敏感度決定了光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值?？刮g性決定了光刻膠作為覆蓋物在后續刻蝕或離子注入工藝中，不被刻蝕或抗擊離子轟擊，從而保護被覆蓋的襯底。光刻膠依據不同的產品標準進行分類：按照化學反應和顯影的原理，光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。如果顯影時未曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相反，稱為負性光刻膠；如果顯影時曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相同，稱為正性光刻膠。根據感光樹脂的化學結構來分類，光刻膠可以分為光聚合型、光分解型和光交聯型三種類別。接觸式光刻機的掩模版包括了要復制到襯底上的所有芯片陣列圖形。低線寬光刻加工

動態噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大，靜態涂膠已經不能滿足較新的硅片加工需求。相對靜態旋轉法而言，動態噴灑法在光刻膠對硅片進行澆注的時刻就開始以低速旋轉幫助光刻膠進行較初的擴散。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展，較終以高速旋轉形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。集成電路的制程工藝水平按已由微米級、亞微米級、深亞微米級進入到納米級階段。集成電路線寬不斷縮小的趨勢，對包括光刻在內的半導體制程工藝提出了新的挑戰。低線寬光刻加工接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點。

不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設備和光刻膠材料。在20世紀80年代，半導體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被普遍使用。在90年代前半期，隨著半導體制程工藝尺寸朝0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進，光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量較高，波長較短的兩個譜線。高壓汞燈技術成熟，因此較早被用來當作光刻光源。使用波長短，能量高的光源進行光刻工藝更容易激發光化學反應、提高光刻分別率。

在光刻過程中可能會出現光刻膠未涂滿襯底的異常，主要原因可能以下幾個：滴膠量不、膠液偏離襯底中心、滴膠是有氣泡、滴膠是有“倒角”，主要的叫絕方法有：增加滴膠量、調整勻膠機水平位置、調整滴膠位置、在“倒角”處滴膠、消除“倒角”。光刻涂膠四周呈現放射性條紋，主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈，表面有顆粒、滴膠后精致時間過長，部分光刻膠固話，解決的方法主要有更換光刻膠，使用新的光刻膠涂膠來測試一下、將襯底再清洗一次再涂膠、滴膠后馬上旋涂，以免光刻膠有所固化。光刻版材質主要是兩種，一個是石英材質一個是蘇打材質，石英材料的透光率會比蘇打的透光率要高。光刻版就是在蘇打材料通過光刻、刻蝕等工藝在表面使用鉻金屬做出我們所需要的圖形。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，產生邊緣效應，不能得到很好的圖形，而且容易發生剝離而影響其它部分的圖形。

光刻層間對準，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經存在的圖形之間的對準。曝光中較重要的兩個參數是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。表現為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a、接觸式曝光（ContactPrinting）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。b、接近式曝光（ProximityPrinting）。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。低線寬光刻加工

接觸式曝光的曝光精度大概只有1微米左右，能夠滿足大部分的單立器件的使用。低線寬光刻加工

光刻（Photolithography)是一種圖形轉移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。光刻是將掩模版上的圖形轉移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上，通過一系列生產步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉移技術。光刻技術是借用照相技術、平板印刷技術的基礎上發展起來的半導體關鍵工藝技術。低線寬光刻加工

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