可控硅模塊的應用領域

可控硅模塊應用于溫度控制、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調節和改變電能的場合，如工業、通信、電力系統、電力系統等及其它各種電控、電源等，根據此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩定、電壓穩定和軟啟動。并可結束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。

可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發展，并已形成了一門獨立的學科。

可控硅模塊發展到現在，在工藝上已經非常成熟，品質更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發展。 淄博正高電氣有限公司通過專業的知識和可靠技術為客戶提供服務。河北大功率可控硅模塊品牌

可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，熱循環負載次數是國標的進10倍，焊接工藝獨特，絕緣強度高，導熱性能好。可控硅模塊的工作場所應干燥、無腐蝕性氣體、通風、無塵，環境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟：  1、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個螺釘用力要均等。

  2、用接線端頭環帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風或熱水加熱收縮，導線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。

  3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固，保持良好的平面壓力接觸。

  4、可控硅模塊的電極易掀起折斷，接線時應防止重力將電極拉起折斷。 河北大功率可控硅模塊品牌淄博正高電氣有限公司推行現代化管理制度。

可控硅模塊的作用和優勢大家都知道，它的應用范圍是非常廣的，在不同設備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢？下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。

在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，可控硅模塊被觸發導通。只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。

可控硅模塊的應用領域

該智能模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業、通訊、軍工等各類電氣操控、電源等，依據還可經過模塊的操控端口與多功用操控板聯接，結束穩流、穩壓、軟啟動等功用，并可結束過流、過壓、過溫、缺持平維護功用。

可控硅模塊的操控辦法

經過輸入模塊操控接口一個可調的電壓或許電流信號，經過調整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行滑潤調度，結束模塊輸出電壓從0V至任一點或悉數導通的進程。

電壓或電流信號可取自各種操控外表、核算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種辦法；操控信號選用0～5V，0～10V，4～20mA三種對比常用的操控辦法。

正高可控硅擁有體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優點，受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前，正高可控硅以其穩定的性能等特點，應用于各行業，暢銷省內外地區。 

可控硅模塊的分類   

可控硅模板從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機專用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。 淄博正高電氣有限公司以高品質，高質量的產品，滿足廣大新老用戶的需求。河北大功率可控硅模塊品牌

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可控硅元件在電氣設備中發揮重大作用，但可控硅使用中必須要注意運行環境和相關指標，防止可控硅損壞而影響到設備的正常使用。對此，在選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。

1、選用可控硅的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。

2、使用可控硅之前，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。

3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

5、按規定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。

6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。

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