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福州刻蝕外協

來源: 發布時間:2023年07月15日

刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層(有圖形的光刻膠)來定義要刻蝕掉的表面材料區域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層(如STI氮化硅剝離和用于制備晶體管注入側墻的硅化物工藝后鈦的剝離)。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的(如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征)。按材料來分,刻蝕主要分成3種:金屬刻蝕、介質刻蝕、和硅刻蝕。福州刻蝕外協

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二氧化硅濕法刻蝕:較普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅。基本的刻蝕劑是氫氟酸,它有刻蝕二氧化硅而不傷及硅的優點。然而,飽和濃度的氫氟酸在室溫下的刻蝕速率約為300A/s。這個速率對于一個要求控制的工藝來說太快了。在實際中,氫氟酸與水或氟化銨及水混合。以氟化銨來緩沖加速刻蝕速率的氫離子的產生。這種刻蝕溶液稱為緩沖氧化物刻蝕或BOE。針對特定的氧化層厚度,他們以不同的濃度混合來達到合理的刻蝕時間。一些BOE公式包括一個濕化劑用以減小刻蝕表面的張力,以使其均勻地進入更小的開孔區。福州刻蝕外協濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕。

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同樣的刻蝕條件,針對不同的刻蝕暴露面積,刻蝕的速率會有所不一樣。通常來說,刻蝕面積越大,刻蝕的速率越慢,暴露面積越小,刻蝕的速率越快。所以在速率調試的過程中,要使用尺寸相當的樣品進來調試,這樣調試的刻蝕速率參考意義比較大。氮化硅濕法刻蝕:對于鈍化層,另外一種受青睞的化合物是氮化硅??梢杂靡后w化學的方法來刻蝕,但是不想其他層那樣容易。使用的化學品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會迅速蒸發,所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進行。主要問題是光刻膠層經不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此,需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導致對于氮化硅使用干法刻蝕技術。

反應離子刻蝕:這種刻蝕過程同時兼有物理和化學兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。硅片處于陰極電位,放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速,垂直入射到硅片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發生強烈的化學反應,產生化學刻蝕作用。選擇合適的氣體組分,不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度,還可以使活性基團的壽命短,這就有效地阻止了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側向反應,提高了刻蝕的各向異性特性。反應離子刻蝕是超大規模集成電路工藝中比較有發展前景的一種刻蝕方法。浸沒光刻和雙重光刻技術在不改變193nm波長ArF光刻光源的前提下,將加工分辨率推向10nm的數量級。

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    刻蝕原理介紹主要工藝參數刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良的產生原因單擊此處編輯母版標題樣式單擊此處編輯母版標題樣式刻蝕工藝介紹辛小剛刻蝕原理介紹刻蝕主要工藝參數刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良原因分析刻蝕是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻膠保護的Metal/ITO膜通過化學反應去除掉,較終形成制程所需要的圖形??涛g種類目前我司的刻蝕種類主要分兩種:1、Metal刻蝕刻蝕液主要成分:磷酸、硝酸、醋酸、水。Metal:合金金屬2、ITO刻蝕刻蝕液主要成分:鹽酸、硝酸、水。ITO:氧化銦錫(混合物)Metal刻蝕前后:ITO刻蝕前后:刻蝕前后對比照片12345刻蝕液濃度刻蝕溫度刻蝕速度噴淋流量過刻量刻蝕液的濃度對刻蝕效果影響較大,所以我們主要通過:來料檢驗、首片確認、定期更換的方法來保證。 濕法刻蝕在半導體工藝中有著普遍應用:磨片、拋光、清洗、腐蝕。福州刻蝕外協

干法刻蝕優點是:各向異性好。福州刻蝕外協

二氧化硅的干法刻蝕方法是:刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C,F8)、三氟甲烷(CHF3)等,常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好,CHF3的聚合物生產速率較高,非等離子體狀態下的氟碳化合物化學穩定性較高,且其化學鍵比SiF的化學鍵強,不會與硅或硅的氧化物反應。選擇比的改變在當今半導體工藝中,Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si,后者則是金屬層,通常是TiN(氮化鈦),因此在Si02的刻蝕中,Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素。福州刻蝕外協

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