SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統時鐘驅動的，SDRAM所有的輸入信號都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發內部計數器和輸出寄存器；2、CKE為時鐘使能信號，高電平時時鐘有效，低電平時時鐘無效，CKE為低電平時SDRAM處于預充電斷電模式和自刷新模式。此時包括CLK在內的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號，低電平有效，當CS#為高時器件內部所有的命令信號都被屏蔽，同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效，這三個信號與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數據掩碼信號。寫數據時，當DQM為高電平時對應的寫入數據無效，DQML與DQMU分別對應于數據信號的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號，在讀寫命令時行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號，用以確定當前的命令操作對哪一個BANK有效。8、DQ<0..15>為數據總線信號，讀寫操作時的數據信號通過該總線輸出或輸入。京曉科技教您如何設計PCB。荊州PCB設計銷售電話

電氣方面注意事項（1）TVS管、ESD、保險絲等保護器件靠近接口放置；（2）熱敏器件遠離大功率器件布局；（3）高、中、低速器件分區布局；（4）數字、模擬器件分區布局；（5）電源模塊、模擬電路、時鐘電路、射頻電路、隔離器件布局按器件資料；（6）串聯電阻靠近源端放置；串聯電容靠近末端放置；并聯電阻靠近末端放置；（7）退藕電容靠近芯片的電源管腳；（8）接口電路靠近接口；（9）充分考慮收發芯片距離，以便走線長度滿足要求；（10）器件按原理圖擺一起；（11）二極管、LED等極性與原理圖應保持一致。荊州PCB設計銷售電話京曉科技與您分享PCB設計工藝以及技巧。

FPGA管換注意事項，首先和客戶確認是否可以交換以及交換原則，其次，在FPGA交換管腳期間，不允許有原理圖的更改，如果原理圖要更改，在導入更改之后再調整管腳，管換的一般原則如下，在調整時應嚴格意遵守：（1）基本原則：管腳不能調整，I/O管腳、Input管腳或者Output管腳可調整。（2）FPGA的同一BANK的供電電壓相同，如果兩個Bank電壓不同，則I/O管腳不能交換；如果電壓相同，應優先考慮在同一BANK內交換，其次在BANK間交換。（3）對于全局時鐘管腳，只能在全局時鐘管腳間進行調整，并與客戶進行確認。（4）差分信號對要關聯起來成對調整，成對調整，不能單根調整，即N和N調整，P和P調整。（5）在管腳調整以后，必須進行檢查，查看交換的內容是否滿足設計要求。（6）與調整管腳之前的PCB文件對比，生產交換管腳對比的表格給客戶確認和修改原理圖文件。

評估平面層數，電源平面數的評估：分析單板電源總數與分布情況，優先關注分布范圍大，及電流大于1A以上的電源(如:+5V，+3.3V此類整板電源、FPGA/DSP的核電源、DDR電源等）。通常情況下：如果板內無BGA封裝的芯片，一般可以用一個電源層處理所有的電源；如果有BGA封裝的芯片，主要以BGA封裝芯片為評估對象，如果BGA內的電源種類數≤3種，用一個電源平面，如果＞3種，則使用2個電源平面，如果＞6則使用3個電源平面，以此類推。備注：1、對于電流＜1A的電源可以采用走線層鋪銅的方式處理。2、對于電流較大且分布較集中或者空間充足的情況下采用信號層鋪銅的方式處理。地平面層數的評估：在確定了走線層數和電源層數的基礎上，滿足以下疊層原則：1、疊層對稱性2、阻抗連續性3、主元件面相鄰層為地層4、電源和地平面緊耦合（3）層疊評估:結合評估出的走線層數和平面層數，高速線優先靠近地層的原則，進行層疊排布。不同存儲容量及不同數據寬度的器件有所不同。

整板扇出（1）對板上已處理的表層線和過孔按照規則進行相應的調整。（2）格點優先選用25Mil的，其次采用5Mil格點，過孔扇出在格點上，相同器件過孔走線采用復制方式，保證過孔上下左右對齊、常見分立器件的扇出形式（3）8MIL過孔中心間距35MIL以上，10MIL過孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過孔間距一般為30Mil（或過孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過電容再打過孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過孔附近30-50Mil內加回流地孔，模塊內通過表層線直連，無法連接的打過孔處理。（6）電源輸出過孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過孔扇出在輸入濾波電容之前，過孔數目滿足電源載流要求，過孔通流能力參照，地孔數不少于電源過孔數。PCB設計中如何評估平面層數？荊州PCB設計銷售電話

PCB設計疊層相關方案。荊州PCB設計銷售電話

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數據率SDRAM”，是在SDRAM的基礎上改進而來，人們習慣稱為DDR，DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數據傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數據，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進行讀寫操作時CKE要保持為高電平，當CKE由高電平變為低電平時，器件進入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時），當CKE由低電平變為高電平時，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號，低電平有效。當CS#為高時器件內部的命令解碼將不工作。同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。荊州PCB設計銷售電話

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