敏感度決定了光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值。抗蝕性決定了光刻膠作為覆蓋物在后續刻蝕或離子注入工藝中，不被刻蝕或抗擊離子轟擊，從而保護被覆蓋的襯底。光刻膠依據不同的產品標準進行分類：按照化學反應和顯影的原理，光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。如果顯影時未曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相反，稱為負性光刻膠；如果顯影時曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相同，稱為正性光刻膠。根據感光樹脂的化學結構來分類，光刻膠可以分為光聚合型、光分解型和光交聯型三種類別。光刻膠是由光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑組成。云南光刻外協

光刻膠旋轉速度，速度越快，厚度越薄；影響光刻膠均勻性的參數：旋轉加速度，加速越快越均勻；與旋轉加速的時間點有關。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關（因為不同級別的曝光波長對應不同的光刻膠種類和分辨率）：I-line較厚，約0.7～3μm；KrF的厚度約0.4～0.9μm；ArF的厚度約0.2～0.5μm。軟烘方法：真空熱板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶劑（4～7%）；增強黏附性；釋放光刻膠膜內的應力；防止光刻膠玷污設備；邊緣光刻膠的去除：光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。云南光刻外協一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關。

普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統分辨率的性能，人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術。該技術的引入，可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。伴隨著新一代曝光技術（NGL）的研究與發展，為了更好的滿足其所能實現光刻分辨率的同時，光刻膠也相應發展。先進曝光技術對光刻膠的性能要求也越來越高。

一般微電子化學品具有一定的腐蝕性，對生產設備有較高的要求，且生產環境需要進行無塵或微塵處理。制備較優微電子化學品還需要全封閉、自動化的工藝流程，以避免污染，提高質量。因此，光刻膠等微電子化學品生產在安全生產、環保設備、生產工藝系統、過程控制體系以及研發投資等方面要求較高。如果沒有強大的資金實力，企業就難以在設備、研發和技術服務上取得競爭優勢，以提升可持續發展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學品行業具備較高的資金壁壘。廣東省科學院半導體研究所。接觸式曝光的曝光精度大概只有1微米左右，能夠滿足大部分的單立器件的使用。

邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，不能得到很好的圖形，而且容易發生剝離（Peeling）而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法：a、化學的方法（ChemicalEBR）。軟烘后，用PGMEA或EGMEA去邊溶劑，噴出少量在正反面邊緣處，并小心控制不要到達光刻膠有效區域；b、光學方法（OpticalEBR）。即硅片邊緣曝光（WEE，WaferEdgeExposure）。在完成圖形的曝光后，用激光曝光硅片邊緣，然后在顯影或特殊溶劑中溶解；對準方法：a、預對準，通過硅片上的notch或者flat進行激光自動對準；b、通過對準標志（AlignMark），位于切割槽（ScribeLine）上。接觸式光刻曝光主要優點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。云南光刻外協

如今，全世界能夠生產光刻機的國家只有四個，中國成為了其中的一員。云南光刻外協

整個光刻顯影過程中，TMAH沒有同PHS發生反應。負性光刻膠的顯影液。二甲苯。清洗液為乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。顯影中的常見問題：a、顯影不完全（IncompleteDevelopment）。表面還殘留有光刻膠。顯影液不足造成；b、顯影不夠（UnderDevelopment）。顯影的側壁不垂直，由顯影時間不足造成；c、過度顯影（OverDevelopment）。靠近表面的光刻膠被顯影液過度溶解，形成臺階。顯影時間太長。硬烘方法：熱板，100～130C（略高于玻璃化溫度Tg），1～2分鐘。目的：完全蒸發掉光刻膠里面的溶劑（以免在污染后續的離子注入環境，例如DNQ酚醛樹脂光刻膠中的氮會引起光刻膠局部爆裂）；云南光刻外協

廣東省半導體所，2016-04-07正式啟動，成立了微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等幾大市場布局，應對行業變化，順應市場趨勢發展，在創新中尋求突破，進而提升芯辰實驗室,微納加工的市場競爭力，把握市場機遇，推動電子元器件產業的進步。廣東省半導體所經營業績遍布國內諸多地區地區，業務布局涵蓋微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等板塊。隨著我們的業務不斷擴展，從微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等到眾多其他領域，已經逐步成長為一個獨特，且具有活力與創新的企業。廣東省科學院半導體研究所業務范圍涉及面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造高品質的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業人才隊伍。平臺當前緊抓技術創新和公共服務，面向國內外高校、科研院所以及企業提供開放共享，為技術咨詢、創新研發、技術驗證以及產品中試提供支持。等多個環節，在國內電子元器件行業擁有綜合優勢。在微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等領域完成了眾多可靠項目。