EMMI 技術基于半導體器件在工作時因電子 - 空穴復合產生的光子輻射現象，通過高靈敏度光學探測器捕捉微弱光子信號，能夠以皮安級電流精度定位漏電、短路等微觀缺陷。這種技術尤其適用于檢測芯片內部的柵極氧化層缺陷、金屬導線短路等肉眼難以察覺的故障，為工程師提供精確的失效位置與成因分析。

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）則聚焦于器件發熱與功能異常的關聯，利用紅外熱成像技術實時呈現半導體器件的熱分布。在高集成度芯片中，局部過熱可能引發性能下降甚至損壞，熱紅外顯微鏡通過捕捉0.1℃級別的溫度差異，可快速鎖定因功率損耗、散熱不良或設計缺陷導致的熱失效隱患。兩者結合，實現了從電學故障到熱學異常的全維度失效診斷，極大提升了分析效率與準確性。 熱紅外顯微鏡助力科研人員研究新型材料的熱穩定性與熱性能 。無損熱紅外顯微鏡運動

非破壞性分析（NDA）以非侵入方式分析樣品內部結構和性能，無需切割、拆解或化學處理，能保留樣品完整性，為后續研究留有余地，在高精度、高成本的半導體領域作用突出。

無損分析，通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像，全程無接觸，無需對晶圓、芯片等進行破壞性處理。在半導體制造中，可識別晶圓晶體缺陷；封裝階段，能檢測焊接點完整性或封裝層粘結質量；失效分析時，可定位內部短路或斷裂區域的隱性熱信號，為根源分析提供依據，完美適配半導體行業對高價值樣品的保護需求。 制冷熱紅外顯微鏡設備熱紅外顯微鏡可模擬器件實際工作溫度測試，為產品性能評估提供真實有效數據。

熱點區域對應高溫部位，可能是發熱源或故障點；等溫線連接溫度相同點，能直觀呈現溫度梯度與熱量傳導規律。目前市面上多數設備受紅外波長及探測器性能限制，普遍存在熱點分散、噪點多的問題，導致發熱區域定位不準，圖像對比度和清晰度下降，影響溫度分布判斷的準確性。

而我方設備優勢是設備抗干擾能力強，可有效減少外界環境及內部器件噪聲影響，保障圖像穩定可靠；等溫線明顯，能清晰展現溫度相同區域，便于快速掌握溫度梯度與熱傳導情況，提升熱特性分析精度；成像效果大幅提升，具備更高的空間分辨率、溫度分辨率及對比度，可清晰呈現細微細節，為分析提供高質量的圖像支持。

紅外顯微鏡（非熱紅外）與熱紅外顯微鏡應用領域各有側重。前者側重成分分析，在材料科學中用于檢測復合材料界面成分、涂層均勻性及表面污染物；生物醫藥領域可識別生物組織中蛋白質等分子分布，輔助診斷；地質學和考古學中能鑒定礦物組成與文物顏料成分；食品農業領域則用于檢測添加劑、農藥殘留及農作物成分。熱紅外顯微鏡聚焦溫度與熱特性研究，電子半導體領域可定位芯片熱點、評估散熱性能；材料研究中測試熱分布均勻性與熱擴散系數；生物醫藥領域監測細胞代謝熱分布及組織熱傳導；工業質檢能檢測機械零件隱形缺陷，評估電池充放電溫度變化。二者應用有交叉，但分別為成分分析與熱特性研究。熱紅外顯微鏡支持芯片、電路板等多類電子元件熱檢測。

在電子領域，所有器件都會在不同程度上產生熱量。器件散發一定熱量屬于正常現象，但某些類型的缺陷會增加功耗，進而導致發熱量上升。

在失效分析中，這種額外的熱量能夠為定位缺陷本身提供有用線索。熱紅外顯微鏡可以借助內置攝像系統來測量可見光或近紅外光的實用技術。該相機對波長在3至10微米范圍內的光子十分敏感，而這些波長與熱量相對應，因此相機獲取的圖像可轉化為被測器件的熱分布圖。通常，會先對斷電狀態下的樣品器件進行熱成像，以此建立基準線；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現了器件的功耗情況，可用于隔離失效問題。許多不同的缺陷在通電時會因消耗額外電流而產生過多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保護二極管等，通過熱紅外顯微鏡觀察時會顯現出來，從而使我們能夠精細定位存在缺陷的損壞部位。 芯片復雜度提升對缺陷定位技術的精度與靈敏度提出更高要求。鎖相熱紅外顯微鏡廠家

半導體芯片內部缺陷定位是工藝優化與失效分析的關鍵技術基礎。無損熱紅外顯微鏡運動

熱紅外是紅外光譜中波長介于 3–18 微米的譜段，其能量主要來自物體自身的熱輻射，而非對外界光源的反射。該波段可細分為中紅外（3–8?μm）、長波紅外（8–15?μm）和超遠紅外（15–18?μm），其熱感應本質源于分子熱振動產生的電磁波輻射，輻射強度與物體溫度正相關。在應用上，熱紅外利用大氣窗口（3–5?μm、8–14?μm）實現高精度的地表遙感監測，并廣泛應用于熱成像、氣體探測等領域。現代設備如 TIRS-2 和 O-PTIR 等，已將熱紅外技術的空間分辨率提升至納米級水平。

無損熱紅外顯微鏡運動

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