光刻是半導體制造中常用的技術之一，是現代光電子器件制造的基礎。然而，深紫外和極紫外光刻系統及其相應的光學掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術，導致其價格都相對昂貴。因此，無掩模的高速制備法是微納結構制備的優先方法。在這些無掩模方法中，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的、被廣采用的微處理技術，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量。但是，實際應用中存在兩個主要挑戰：一是與FIB和EBL相比，分辨率還不夠高。微納加工平臺包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測量！南陽半導體微納加工

       當微納加工技術應用到光電子領域，就形成了新興的納米光電子技術，主要研究納米結構中光與電子相互作用及其能量互換的技術.納米光電子技術在過去的十多年里，一方面，以低維結構材料生長和能帶工程為基礎的納米制造技術有了長足的發展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應的半導體材料;另一方面，平面納米加工工藝實現了納米尺度的光刻和橫向刻蝕，使得人工橫向量子限制的量子線與量子點的制作成為可能.同時，光子晶體概念的出現，使得納米平面加工工藝廣地應用到光介質材料折射率周期性的改變中。南陽半導體微納加工微納加工包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測量等。

    微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類。“自上而下”是從宏觀對象出發，以光刻工藝為基礎，對材料或原料進行加工，小結果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環節的分辨力決定。“自下而上”技術則是從微觀世界出發，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構建在一起，形成微納結構與器件。基于光刻工藝的微納加工技術主要包含以下過程：掩模（mask）制備、圖形形成及轉移（涂膠、曝光、顯影）、薄膜沉積、刻蝕、外延生長、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質的薄膜（抗蝕膠），曝光系統把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發生光化學作用，形成微細圖形的潛像，再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉變成具有微細圖形的窗口，后續基于抗蝕膠圖案進行鍍膜、刻蝕等可進一步制作所需微納結構或器件。

   廣東省科學院半導體研究所致力于推動微納加工技術的研發與產業化，為歐洲的微納產品制造商及設備供應商提供技術支撐，幫助他們在關鍵技術領域建立、維持全球地位。 廣東省科學院半導體研究所發布的微納加工技術前景展望總結了其戰略研究議程(SRA)的要點，確定出微納加工發展的新趨勢，為維持和進一步增強歐洲工業在微納加工技術領域中的地位，提供了未來投資和研發戰略指導。從短期來看，微納加工技術不會對環境和能源成本產生重大的影響。受到當前加工技術的限制，這些技術在早期的發晨階段往往會有較高的能源成本。與此同時，微納加工一旦成熟，將會消耗更少的能源與資源，就此而言，微納加工無凝是一項令人振奮的技術。例如，與去除邊角料獲得終產品不同的是，微納加工采用的積層法將會使得廢料更少。在硅材料刻蝕當中，硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕，硅柱的刻蝕需要用到各項異性刻蝕。

    激光微納加工技術的實現方式：接觸式并行激光加工技術是指利用微球體顆粒進行激光圖案化。微球激光納米加工的機理。微球激光納米加工技術初源于對激光清潔領域的研究。研究發現，基底上的微小球形顆粒在脈沖激光照射后，基底上球形顆粒的中心位置能夠產生亞波長尺寸的微/納孔。對于金屬顆粒而言，這是由于顆粒與基底之間的LSPR產生的強電磁場增強造成的；對于介質顆粒而言，由于其大半部分是透明的，可以將透明顆粒看成為微球透鏡，入射光在微球形透鏡的底面實現聚焦而引起的電磁場增強。這一過程可以實現入射光強度的60倍增強。通過對微球的直徑，折射率，環境以及入射的激光強度進行設計，可以實現在基底上燒蝕出亞波長尺寸的微/納孔。微球激光納米加工的實現方式對于微球激光納米加工技術，根據操縱微球顆粒排列方式的不同，可以分為兩類：一是利用光鑷技術操縱微球體顆粒以制造任意圖案；二是利用自組裝技術制造微球體陣列掩模。這種基于微球體的并行激光加工是納米制造中一種比較經濟的方法。 微納加工按技術分類，主要分為平面工藝、探針工藝、模型工藝。南陽半導體微納加工

微納制造技術研發和應用標志著人類可以在微、納米尺度認識和改造世界！南陽半導體微納加工

    微納加工：干法刻蝕VS濕法刻蝕！刻蝕工藝：用化學或物理方法有選擇性地從某一材料表面去除不需要那部分的過程，獲得目標圖形。在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應，形成揮發性物質，或直接轟擊薄膜表面使之被刻蝕的工藝。特點：能實現各向異性刻蝕，從而保證細小圖形轉移后的保真性。缺點：造價高。濕法刻蝕是通過化學刻蝕液和被刻蝕物質之間的化學反應將被刻蝕物質剝離下來的方法。大多數濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。特點：適應性強，表面均勻性好、對硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。缺點：圖形刻蝕保真想過不理想，刻蝕圖形的小線難以掌控。 南陽半導體微納加工

廣東省科學院半導體研究所在微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務一直在同行業中處于較強地位，無論是產品還是服務，其高水平的能力始終貫穿于其中。公司位于長興路363號，成立于2016-04-07，迄今已經成長為電子元器件行業內同類型企業的佼佼者。廣東省半導體所以微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務為主業，服務于電子元器件等領域，為全國客戶提供先進微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務。多年來，已經為我國電子元器件行業生產、經濟等的發展做出了重要貢獻。