這幾年，臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝上一路策馬揚(yáng)鞭，春風(fēng)得意，能夠追趕的也只有三星了，但是后者的工藝品質(zhì)一直飽受質(zhì)疑。

　　IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會(huì)上，三星(確切地說是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工藝制造的芯片，是一顆256Mb(32MB)容量的SRAM存儲(chǔ)芯片，這也是新工藝落地傳統(tǒng)的第一步。

　　在三星路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節(jié)點(diǎn)，其他則是升級(jí)改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。

　　三星將在3nm工藝上第一次應(yīng)用GAAFET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù)，再次實(shí)現(xiàn)了晶體管結(jié)構(gòu)的突破，比現(xiàn)在的FinFET立體晶體管又是一大飛躍。

　　GAAFET技術(shù)又分為兩種類型，一是常規(guī)GAAFET，使用納米線(nanowire)作為晶體管的鰭(fin)，二是MBCFET(多橋通道場效應(yīng)晶體管)，使用的鰭更厚更寬一些，稱之為納米片(nanosheet)。

　　三星的第一顆3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面積56平方毫米，最令三星驕傲的就是超低功耗，寫入電壓只需要區(qū)區(qū)0.23V，這要感謝MBCFET的多種省電技術(shù)。

　　按照三星的說法，3GAE工藝相比于其7LPP，可將晶體管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。

　　或許，這可以讓三星更好地控制芯片功耗、發(fā)熱，避免再出現(xiàn)所謂的“翻車”。

　　三星3nm預(yù)計(jì)明年投入量產(chǎn)，但尚未公布任何客戶。

　　臺(tái)積電方面，3nm繼續(xù)使用FinFET技術(shù)，號(hào)稱相比于5nm晶體管密度增加70%，性能可提升11%，或者功耗可降低27%，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候投入試產(chǎn)，明年量產(chǎn)，客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等，甚至據(jù)說Intel也會(huì)用。