光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領域，是典型的技術密集行業(yè)。從事微電子化學品業(yè)務需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關鍵生產(chǎn)技術，如混配技術、分離技術、純化技術以及與生產(chǎn)過程相配套的分析檢驗技術、環(huán)境處理與監(jiān)測技術等。同時，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場景要求微電子化學品生產(chǎn)企業(yè)有較強的配套能力，以及時研發(fā)和改進產(chǎn)品工藝來滿足客戶的個性化需求。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過程是將感光材料、樹脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕1000級的黃光區(qū)潔凈房進行混合，在氮氣氣體保護下充分攪拌，使其充分混合形成均相液體，經(jīng)過多次過濾，并通過中間過程控制和檢驗，使其達到工藝技術和質(zhì)量要求，較后做產(chǎn)品檢驗，合格后在氮氣氣體保護下包裝、打標、入庫。光刻其實是由多步工序所組成的。清洗：清洗襯底表面的有機物。旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。微納加工

常用的光刻膠主要是兩種，正性光刻膠（positive photoresist）被曝光的部分會被顯影劑去除，負性光刻膠(negative photoresist)未被曝光的部分會被顯影劑去除。正性光刻膠主要應用于腐蝕和刻蝕工藝，而負膠工藝主要應用于剝離工藝（lift-off）。光刻是微納加工當中不可或缺的工藝，主要是起到圖形化轉(zhuǎn)移的作用。常規(guī)的光刻分為有掩膜光刻和無掩膜光刻。無掩膜光刻主要是電子束曝光和激光直寫光，有掩膜光刻主要是接觸式曝光、非接觸式曝光和stepper光刻。對于有掩膜光刻，首先需要設計光刻版，常用的設計軟件有CAD、L-edit等軟件。微納加工負膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預處理、涂膠、軟烘、曝光、后烘、顯影、圖形檢查。

一般微電子化學品具有一定的腐蝕性，對生產(chǎn)設備有較高的要求，且生產(chǎn)環(huán)境需要進行無塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學品還需要全封閉、自動化的工藝流程，以避免污染，提高質(zhì)量。因此，光刻膠等微電子化學品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒有強大的資金實力，企業(yè)就難以在設備、研發(fā)和技術服務上取得競爭優(yōu)勢，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學品行業(yè)具備較高的資金壁壘。廣東省科學院半導體研究所。

一般微電子化學品具有一定的腐蝕性，對生產(chǎn)設備有較高的要求，且生產(chǎn)環(huán)境需要進行無塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學品還需要全封閉、自動化的工藝流程，以避免污染，提高質(zhì)量。因此，光刻膠等微電子化學品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒有強大的資金實力，企業(yè)就難以在設備、研發(fā)和技術服務上取得競爭優(yōu)勢，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學品行業(yè)具備較高的資金壁壘。光刻技術是集成電路制造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法。

接觸式光刻曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優(yōu)點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達到了小于0.1μm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5μm左右。接觸式光刻機的掩模版包括了要復制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到一個由手動控制的臺子上，臺子可以進行X、y方向及旋轉(zhuǎn)的定位控制。掩模版和襯底晶片需要通過分立視場的顯微鏡同時觀察，這樣操作者用手動控制定位臺子就能把掩模版圖形和襯底晶片上的圖形對準了。經(jīng)過紫外光曝光，光線通過掩模版透明的部分，圖形就轉(zhuǎn)移到了光刻膠上。光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。微納加工

接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別，在于曝光時掩模與晶片間相對關系是貼緊還是分開。微納加工

當光刻膠曝光后，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會產(chǎn)生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑，將會移除樹脂的保護基團從而使得樹脂變得易于溶解。化學放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍，對深紫外光源具有良好的光學敏感性，同時具有高對比度，對高分辨率等優(yōu)點。按照曝光波長分類；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同。微納加工

廣東省科學院半導體研究所是一家從事微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及售后的服務型企業(yè)。公司坐落在長興路363號，成立于2016-04-07。公司通過創(chuàng)新型可持續(xù)發(fā)展為重心理念，以客戶滿意為重要標準。主要經(jīng)營微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等產(chǎn)品服務，現(xiàn)在公司擁有一支經(jīng)驗豐富的研發(fā)設計團隊，對于產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)要求極為嚴格，完全按照行業(yè)標準研發(fā)和生產(chǎn)。廣東省科學院半導體研究所每年將部分收入投入到微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務產(chǎn)品開發(fā)工作中，也為公司的技術創(chuàng)新和人材培養(yǎng)起到了很好的推動作用。公司在長期的生產(chǎn)運營中形成了一套完善的科技激勵政策，以激勵在技術研發(fā)、產(chǎn)品改進等。廣東省科學院半導體研究所以市場為導向，以創(chuàng)新為動力。不斷提升管理水平及微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務產(chǎn)品質(zhì)量。本公司以良好的商品品質(zhì)、誠信的經(jīng)營理念期待您的到來！