離，其寄生電容大幅度減小，但多晶硅電阻的薄層電阻大小，除與離子注入劑量有關外，還與多晶硅的厚度，多晶硅淀積質量等因素有關，因此，用于做精密電阻還是困難的。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中較具有影響力的一種。廣東壓電半導體器件加工工廠

蝕刻是芯片生產過程中重要操作，也是芯片工業中的重頭技術。蝕刻技術把對光的應用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光并配合很大的鏡頭。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上，使之曝光。接下來停止光照并移除遮罩，使用特定的化學溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕膜，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。然后，曝光的硅將被原子轟擊，使得暴露的硅基片局部摻雜，從而改變這些區域的導電狀態，以制造出N井或P井，結合上面制造的基片，芯片的門電路就完成了。廣東壓電半導體器件加工工廠蝕刻技術把對光的應用推向了極限。

光刻是通過一系列生產步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝。在此之后，晶圓表面會留下帶有微圖形結構的薄膜。被除去的部分可能形狀是薄膜內的孔或是殘留的島狀部分。光刻生產的目標是根據電路設計的要求，生成尺寸精確的特征圖形，且在晶圓表面的位置要正確，而且與其他部件的關聯也正確。通過光刻過程，在晶圓片上保留特征圖形的部分。有時光刻工藝又被稱為Photomasking，Masking，Photolithography或Microlithography，是半導體制造工藝中較關鍵的。在光刻過程中產生的錯誤可造成圖形歪曲或套準不好，然后可轉化為對器件的電特性產生影響。

光刻是集成電路制造中利用光學-化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規光學技術發展到應用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術；使用波長已從4000埃擴展到0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。光刻也是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。清洗是晶圓加工制造過程中的重要一環。

干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕的技術。當氣體以等離子體形式存在時，它具備兩個特點：一方面等離子體中的這些氣體化學活性比常態下時要強很多，根據被刻蝕材料的不同，選擇合適的氣體，就可以更快地與材料進行反應，實現刻蝕去除的目的；另一方面，還可以利用電場對等離子體進行引導和加速，使其具備一定能量，當其轟擊被刻蝕物的表面時，會將被刻蝕物材料的原子擊出，從而達到利用物理上的能量轉移來實現刻蝕的目的。因此，干法刻蝕是晶圓片表面物理和化學兩種過程平衡的結果。半導體硅片制造包括硅單晶生長、切割、研磨、拋光、研磨、清洗、熱處理、外延、硅片分析等多個環節。廣東壓電半導體器件加工工廠

MEMS器件中摩擦表面的摩擦力主要是由于表面之間的分子相互作用力引起的，而不是由于載荷壓力引起。廣東壓電半導體器件加工工廠

與采用其他半導體技術工藝的晶體管相比，氮化鎵晶體管的一個主要優勢是其工作電壓和電流是其他晶體管的數倍。但是，這些優勢也帶來了特殊的可靠性挑戰。其中挑戰之一就是因為柵極和電子溝道之間通常使用的氮化鋁鎵。氮化鋁和氮化鎵的晶格常數不同。當氮化鋁在氮化鎵上生長時，其晶格常數被迫與氮化鎵相同，從而形成應變。氮化鋁鎵勢壘層的鋁含量越高，晶格常數之間的不匹配越高，因此應變也越高。然后，氮化鎵的壓電通過反壓電效應，在系統內產生更大應變。如果氮化鎵的壓電屬性產生電場，則反壓電效應意味著一個電場總會產生機械應變。這種壓電應變增加了氮化鋁鎵勢壘層的晶格不匹配應變。廣東壓電半導體器件加工工廠

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