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在半導體離子注入后退火工藝中,管式爐如何優化性能?

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賽瑞達智能電子裝備(無錫)有限公司2025-06-17

離子注入會造成晶圓晶格損傷,需通過退火修復。管式爐采用快速熱退火(RTA)技術,利用鹵素燈或激光加熱,升溫速率可達 100℃/s,在 1100℃高溫下短時間(數秒)處理,激其活摻雜離子(如硼、磷),同時減少雜質擴散。為避免氧化,爐內通入高純氮氣或氬氣,部分工藝還會加入微量氫氣鈍化缺陷。精確的溫度控制和短熱預算,能有效提升晶體管的載流子遷移率和開關速度。

賽瑞達智能電子裝備(無錫)有限公司
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簡介:賽瑞達成立于2021年,專注于半導體設備的研發、生產與銷售。公司位于無錫,致力于提供定制化解決方案。
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賽瑞達致力于成為半導體裝備的主導品牌。
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