常州源奧流體科技有限公司2025-05-16
1. 成核與晶體生長
高轉速:
促進成核:劇烈攪拌增加溶液的過飽和度均勻性,加速分子碰撞,導致初級成核速率提高,可能生成更多細小晶體。
抑制晶體生長:高剪切力可能破壞晶體表面,導致晶體生長受限,甚至產生二次成核(晶體斷裂或碰撞產生新晶核)。
低轉速:
減少成核:過飽和度分布不均,成核速率降低,可能形成較少但較大的晶體。
利于生長:剪切力小,晶體表面穩定性高,生長占主導。
2. 粒度分布
高轉速:通常導致更窄的粒度分布(若混合均勻),但也可能因二次成核產生細晶,形成雙峰分布。
低轉速:易出現寬分布,局部過飽和可能導致不規則生長(如枝晶或團聚)。
3. 混合與傳質
均勻性:高轉速確保溶液濃度和溫度均勻,避免局部過飽和引發的爆發性成核。
傳質速率:轉速提升加快溶質分子向晶體表面的擴散,促進生長;但過高轉速可能導致邊界層厚度過薄,反而不利于有序生長。
4. 晶體質量
晶形完整性:過高轉速的剪切力可能導致晶體破損(如針狀或片狀晶體斷裂),影響晶形。
包裹現象:適度攪拌減少雜質包裹;但轉速過低可能導致溶劑或雜質截留在晶體中。
5. 工藝效率
結垢風險:高轉速可能加劇攪拌槳或器壁的晶體沉積(需權衡剪切力與抗結垢設計)。
能耗:轉速增加會顯著提高能耗,需優化以平衡經濟性與效果。
6. 其他影響因素
體系依賴性:
高粘度溶液:需要更高轉速確保混合。
剪切敏感物質(如蛋白質晶體):需嚴格控制低轉速。
結晶方式:
冷卻結晶:轉速影響傳熱和過飽和度控制。
反應結晶:需保證反應物充分混合。
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