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湖州微米氧化鋁銷售公司

來源: 發布時間:2023年06月28日

在現有可作為基板材料使用的陶瓷材料中,Si3N4陶瓷抗彎強度很高,耐磨性好,是綜合機械性能很好的陶瓷材料,同時其熱膨脹系數很小,因而被很多人認為是一種很有潛力的功率器件封裝基片材料。但是其制備工藝復雜,成本較高,熱導率偏低,主要適合應用于強度要求較高但散熱要求不高的領域。而氮化鋁各方面性能同樣也非常,尤其是在電子封裝對熱導率的要求方面,氮化鋁優勢巨大。不足的是,較高成本的原料和工藝使得氮化鋁陶瓷價格很高,這是制約氮化鋁基板發展的主要問題。但是隨著氮化鋁制備技術的不斷發展,其成本必定會有所降低,氮化鋁陶瓷基板在大功率LED領域大面積應用指日可待。氮化鋁粉末純度高,粒徑小,活性大,是制造高導熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。湖州微米氧化鋁銷售公司

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氮化鋁陶瓷具有優良的熱、電、力學性能,所以它的應用范圍比較廣。可以制成氮化鋁陶瓷基片,熱導率高,膨脹系數低,強度高,耐高溫,耐化學腐蝕,電阻率高,介電耗損小,是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。氮化鋁陶瓷硬度高,超過氧化鋁陶瓷,也可用于磨損嚴重的部位。利用氮化鋁陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性,可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件,利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕,對酸穩定,但在堿性溶液中易被侵蝕。氮化鋁新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。利用此特性,可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。氮化鋁陶瓷的金屬化性能較好,可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業中較廣應用。湖州微米氧化鋁銷售公司氮化鋁陶瓷基片是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。

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高電阻率、高熱導率和低介電常數是電子封裝用基片材料的很基本要求。封裝用基片還應與硅片具有良好的熱匹配、易成型、高表面平整度、易金屬化、易加工、低成本等特點和一定的力學性能。陶瓷由于具有絕緣性能好、化學性質穩定、熱導率高、高頻特性好等優點,成為很常用的基片材料。常用的陶瓷基片材料有氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁等,其中氧化鋁陶瓷基板的熱導率低,熱膨脹系數和硅不太匹配;氧化鈹雖然有優良的性能,但其粉末有劇毒;而氮化鋁陶瓷具有高熱導率、好的抗熱沖擊性、高溫下依然擁有良好的力學性能,被認為是很理想的基板材料。氮化鋁陶瓷擁有高硬度和高溫強度性能,可用作切割工具、砂輪和拉絲模以及制造工具材料、金屬陶瓷材料的原料。還具有優良的耐磨損性能,可用作耐磨損零件,但由于造價高,只能用于磨損嚴重的部位。將某些易氧化的金屬或非金屬表面包覆AlN涂層,可以提高其抗氧化、耐磨的性能;也可以用作防腐蝕涂層,如腐蝕性物質的處理器和容器的襯里等。

氮化鋁陶瓷的制備技術:模壓成型是應用很較廣的成型工藝。其工藝原理是將經過噴霧造粒后流動性好的造粒料填充到金屬模腔內,通過壓頭施加壓力,壓頭在模腔內產生移動,模腔內粉體在壓頭作用力下產生顆粒重排,顆粒間空隙內氣體排出,形成具有一定強度和形狀的陶瓷素坯。通常壓制的初始階段致密化速率很高,初始階段的壓力通過顆粒間的接觸,使包覆有粘結劑的顆粒滑動和重排,當進一步施壓時,顆粒變形增加相互間的接觸面,減少顆粒間的氣孔,氣體在加壓過程中通過顆粒間遷移,很終通過模具間隙排出。AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物,具有纖鋅礦型結構,屬六方晶系。

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氮化鋁陶瓷的流延成型:粘結劑和增塑劑,在流延漿料中加入粘結劑與增塑劑主要是為了提高薄片的強度和改善薄片的韌性及延展性。流延薄片在室溫下自然干燥時,溶劑不斷揮發,粘結劑則能自身固化成三維網絡結構防止薄片中的顆粒沉降,并且賦予薄片一定的強度。增塑劑的引入保證了薄片的柔韌性,同時降低了粘結劑在室溫和較低溫度時的玻璃化轉變溫度。流延成型的工藝特點:優點:設備不太復雜,工藝穩定,可連續生產,效率高,自動化程度高,坯膜性能均一且易于控制, 適于制造各種超薄形陶瓷器件,氧化鋁陶瓷基片等。缺點:坯體密度小,收縮性高。氧化鋁陶瓷基板的熱導率低,熱膨脹系數和硅不太匹配。湖州微米氧化鋁銷售公司

礦物酸通過侵襲粒狀物質的界限使氮化鋁慢慢溶解,而強堿則通過侵襲粒狀氮化鋁使它溶解。湖州微米氧化鋁銷售公司

提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑:選擇合適的燒結工藝,熱壓燒結:熱壓燒結是指在機械壓力和溫度同時作用下,對粉料進行燒結獲得致密塊體的過程。熱壓燒結可以使加熱燒結和加壓成型同時進行。在高溫下坯體持續受到壓力作用,粉末原料處于熱塑性狀態,有利于物質的擴散和流動,并且外加壓力抵消了形變阻力,促進了粉末顆粒之間的接觸。熱壓燒結可以降低氮化鋁陶瓷的燒結溫度,而且不用燒結助劑也能使氮化鋁燒結致密,且除氧能力強,但是缺點是設備昂貴,而且只能制備形狀簡單的樣品。湖州微米氧化鋁銷售公司

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