真空鍍膜：在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀30年代，四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應用，工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開始于20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面（通常是非金屬材料），屬于物理的氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。真空鍍膜技術(shù)有真空濺射鍍膜。紹興光學真空鍍膜

電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是一種制備高純物質(zhì)薄膜的主要方法，在電子束加熱裝置中，被加熱的物質(zhì)被放置于水冷的坩堝中電子束只轟擊到其中很少的一部分物質(zhì)，而其余的大部分物質(zhì)在坩堝的冷卻作用下一直處于很低的溫度，即后者實際上變成了被蒸發(fā)物質(zhì)的坩堝。因此，電子束蒸發(fā)沉積方法可以做到避免坩堝材料的污染。在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個坩堝，這使得人們可以同時或分別蒸發(fā)和沉積多種不同的物質(zhì)。現(xiàn)今主流的電子束蒸發(fā)設(shè)備中對鍍膜質(zhì)量起關(guān)鍵作用的是電子槍和離子源。紹興光學真空鍍膜離子鍍是真空鍍膜技術(shù)的一種。

利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點：1.均勻性和重復性好，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應用范圍廣，設(shè)備簡單，易于產(chǎn)業(yè)化。評價氧化硅薄膜的質(zhì)量，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質(zhì)量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質(zhì)量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質(zhì)量，沉積速率過快，會導致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質(zhì)量比較差。

電子束蒸發(fā)是基于鎢絲的蒸發(fā).大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲(位于沉積區(qū)域外以避免污染)并將其加熱到發(fā)生電子熱離子發(fā)射的點.使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導向蒸發(fā)材料(放置在坩堝中).在電子束撞擊蒸發(fā)丸表面的過程中,其動能轉(zhuǎn)化為熱量,釋放出高能量(每平方英寸數(shù)百萬瓦以上).因此,容納蒸發(fā)材料的爐床必須水冷以避免熔化.電子束蒸發(fā)與熱蒸發(fā)的區(qū)別在于:電子束蒸發(fā)是用一束電子轟擊物體,產(chǎn)生高能量進行蒸發(fā), 熱蒸發(fā)通過加熱完成這一過程.與熱蒸發(fā)相比,電子束蒸發(fā)提供了高能量;但將薄膜的厚度控制在 5nm 量級將是困難的.在這種情況下,帶有厚度監(jiān)控器的良好熱蒸發(fā)器將更合適。真空鍍膜鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞以及高壓電場后，高速沖向工件。

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子轟擊靶表面,使靶材的原子或分子從表面發(fā)射出來,進而在基片上沉積的技術(shù)。在濺射鍍鈦的實驗中,電子、離子或中性粒子均可作為轟擊靶的荷能粒子,而由于離子在電場下易于加速并獲得較大動能,所以一般是用Ar+作為轟擊粒子。與傳統(tǒng)的蒸發(fā)鍍膜相比,濺射鍍膜可以在低溫、低損傷的條件下實現(xiàn)高速沉積、附著力較強、制取高熔點物質(zhì)的薄膜,在大面積連續(xù)基板上可以制取均勻的膜層。濺射鍍膜被稱為可以在任何基板上沉積任何材料的薄膜技術(shù),因此應用十分普遍。真空鍍膜有蒸發(fā)鍍膜形式。紹興光學真空鍍膜

真空鍍膜技術(shù)是利用物理、化學手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜。紹興光學真空鍍膜

真空鍍膜技術(shù)與濕式鍍膜技術(shù)相比較，具有下列優(yōu)點：薄膜和基體選材普遍，薄膜厚度可進行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。在真空條件下制備薄膜，環(huán)境清潔，薄膜不易受到污染，因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。薄膜與基體結(jié)合強度好，薄膜牢固。干式鍍膜既不產(chǎn)生廢液，也無環(huán)境污染。真空鍍膜技術(shù)主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學氣相沉積等多種方法。除化學氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點：各種鍍膜技術(shù)都需要一個特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響。紹興光學真空鍍膜

廣東省科學院半導體研究所在微納加工技術(shù)服務，真空鍍膜技術(shù)服務，紫外光刻技術(shù)服務，材料刻蝕技術(shù)服務一直在同行業(yè)中處于較強地位，無論是產(chǎn)品還是服務，其高水平的能力始終貫穿于其中。公司始建于2016-04-07，在全國各個地區(qū)建立了良好的商貿(mào)渠道和技術(shù)協(xié)作關(guān)系。公司承擔并建設(shè)完成電子元器件多項重點項目，取得了明顯的社會和經(jīng)濟效益。將憑借高精尖的系列產(chǎn)品與解決方案，加速推進全國電子元器件產(chǎn)品競爭力的發(fā)展。