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福建反并聯可控硅模塊價格

來源: 發布時間:2023年07月07日

可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝,電流承載能力大,熱循環負載次數是國標的進10倍,焊接工藝獨特,絕緣強度高,導熱性能好。可控硅模塊的工作場所應干燥、無腐蝕性氣體、通風、無塵,環境溫度范圍-25℃--45℃,下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟:  1、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂,然后用螺釘把模塊固定于散熱器上,四個螺釘用力要均等。

  2、用接線端頭環帶將銅線扎緊,浸錫,套上絕緣熱縮管,用熱風或熱水加熱收縮,導線截面積按電流密度<4A/mm2選取,禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。

  3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固,保持良好的平面壓力接觸。

  4、可控硅模塊的電極易掀起折斷,接線時應防止重力將電極拉起折斷。 淄博正高電氣有限公司是多層次的組織與管理模式。福建反并聯可控硅模塊價格

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可控硅模塊屬于電氣元器件,目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開關器件,它是從普通可控硅模塊的基礎上發展而來的,使用更加方便、安全可靠。下面正高來帶您了解下雙向可控硅模塊的特點與性能。

雙向可控硅模塊是由一對反并聯連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅模塊有兩個主電極T1和T2和一個門極G, 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通,所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅模塊門極加正、負觸發脈沖都能使管子觸發導通,因此有四種觸發方式。雙向可控硅應用為正常使用雙向可控硅模塊,需定量掌握其主要參數,對雙向可控硅模塊進行適當選用并采取相應措施以達到各參數的要求。 福建反并聯可控硅模塊價格淄博正高電氣有限公司創新發展,努力拼搏。

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一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。

在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗明顯增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。

可控硅的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。

可控硅的弱點:靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。

可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。

滿足可控硅模塊工作的必要條件:

(1)+12V直流電源:可控硅模塊內部控制電路的工作電源。

①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。

②可控硅模塊輸出電流要求:標稱電流小于500安培產品:I+12V>0.5A,標稱電流大于500安培產品:I+12V> 1A。

(2)可控硅模塊控制信號:0~10V或4~20mA控制信號,用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號,正極接CON10V或CON20mA,負極接GND1。

(3)可控硅模塊供電電源和負載:供電電源一般為電網電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接可控硅模塊的輸入端子;負載為用電器,接可控硅模塊的輸出端子。 創造價值是我們永遠的追求!

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可控硅模塊的使用注意事項

1.在選擇可控硅模塊的額定電流時,應注意的是,除考慮通過元件的平均電流外,還必須注意正常運行過程中傳導角的大小、散熱和通風條件等因素,同時,管殼的溫度不得超過相應電流的允許值。

2.使用可控硅模塊時,使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態,如有短路或斷路,應立即更換。

3.嚴禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。

4.率大于5A的可控硅模塊,應安裝散熱器,并保證規定的冷卻條件。同時,為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好,應在兩者之間涂一層有機硅油或硅脂,以利于更好的散熱。

5.根據規定,主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護裝置。

6.防止控制極正向過載和反向擊穿。 淄博正高電氣有限公司敢于承擔、克難攻堅。福建反并聯可控硅模塊價格

淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實力和豐富的實踐經驗。福建反并聯可控硅模塊價格

單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1),二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時,方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態,陽極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態,用它可制成無觸點開關。 福建反并聯可控硅模塊價格

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