掃描電子顯微鏡電子器發射出的電子束經過聚焦后匯聚成點光源；點光源在加速電壓下形成高能電子束；高能電子束經由兩個電磁透鏡被聚焦成直徑微小的光點，在透過較為后一級帶有掃描線圈的電磁透鏡后，電子束以光柵狀掃描的方式逐點轟擊到樣品表面，同時激發出不同深度的電子信號。此時，電子信號會被樣品上方不同信號接收器的探頭接收，通過放大器同步傳送到電腦顯示屏，形成實時成像記錄（圖a）。由入射電子轟擊樣品表面激發出來的電子信號有：俄歇電子（Au E）、二次電子（SE）、背散射電子（BSE）、X射線（特征X射線、連續X射線）、陰極熒光（CL）、吸收電子（AE）和透射電子（圖b）。每種電子信號的用途因作用深度而異。掃描電子顯微鏡的放大倍數范圍很寬(從5到20萬倍連續可調) ,且一次聚焦好后即可連續觀察,不用重新聚焦。專門做掃描電鏡哪家靠譜

掃描電子顯微鏡（英語：Scanning Electron Microscope，縮寫為SEM），簡稱掃描電鏡，是一種電子顯微鏡，其通過用聚焦電子束掃描樣品的表面來產生樣品表面的圖像。 顯微鏡電子束通常以光柵掃描圖案掃描。電子與樣品中的原子相互作用，產生包含關于樣品的表面測繪學形貌和組成的信息的各種信號，信號與光束的位置組合而產生圖像。掃描電子顯微鏡可以實現的分辨率優于1納米。樣品可以在高真空，低真空，濕條件（用環境掃描電子顯微鏡）以及寬范圍的低溫或高溫下觀察到。專門做掃描電鏡哪家靠譜掃描電鏡觀察厚試樣：其在觀察厚試樣時，能得到高的分辨率和比較真實的形貌。

掃描電鏡成像系統。電子經過一系列電磁透鏡成束后，打到樣品上與樣品相互作用，會產生次級電子、背散射電子、俄歇電子以及X射線等一系列信號。所以需要不同的探測器譬如次級電子探測器、X射線能譜分析儀等來區分這些信號以獲得所需要的信息。雖然X射線信號不能用于成像，但習慣上，仍然將X射線分析系統劃分到成像系統中。 有些探測器造價昂貴，比如Robinsons式背散射電子探測器，這時，可以使用次級電子探測器代替，但需要設定一個偏壓電場以篩除次級電子。

掃描電鏡在化學中的應用 掃描電鏡技術在材料學的應用十分普遍，比如，可用掃描電鏡觀察研究薄膜傳感器壓阻的靈敏度，用于觀測碳化硅顆粒增強的鋁基復合材料的界面反應產物的形貌。 五、在工業中的應用 1)在半導體工業中的應用 由于半導體器件體積小、重量輕、壽命長、功率損耗小、機械性能鈔好，因而適用的范圍廣。然而半導體器件的性能和穩定性在很大程度上受它表面的微觀狀態的影響。 一般半導體器件試制和生產過程中包括了切割、研磨，拋光以及各種化學試劑處理等一系列序，正是在這些過程中，會造成表而的結構發生驚人的變化，所以幾乎每一 個步驟都需對擴散區的深度進行測量或者直接看到擴散區的實際分布情況，而生產大型集成電路更是如此。因此，掃描電鏡被普遍應用于半導體工業中，比如，用于質 量監控與公益診斷、器件分析、失效分析和可靠性研究、電子材料研制分析等。掃描電鏡這部分主要由電子槍、電磁透鏡、掃描線圈、樣品室組成。

掃描電子顯微鏡類型多樣，不同類型的掃描電子顯微鏡存在性能上的差異。根據電子器種類可分為三種：場發射電子器、鎢絲器和六硼化鑭 。其中，場發射掃描電子顯微鏡根據光源性能可分為冷場發射掃描電子顯微鏡和熱場發射掃描電子顯微鏡。冷場發射掃描電子顯微鏡對真空條件要求高，束流不穩定，發射體使用壽命短，需要定時對針尖進行清洗，*局限于單一的圖像觀察，應用范圍有限；而熱場發射掃描電子顯微鏡不*連續工作時間長，還能與多種附件搭配實現綜合分析。在地質領域中，我們不*需要對樣品進行初步形貌觀察，還需要結合分析儀對樣品的其它性質進行分析，所以熱場發射掃描電子顯微鏡的應用更為普遍。掃描電鏡可進行樣品的原位動態觀察和特定環境實驗，在材料、納米、冶金、機械、醫學等領域都有普遍的用途。專門做掃描電鏡哪家靠譜

掃描電子顯微鏡觀測電疇是通過對樣品表面預先進行化學腐蝕來實現的 。專門做掃描電鏡哪家靠譜

掃描電鏡檢測納米材料的一切獨特性能主要源于它的超微尺寸，因此必須首先切確地知道其尺 寸，否則對納米材料的研究及應用便失去了基礎。目前該領域的檢測手段和表征方法可以使用透射電子顯微鏡（TEM）、掃描隧道顯微鏡（STM）、原子力顯微鏡（AFM）等 技術，但高分辨率的掃描電鏡（SEM）在納米級別材料的形貌觀察和尺寸檢測方面因具有簡便、可操作性強的優勢，也被大量采用。例如SEM在聚合物基紡織材料中的應用，通過掃描電鏡，可以較直觀地觀察到超微納米材料的表面形貌，可以看到納米結構、看出顆粒的均勻度，用這種方法來改變顆粒的孔分布，解決顆粒的團聚問題等。而研發功能性紡織材料是未來發展趨勢，所以掃描電鏡的作用在這個領域會越來越突顯出來。專門做掃描電鏡哪家靠譜