氧化退火爐中的 “邊緣效應” 如何影響半導體器件？

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賽瑞達智能電子裝備（無錫）有限公司2025-06-17

爐管邊緣硅片因溫度與中心存在差異（偏差＞2℃），導致氧化層厚度或摻雜激其活不均勻，引發(fā)芯片邊緣器件性能離散。現(xiàn)代爐管通過氣流模擬和多區(qū)加熱補償邊緣效應。

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簡介：賽瑞達成立于2021年，專注于半導體設備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。公司位于無錫，致力于提供定制化解決方案。

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