光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要；自從中美貿(mào)易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進步的“燃料”，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導(dǎo)制程的中心工藝，對制造出更先進，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配。現(xiàn)在，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。江西芯片光刻

光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物；光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)，可以制成正性光刻膠；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。動態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足較新的硅片加工需求。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。江西芯片光刻光刻版材質(zhì)主要是兩種，一個是石英材質(zhì)一個是蘇打材質(zhì)，石英材料的透光率會比蘇打的透光率要高。

光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上，通過一系列生產(chǎn)步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。光刻技術(shù)是借用照相技術(shù)、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù)。

掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm。可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時引入了衍射效應(yīng)，降低了分辨率。1970后適用，但是其較大分辨率僅為2～4μm。c、投影式曝光（ProjectionPrinting）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。投影式曝光分類：掃描投影曝光（ScanningProjectPrinting）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；步進重復(fù)投影曝光（Stepping-repeatingProjectPrinting或稱作Stepper）。在完成圖形的曝光后，用激光曝光硅片邊緣，然后在顯影或特殊溶劑中溶解。

接觸式光刻曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優(yōu)點是可以使用價格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達到了小于0.1μm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5μm左右。接觸式光刻機的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到一個由手動控制的臺子上，臺子可以進行X、y方向及旋轉(zhuǎn)的定位控制。掩模版和襯底晶片需要通過分立視場的顯微鏡同時觀察，這樣操作者用手動控制定位臺子就能把掩模版圖形和襯底晶片上的圖形對準了。經(jīng)過紫外光曝光，光線通過掩模版透明的部分，圖形就轉(zhuǎn)移到了光刻膠上。影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻。江西芯片光刻

光刻涂膠四周呈現(xiàn)放射性條紋，主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈。江西芯片光刻

當光刻膠曝光后，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會產(chǎn)生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑，將會移除樹脂的保護基團從而使得樹脂變得易于溶解。化學(xué)放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍，對深紫外光源具有良好的光學(xué)敏感性，同時具有高對比度，對高分辨率等優(yōu)點。按照曝光波長分類；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同。江西芯片光刻

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是國內(nèi)一家多年來專注從事微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)的老牌企業(yè)。公司位于長興路363號，成立于2016-04-07。公司的產(chǎn)品營銷網(wǎng)絡(luò)遍布國內(nèi)各大市場。公司主要經(jīng)營微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等產(chǎn)品，我們依托高素質(zhì)的技術(shù)人員和銷售隊伍，本著誠信經(jīng)營、理解客戶需求為經(jīng)營原則，公司通過良好的信譽和周到的售前、售后服務(wù)，贏得用戶的信賴和支持。公司秉承以人為本，科技創(chuàng)新，市場先導(dǎo)，和諧共贏的理念，建立一支由微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)專家組成的顧問團隊，由經(jīng)驗豐富的技術(shù)人員組成的研發(fā)和應(yīng)用團隊。芯辰實驗室,微納加工秉承著誠信服務(wù)、產(chǎn)品求新的經(jīng)營原則，對于員工素質(zhì)有嚴格的把控和要求，為微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)用戶提供完善的售前和售后服務(wù)。