微納加工是一種先進(jìn)的制造技術(shù),通過(guò)控制和操作微米和納米級(jí)尺寸的材料和結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)對(duì)微小器件和系統(tǒng)的制造和加工。微納加工具有許多優(yōu)勢(shì),以下是其中的一些:尺寸控制精度高:微納加工技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)微米和納米級(jí)尺寸的材料和結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確控制和加工。相比傳統(tǒng)的制造技術(shù),微納加工可以實(shí)現(xiàn)更高的尺寸控制精度,通常可以達(dá)到亞微米甚至納米級(jí)別的精度。這種高精度的尺寸控制使得微納加工可以制造出更小、更精密的器件和系統(tǒng)。快速制造:微納加工技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)快速的制造過(guò)程。相比傳統(tǒng)的制造技術(shù),微納加工可以減少制造周期和交付時(shí)間,提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。快速制造可以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的快速變化,提高企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力和市場(chǎng)份額。微納加...
微納加工具有許多優(yōu)勢(shì),以下是其中的一些:制造復(fù)雜結(jié)構(gòu):微納加工技術(shù)可以制造出復(fù)雜的微米和納米級(jí)結(jié)構(gòu),如微通道、微閥門(mén)、微泵等。這些復(fù)雜結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)更多的功能,如流體控制、生物分析、能量轉(zhuǎn)換等。相比傳統(tǒng)的制造技術(shù),微納加工可以實(shí)現(xiàn)更高的結(jié)構(gòu)復(fù)雜度,從而拓展了器件和系統(tǒng)的功能和應(yīng)用領(lǐng)域。高集成度:微納加工技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)多個(gè)器件和結(jié)構(gòu)的集成制造。通過(guò)在同一芯片上制造多個(gè)器件和結(jié)構(gòu),并通過(guò)微納加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)它們之間的連接和集成,可以實(shí)現(xiàn)更高的集成度。高集成度可以減小系統(tǒng)的體積和重量,提高系統(tǒng)的性能和可靠性,降低系統(tǒng)的成本和功耗。微納加工可以實(shí)現(xiàn)對(duì)微小尺寸物體的加工和制造。淮北微納加工應(yīng)用微納加工技術(shù)在許...
由于納米壓印技術(shù)的加工過(guò)程不使用可見(jiàn)光或紫外光加工圖案,而是使用機(jī)械手段進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)移,這種方法能達(dá)到很高的分辨率。報(bào)道的很高分辨率可達(dá)2納米。此外,模板可以反復(fù)使用,無(wú)疑極大降低了加工成本,也有效縮短了加工時(shí)間。因此,納米壓印技術(shù)具有超高分辨率、易量產(chǎn)、低成本、一致性高的技術(shù)優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是一種有望代替現(xiàn)有光刻技術(shù)的加工手段。納米壓印技術(shù)已經(jīng)有了許多方面的進(jìn)展。起初的納米壓印技術(shù)是使用熱固性材料作為轉(zhuǎn)印介質(zhì)填充在模板與待加工材料之間,轉(zhuǎn)移時(shí)需要加高壓并加熱來(lái)使其固化。微納加工可以實(shí)現(xiàn)對(duì)微納材料的多尺度制備和組裝。遂寧超快微納加工隨著科技的不斷進(jìn)步和需求的不斷增長(zhǎng),微納加工的未來(lái)發(fā)展有許多可能性。...
微納測(cè)試與表征技術(shù)是微納加工技術(shù)的基礎(chǔ)與前提,微納測(cè)試包括在微納器件的設(shè)計(jì)、制造和系統(tǒng)集成過(guò)程中,對(duì)各種參量進(jìn)行微米/納米檢測(cè)的技術(shù)。微米測(cè)量主要服務(wù)于精密制造和微加工技術(shù),目標(biāo)是獲得微米級(jí)測(cè)量精度,或表征微結(jié)構(gòu)的幾何、機(jī)械及力學(xué)特性;納米測(cè)量則主要服務(wù)于材料工程和納米科學(xué),特別是納米材料,目標(biāo)是獲得材料的結(jié)構(gòu)、地貌和成分的信息。在半導(dǎo)體領(lǐng)域人們所關(guān)心的與尺寸測(cè)量有關(guān)的參數(shù)主要包括:特征尺寸或線(xiàn)寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來(lái),微納測(cè)試與表征技術(shù)正朝著從二維到三維、從表面到內(nèi)部、從靜態(tài)到動(dòng)態(tài)、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展。探索新的測(cè)量原理、測(cè)試方法和表征技術(shù),發(fā)...
在過(guò)去的幾年中,全球各地的研究機(jī)構(gòu)和一些大學(xué)已開(kāi)始集中研究微觀和納米尺度現(xiàn)象、器件和系統(tǒng)。雖然這一領(lǐng)域的研究產(chǎn)生了微納制造方面的先進(jìn)知識(shí),但比較顯然,這些知識(shí)的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用將是增強(qiáng)這些技術(shù)未來(lái)增長(zhǎng)的關(guān)鍵。雖然在這些領(lǐng)域的大規(guī)模生產(chǎn)方面已經(jīng)取得了進(jìn)步,但微納制造技術(shù)的主要生產(chǎn)環(huán)境仍然是停留在實(shí)驗(yàn)室中,在企業(yè)的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中難得一見(jiàn)。這就導(dǎo)致企業(yè)在是否采用這些技術(shù)方面猶豫不決,擔(dān)心它們可能引入未知因素,影響制造鏈的性能與質(zhì)量。就這一點(diǎn)而言,投資于基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展,如更高的模塊化、靈活性和可擴(kuò)展性可能會(huì)有助于生產(chǎn)成本的減少,對(duì)于新生產(chǎn)平臺(tái)成功推廣至關(guān)重要。這將有助于吸引產(chǎn)業(yè)界的積極參與,與率先的研究實(shí)驗(yàn)...
MEMS(微機(jī)電系統(tǒng)),是指以微型化、系統(tǒng)化的理論為指導(dǎo),通過(guò)半導(dǎo)體制造等微納加工手段,形成特征尺度為微納米量級(jí)的系統(tǒng)裝置。相對(duì)于先進(jìn)的集成電路(IC)制造工藝(遵循摩爾定律),MEMS制造工藝不單純追求線(xiàn)寬而注重功能特色化,即利用微納結(jié)構(gòu)或/和敏感材料實(shí)現(xiàn)多種傳感和執(zhí)行功能,工藝節(jié)點(diǎn)通常從500nm到110nm,襯底材料也不局限硅,還包括玻璃、聚合物、金屬等。由MEMS技術(shù)構(gòu)建的產(chǎn)品往往具有體積小、重量輕、功耗低、成本低等優(yōu)點(diǎn),已廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、手機(jī)、工業(yè)、醫(yī)療、國(guó)防、航空航天等領(lǐng)域。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺(tái),面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前...
微納加工的技術(shù)挑戰(zhàn):雖然微納加工在各個(gè)領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,但是在實(shí)際應(yīng)用中還存在一些技術(shù)挑戰(zhàn),下面將介紹其中的幾個(gè)主要挑戰(zhàn)。加工材料:微納加工的加工材料也是一個(gè)挑戰(zhàn),特別是對(duì)于一些難加工材料,如硅、金屬等。這些材料的加工性能較差,容易產(chǎn)生劃痕、裂紋等問(wèn)題。因此,如何選擇合適的加工材料和開(kāi)發(fā)適應(yīng)性強(qiáng)的加工工藝成為一個(gè)重要的研究方向。加工尺寸:微納加工的加工尺寸也是一個(gè)挑戰(zhàn),特別是對(duì)于一些超微米和納米尺度的加工。由于加工尺寸的縮小,加工過(guò)程中的表面效應(yīng)、量子效應(yīng)等因素變得更加明顯,對(duì)加工工藝和設(shè)備的要求也更高。微納加工技術(shù)可以制造出更先進(jìn)的航空航天和軍業(yè)設(shè)備,提高設(shè)備的性能和安全性,同時(shí)降低成本和...
微納加工是一種先進(jìn)的制造技術(shù),通過(guò)控制和操作微米和納米級(jí)尺寸的材料和結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)對(duì)微小器件和系統(tǒng)的制造和加工。微納加工具有許多優(yōu)勢(shì),以下是其中的一些:尺寸控制精度高:微納加工技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)微米和納米級(jí)尺寸的材料和結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確控制和加工。相比傳統(tǒng)的制造技術(shù),微納加工可以實(shí)現(xiàn)更高的尺寸控制精度,通常可以達(dá)到亞微米甚至納米級(jí)別的精度。這種高精度的尺寸控制使得微納加工可以制造出更小、更精密的器件和系統(tǒng)。快速制造:微納加工技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)快速的制造過(guò)程。相比傳統(tǒng)的制造技術(shù),微納加工可以減少制造周期和交付時(shí)間,提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。快速制造可以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的快速變化,提高企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力和市場(chǎng)份額。微納制...
微納加工技術(shù)具有高精度、科技含量高、產(chǎn)品附加值高等特點(diǎn),能突顯一個(gè)國(guó)家工業(yè)發(fā)展水平,在推動(dòng)科技進(jìn)步、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、提升生活品質(zhì)等方面都發(fā)揮著重要作用。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺(tái),是國(guó)內(nèi)少數(shù)擁有完整半導(dǎo)體工藝鏈的研究平臺(tái)之一,可進(jìn)行鍍膜、光刻、刻蝕等工藝,加工尺寸覆蓋2-6英寸。微納加工平臺(tái)將面向國(guó)內(nèi)外科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)提供全方面的開(kāi)放服務(wù),對(duì)半導(dǎo)體材料與器件的深入研發(fā)給予全方面支持,能夠?yàn)閺V大科研單位和企業(yè)提供高質(zhì)量檔次服務(wù)。微納加工平臺(tái),主要是兩個(gè)方面:微納加工、微納檢測(cè)。紹興微納加工應(yīng)用 微納加工可以滿(mǎn)足高精度三維結(jié)構(gòu)制備、多材料微納結(jié)構(gòu)加工以及器件成型與集成的...
光刻是半導(dǎo)體制造中常用的技術(shù)之一,是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎(chǔ)。然而,深紫外和極紫外光刻系統(tǒng)及其相應(yīng)的光學(xué)掩模都是基于低速高成本的電子束光刻(EBL)或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術(shù),導(dǎo)致其價(jià)格都相對(duì)昂貴。因此,無(wú)掩模的高速制備法是微納結(jié)構(gòu)制備的優(yōu)先方法。在這些無(wú)掩模方法中,直接激光寫(xiě)入(direct laser writing, DLW)是一種重要的、被廣采用的微處理技術(shù),能夠提供比較低的價(jià)格和相對(duì)較高的吞吐量。但是,實(shí)際應(yīng)用中存在兩個(gè)主要挑戰(zhàn):一是與FIB和EBL相比,分辨率還不夠高。微納加工平臺(tái)包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測(cè)量!南陽(yáng)半導(dǎo)體微納加工 ...
“納米制造”路線(xiàn)圖強(qiáng)調(diào)了未來(lái)納米表面制造的發(fā)展。問(wèn)卷調(diào)查探尋了納米表面制備所面臨的機(jī)遇。調(diào)查中提出的問(wèn)題旨在獲取納米表面特征的相關(guān)信息:這種納米表面結(jié)構(gòu)可以是形貌化、薄膜化的改良表面區(qū)域,也可以是具有相位調(diào)制或一定晶粒尺寸的涂層。這類(lèi)結(jié)構(gòu)構(gòu)建于眾多固體材料表面,如金屬、陶瓷、玻璃、半導(dǎo)體和聚合物等。總結(jié)了調(diào)查結(jié)果與發(fā)現(xiàn),并闡明了未來(lái)納米表面制造的前景。納米表面可產(chǎn)生自材料的消解、沉積、改性或形成過(guò)程。這導(dǎo)致制備出的納米表面帶有納米尺度所特有的新的化學(xué)、物理和生物特性(比如催化作用、磁性質(zhì)、電性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)或抗細(xì)菌性)。在納米科學(xué)許多已有的和新興的子領(lǐng)域中,表面工程已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了從基礎(chǔ)科學(xué)向現(xiàn)實(shí)應(yīng)用...
在過(guò)去的50多年中,微納加工技術(shù)的進(jìn)步極大地促進(jìn)了微電子技術(shù)和光電子技術(shù)的發(fā)展。微電子技術(shù)的發(fā)展以超大規(guī)模集成電路為,集成度以每18個(gè)月翻一番的速度提高,使得以90nm為小電路尺寸的集成電路芯片已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn).以光刻與刻蝕為基礎(chǔ)的平面為加工技術(shù)已經(jīng)成為超大規(guī)模集成電路的技術(shù),隨著電子束光刻技術(shù)和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)的出現(xiàn),平面微納加工工藝正在推動(dòng)以單電子器件與自旋電子器件為的新一代納米電子學(xué)的發(fā)展.微納加工技術(shù)具有高精度、科技含量高、產(chǎn)品附加值高等特點(diǎn)!濮陽(yáng)微納加工中心2012年北京工業(yè)大學(xué)Duan等使用課題組自行研制的皮秒激光器對(duì)金屬鉬、鈦和不銹鋼進(jìn)行了精密制孔研究...
電子束光刻技術(shù)是利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫(huà)或投影復(fù)印圖形的技術(shù).電子抗蝕劑是一種對(duì)電子敏感的高分子聚合物,經(jīng)過(guò)電子束掃描過(guò)的電子抗蝕劑發(fā)生分子鏈重組,使曝光圖形部分的抗蝕劑發(fā)生化學(xué)性質(zhì)改變。經(jīng)過(guò)顯影和定影,獲得高分辨率的抗蝕劑曝光圖形。電子束光刻技術(shù)的主要工藝過(guò)程為涂膠、前烘、電子束曝光、顯影和堅(jiān)膜。現(xiàn)代的電子束光刻設(shè)備已經(jīng)能夠制作小于10nm的精細(xì)線(xiàn)條結(jié)構(gòu)。電子束光刻設(shè)備也是制作光學(xué)掩膜版的重要工具。影響曝光精度的內(nèi)部工藝因素主要取決于電子束斑尺寸、掃描步長(zhǎng)、電子束流劑量和電子散射引起的鄰近效應(yīng)。高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過(guò)電子束直寫(xiě)或激光直寫(xiě)制作!珠海微納加工中心 ...
在微電子與光電子集成中,薄膜的形成方法主要有兩大類(lèi),及沉積和外延生長(zhǎng)。沉積技術(shù)分為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積(熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā))和濺射沉積是典型的物理方法;化學(xué)氣相沉積是典型的化學(xué)方法;等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是物理與化學(xué)方法相結(jié)合的混合方法。薄膜沉積過(guò)程,通常生成的是非晶膜和多晶膜,沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機(jī)的,而沒(méi)有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。外延生長(zhǎng)實(shí)質(zhì)上是材料科學(xué)的薄膜加工方法,其含義是:在一個(gè)單晶的襯底上,定向地生長(zhǎng)出與基底晶態(tài)結(jié)構(gòu)相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法,如電化學(xué)沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等,也都廣用于微納制作工藝中。不同的表面微納結(jié)構(gòu)可以呈現(xiàn)出...
微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類(lèi)。“自上而下”是從宏觀對(duì)象出發(fā),以光刻工藝為基礎(chǔ),對(duì)材料或原料進(jìn)行加工,小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定。“自下而上”技術(shù)則是從微觀世界出發(fā),通過(guò)控制原子、分子和其他納米對(duì)象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起,形成微納結(jié)構(gòu)與器件。基于光刻工藝的微納加工技術(shù)主要包含以下過(guò)程:掩模(mask)制備、圖形形成及轉(zhuǎn)移(涂膠、曝光、顯影)、薄膜沉積、刻蝕、外延生長(zhǎng)、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質(zhì)的薄膜(抗蝕膠),曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在(抗蝕膠)薄膜上,光(光子)的曝光過(guò)程是通過(guò)光化學(xué)作用使抗蝕膠發(fā)生光化學(xué)作用...
微納加工技術(shù)也可分為機(jī)械加工、化學(xué)腐蝕、能量束加工、復(fù)合加工、隧道掃描顯微技術(shù)加工等方法。機(jī)械加工方法包括單晶金剛石刀具的超精密切割、金剛石砂輪和CBN砂輪的超精密磨削和鏡面磨削、磨削、砂帶拋光等固定磨料工具的加工、磨削、拋光等自由磨料的加工。能束加工可以去除加工對(duì)象、添加和表面改性。例如,激光切割、鉆孔和表面硬化改性。光刻、焊接、微米和納米鉆孔、切割、離子和等離子體蝕刻等。能量束的加工方法還包括電火花加工、電化學(xué)加工、電解射流加工、分子束延伸等。微納加工是的技術(shù),可以進(jìn)行原子級(jí)操作和原子去除、添加和搬遷。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺(tái),面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器...
微納加工-薄膜沉積與摻雜工藝。在微納加工過(guò)程中,薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積(熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā))和濺射沉積是典型的物理方法,主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下,利用電阻加熱至材料的熔化溫度,使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜,而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱;磁控濺射在高真空,在電場(chǎng)的作用下,Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材,使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底;磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好,熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點(diǎn)金屬薄膜或者厚膜;化學(xué)氣相沉積(CVD)是典型的化學(xué)方法而等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是物理與化學(xué)相...
美國(guó)在微納加工技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著主導(dǎo)作用。由于電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)、航空航天技術(shù)和激光技術(shù)的需要,美國(guó)于1962年開(kāi)發(fā)了金剛石刀具超精細(xì)切割機(jī)床,解決了激光核聚變反射鏡、天體望遠(yuǎn)鏡等光學(xué)部件和計(jì)算機(jī)磁盤(pán)加工,奠定了微加工技術(shù)的基礎(chǔ),隨后西歐和日本微加工技術(shù)發(fā)展迅速。微納加工技術(shù)是一種新興的綜合加工技術(shù)。它整合了現(xiàn)代機(jī)械、光學(xué)、電子、計(jì)算機(jī)、測(cè)量和材料等先進(jìn)技術(shù)成果,使加工精度從20世紀(jì)60年代初的微米水平提高到目前的10m水平,在幾十年內(nèi)提高了1~2個(gè)數(shù)量級(jí),很大程度提高了產(chǎn)品的性能和可靠性。目前,微納加工技術(shù)已成為國(guó)家科技發(fā)展水平的重要標(biāo)志。隨著各種新型功能陶瓷材料的成功...
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于推動(dòng)微納加工技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,為歐洲的微納產(chǎn)品制造商及設(shè)備供應(yīng)商提供技術(shù)支撐,幫助他們?cè)陉P(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域建立、維持全球地位。 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所發(fā)布的微納加工技術(shù)前景展望總結(jié)了其戰(zhàn)略研究議程(SRA)的要點(diǎn),確定出微納加工發(fā)展的新趨勢(shì),為維持和進(jìn)一步增強(qiáng)歐洲工業(yè)在微納加工技術(shù)領(lǐng)域中的地位,提供了未來(lái)投資和研發(fā)戰(zhàn)略指導(dǎo)。從短期來(lái)看,微納加工技術(shù)不會(huì)對(duì)環(huán)境和能源成本產(chǎn)生重大的影響。受到當(dāng)前加工技術(shù)的限制,這些技術(shù)在早期的發(fā)晨階段往往會(huì)有較高的能源成本。與此同時(shí),微納加工一旦成熟,將會(huì)消耗更少的能源與資源,就此而言,微納加工無(wú)凝是一項(xiàng)令人振奮的技術(shù)。例如,與去...
電子束光刻技術(shù)是利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫(huà)或投影復(fù)印圖形的技術(shù).電子抗蝕劑是一種對(duì)電子敏感的高分子聚合物,經(jīng)過(guò)電子束掃描過(guò)的電子抗蝕劑發(fā)生分子鏈重組,使曝光圖形部分的抗蝕劑發(fā)生化學(xué)性質(zhì)改變。經(jīng)過(guò)顯影和定影,獲得高分辨率的抗蝕劑曝光圖形。電子束光刻技術(shù)的主要工藝過(guò)程為涂膠、前烘、電子束曝光、顯影和堅(jiān)膜。現(xiàn)代的電子束光刻設(shè)備已經(jīng)能夠制作小于10nm的精細(xì)線(xiàn)條結(jié)構(gòu)。電子束光刻設(shè)備也是制作光學(xué)掩膜版的重要工具。影響曝光精度的內(nèi)部工藝因素主要取決于電子束斑尺寸、掃描步長(zhǎng)、電子束流劑量和電子散射引起的鄰近效應(yīng)。高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過(guò)電子束直寫(xiě)或激光直寫(xiě)制作!三明微納加工應(yīng)用在微電子與光電...
電子束的能量越高,束斑的直徑就越小,比如10keV的電子束斑直徑為4nm,20keV時(shí)就減小到2nm。電子束的掃描步長(zhǎng)由束斑直徑所限制。步長(zhǎng)過(guò)大,不能實(shí)現(xiàn)緊密地平面束掃描;步長(zhǎng)過(guò)小,電子束掃描區(qū)域會(huì)受到過(guò)多的電子散射作用。電子束流劑量由電子束電流強(qiáng)度和駐留時(shí)間所決定。電子束流劑量過(guò)小,抗蝕劑不能完全感光;電子束流劑量過(guò)大,圖形邊緣的抗蝕劑會(huì)受到過(guò)多的電子散射作用。由于高能量的電子波長(zhǎng)要比光波長(zhǎng)短成百上千倍,因此限制分辨率的不是電子的衍射,而是各種電子像散和電子在抗蝕劑中的散射。電子散射會(huì)使圖形邊緣內(nèi)側(cè)的電子能量和劑量降低,產(chǎn)生內(nèi)鄰近效應(yīng);同時(shí)散射的電子會(huì)使圖形邊緣外側(cè)的抗蝕劑感光,產(chǎn)生外鄰近效...
隨著電子束光刻技術(shù)和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)的出現(xiàn),平面微納加工工藝正在推動(dòng)以單電子器件與自旋電子器件為代標(biāo)的新一代納米電子學(xué)的發(fā)展.當(dāng)微納加工技術(shù)應(yīng)用到光電子領(lǐng)域,就形成了新興的納米光電子技術(shù),主要研究納米結(jié)構(gòu)中光與電子相互作用及其能量互換的技術(shù).納米光電子技術(shù)在過(guò)去的十多年里,一方面,以低維結(jié)構(gòu)材料生長(zhǎng)和能帶工程為基礎(chǔ)的納米制造技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展,包括分子束外延(MBE)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(MOCVD)和化學(xué)束外延(CBE),使得在晶片表面外延生長(zhǎng)方向(直方向)的外延層精度控制到單個(gè)原子層,從而獲得了具有量子尺寸效應(yīng)的半導(dǎo)體材料;另一方面,平面納米加工工藝實(shí)現(xiàn)了納...
在微電子與光電子集成中,薄膜的形成方法主要有兩大類(lèi),及沉積和外延生長(zhǎng)。沉積技術(shù)分為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積(熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā))和濺射沉積是典型的物理方法;化學(xué)氣相沉積是典型的化學(xué)方法;等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是物理與化學(xué)方法相結(jié)合的混合方法。薄膜沉積過(guò)程,通常生成的是非晶膜和多晶膜,沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機(jī)的,而沒(méi)有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。外延生長(zhǎng)實(shí)質(zhì)上是材料科學(xué)的薄膜加工方法,其含義是:在一個(gè)單晶的襯底上,定向地生長(zhǎng)出與基底晶態(tài)結(jié)構(gòu)相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法,如電化學(xué)沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等,也都廣用于微納制作工藝中。高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過(guò)電子...